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Integrated isolated power No Number of channels (#) 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Isolation rating (Vrms) 5000, 3000 Data rate (Max) (Mbps) 100 Rating Automotive Surge voltage capability (Vpk) 12800, 8000 Current consumption per channel (DC) (Typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (Typ) (mA) 1.6 Operating temperature range (C) -40 to 125 Default output High, Low TI functional safety category Functional Safety-Capable Supply voltage (Max) (V) 5.5 Supply voltage (Min) (V) 2.25 Propagation delay (Typ) (ns) 10.7
Integrated isolated power No Number of channels (#) 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Isolation rating (Vrms) 5000, 3000 Data rate (Max) (Mbps) 100 Rating Automotive Surge voltage capability (Vpk) 12800, 8000 Current consumption per channel (DC) (Typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (Typ) (mA) 1.6 Operating temperature range (C) -40 to 125 Default output High, Low TI functional safety category Functional Safety-Capable Supply voltage (Max) (V) 5.5 Supply voltage (Min) (V) 2.25 Propagation delay (Typ) (ns) 10.7
SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 汽车电子 应用认证
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 3A
    • 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 信号传输速率:高达 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 和 5V 电平转换
  • 默认输出高电平低电平选项
  • 低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:典型值为 11ns
    (由 5V 电源供电)
  • 高共模瞬态抗扰度 (CMTI):±100kV/µs(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级静电放电 (ESD)、瞬态放电 (EFT) 以及抗浪涌保护
    • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • 宽体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (DW-16) 和窄体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D-8) 封装选项
  • 安全相关认证:
    • VDE 增强型隔离,符合 DIN V
      VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准
    • 符合 UL 1577 的 5000VRMS (DW) 和 3000VRMS (D) 隔离额定值
    • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
    • 符合 EN 60950-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证
    • 完成 DW 封装的 VDE、UL、CSA 和 TUV 认证;已规划其他所有认证
  • 汽车电子 应用认证
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 3A
    • 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 信号传输速率:高达 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 和 5V 电平转换
  • 默认输出高电平低电平选项
  • 低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:典型值为 11ns
    (由 5V 电源供电)
  • 高共模瞬态抗扰度 (CMTI):±100kV/µs(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级静电放电 (ESD)、瞬态放电 (EFT) 以及抗浪涌保护
    • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • 宽体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (DW-16) 和窄体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D-8) 封装选项
  • 安全相关认证:
    • VDE 增强型隔离,符合 DIN V
      VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准
    • 符合 UL 1577 的 5000VRMS (DW) 和 3000VRMS (D) 隔离额定值
    • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
    • 符合 EN 60950-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证
    • 完成 DW 封装的 VDE、UL、CSA 和 TUV 认证;已规划其他所有认证

ISO772x-Q1 器件是高性能双通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 封装)和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值。这些器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO772x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器。ISO7720-Q1 器件具有两条同向通道,而 -Q1 器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见 Device Functional Modes器件功能模式 部分。

与隔离式电源一起使用时,这些器件有助于防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地并且干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO772x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO772x-Q1 系列器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

ISO772x-Q1 器件是高性能双通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 封装)和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值。这些器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO772x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器。ISO7720-Q1 器件具有两条同向通道,而 -Q1 器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见 Device Functional Modes器件功能模式 部分。

与隔离式电源一起使用时,这些器件有助于防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地并且干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO772x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO772x-Q1 系列器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块,用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚 NB SOIC (D)、8 引脚 WB SOIC (DWV)、16 引脚 WB SOIC (DW)、16 引脚 Ultra WB SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
下载英文版本: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

ISO7721DEVM — EMC 性能优异的 D 封装 ISO7721 高速双通道数字隔离器评估模块

ISO7721DEVM 是一款用于评估采用 8 引脚窄体 SOIC 封装(封装代码 - D)的高性能增强型双通道数字隔离器 ISO7721 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

ISO7741EVM — EMC 性能优异的 ISO7741 高速四通道数字隔离器评估模块

ISO7741EVM 是一款用于评估采用宽体 SOIC 封装(封装代码 - DW)的高性能增强型四通道数字隔离器 ISO7741 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

ISO7721 IBIS Model (Rev. B)

SLLM332B.ZIP (52 KB) - IBIS Model
仿真模型

ISO7721 PSpice Transient Model

SLLM474.ZIP (183 KB) - PSpice Model
参考设计

TIDA-01605 — 具有两级关断保护功能的汽车类双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计

此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V 和 –4V 输出电压以及 1W 输出功率。栅极驱动器能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器实现了增强型隔离,可承受 8kV 峰值隔离电压和 5.7kV RMS 隔离电压以及超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。此参考设计包含两级关断电路,可在短路情况下保护 MOSFET 抵御电压过冲。DESAT 检测阈值和第二级关断延迟时间是可配置的。此设计采用 (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
SOIC (D) 8 了解详情
SOIC (DW) 16 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

视频