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Number of channels 3 Rating Catalog Forward/reverse channels 3 forward / 0 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.93 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.57 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
Number of channels 3 Rating Catalog Forward/reverse channels 3 forward / 0 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.93 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.57 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWW) 16 177.675 mm² 10.3 x 17.25
  • 信令速率:最高 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 宽温度范围:-55°C 至 125°C
  • 低功耗,每通道电流典型值为 1.6mA(1Mbps 时)
  • 低传播延迟:典型值为 11ns(5V 电源)
  • 出色的 CMTI(最小值):±100kV/µs
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
  • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
  • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • SOIC-16 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装选项
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证

  • 信令速率:最高 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 宽温度范围:-55°C 至 125°C
  • 低功耗,每通道电流典型值为 1.6mA(1Mbps 时)
  • 低传播延迟:典型值为 11ns(5V 电源)
  • 出色的 CMTI(最小值):±100kV/µs
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
  • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
  • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • SOIC-16 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装选项
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证

ISO7830x 器件是一款高性能三通道数字隔离器,隔离电压为 8,000VPK。该器件已通过符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强型隔离认证。在隔离 CMOS 或者 LVCMOS 数字 I/O 时,该隔离器可提供高电磁抗扰度和低辐射,且具有低功耗特性。

每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件配有使能引脚,可用于将各自输出置于高阻态以适用于多主驱动应用中,并降低功耗。ISO7830x 器件具有三条正向通道,但没有反向通道。如果出现输入功率或信号丢失,ISO7830 器件默认输出 高电平,ISO7830F 器件默认输出 低电平,。有关更多详细信息,请参阅 。

与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地端,进而干扰或损坏敏感电路。凭借出色的芯片设计和布局技术,ISO7830x 的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO7830x 可采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装。

ISO7830x 器件是一款高性能三通道数字隔离器,隔离电压为 8,000VPK。该器件已通过符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强型隔离认证。在隔离 CMOS 或者 LVCMOS 数字 I/O 时,该隔离器可提供高电磁抗扰度和低辐射,且具有低功耗特性。

每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件配有使能引脚,可用于将各自输出置于高阻态以适用于多主驱动应用中,并降低功耗。ISO7830x 器件具有三条正向通道,但没有反向通道。如果出现输入功率或信号丢失,ISO7830 器件默认输出 高电平,ISO7830F 器件默认输出 低电平,。有关更多详细信息,请参阅 。

与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地端,进而干扰或损坏敏感电路。凭借出色的芯片设计和布局技术,ISO7830x 的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO7830x 可采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装。

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技术文档

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白皮书 通过使用数字隔离器替代光耦合器改善系统性能 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 11月 13日
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025年 9月 22日
证书 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
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证书 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
应用手册 数字隔离器设计指南 (Rev. G) PDF | HTML 英语版 (Rev.G) PDF | HTML 2023年 9月 20日
白皮书 符合 IEC60664 标准的电机驱动应用电路板绝缘设计 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 9月 11日
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用户指南 通用数字隔离器评估模块 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2021年 9月 28日
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应用简报 Considerations for Selecting Digital Isolators 2018年 7月 24日
模拟设计期刊 How to reduce radiated emissions of digital isolators for systems with RF module 2018年 3月 26日
应用手册 Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
EVM 用户指南 ISO784xx Quad-Channel Digital Isolator EVM User Guide 2014年 10月 17日
白皮书 Understanding electromagnetic compliance tests in digital isolators 2014年 10月 17日
白皮书 High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
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TI.com 上无现货
评估板

ISO7842-EVM — 高抗干扰能力,5.7kVRMS 增强型四通道 2/2 数字隔离器评估模块

ISO7842 可提供符合 UL 标准的长达 1 分钟且高达 5700 VRMS 的电流隔离,以及符合 VDE 标准的 8000 VPK 的隔离。此器件具有四个隔离通道,并包含由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅隔离的逻辑输入和输出缓冲器。与隔离式电源一起使用时,此器件可防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地端并干扰或损坏敏感电路。

ISO7842-EVM 可帮助设计人员评估器件性能,支持快速开发并分析隔离式系统。该 EVM 支持评估任何位于 16 引脚 SOIC 封装中的 TI 四通道数字隔离器。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

ISO7830 IBIS Model (Rev. B)

SLLM284B.ZIP (104 KB) - IBIS Model
仿真模型

ISO7830F IBIS Model

SLLM287.IBS (243 KB) - IBIS Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWW) 16 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频