产品详细信息

Number of channels (#) 1 Vs (Max) (V) 36 Vs (Min) (V) 4.5 Input offset (+/-) (Max) (uV) 35 Gain (Min) (V/V) 1 Gain (Max) (V/V) 10000 Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz)) 7 Features Super-beta, Small Size, Overvoltage Protection CMRR (Min) (dB) 136 Input offset drift (+/-) (Max) (uV/C) 0.4 Input bias current (+/-) (Max) (nA) 0.5 Iq (Typ) (mA) 0.6 Bandwidth at min gain (Typ) (MHz) 4.7 Gain error (+/-) (Max) (%) 0.15 Operating temperature range (C) -40 to 125 Type Resistor Output swing headroom (to negative supply) (Typ) (V) 0.15 Output swing headroom (to positive supply) (Typ) (V) -0.15 Input common mode headroom (to negative supply) (Typ) (V) 2 Input common mode headroom (to positive supply) (Typ) (V) -2 Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp) 0.14 Gain non-linearity (+/-) (Max) (%) 0.0015
Number of channels (#) 1 Vs (Max) (V) 36 Vs (Min) (V) 4.5 Input offset (+/-) (Max) (uV) 35 Gain (Min) (V/V) 1 Gain (Max) (V/V) 10000 Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz)) 7 Features Super-beta, Small Size, Overvoltage Protection CMRR (Min) (dB) 136 Input offset drift (+/-) (Max) (uV/C) 0.4 Input bias current (+/-) (Max) (nA) 0.5 Iq (Typ) (mA) 0.6 Bandwidth at min gain (Typ) (MHz) 4.7 Gain error (+/-) (Max) (%) 0.15 Operating temperature range (C) -40 to 125 Type Resistor Output swing headroom (to negative supply) (Typ) (V) 0.15 Output swing headroom (to positive supply) (Typ) (V) -0.15 Input common mode headroom (to negative supply) (Typ) (V) 2 Input common mode headroom (to positive supply) (Typ) (V) -2 Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp) 0.14 Gain non-linearity (+/-) (Max) (%) 0.0015
SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 VSSOP (DGK) 8 15 mm² 3 x 4.9 WSON (DRG) 8 9 mm² 3 x 3
  • 低失调电压:10µV(典型值)、35µV(最大值)
  • 增益漂移:5ppm/°C (G = 1)、
    35ppm/°C (G > 1)(最大值)
  • 噪声:7nV/√Hz
  • 带宽:4.7MHz (G = 1)、290kHz (G = 100)
  • 采用 1nF 容性负载时保持稳定
  • 输入保护电压高达 ±40V
  • 共模抑制:112dB,G = 10(最小值)
  • 电源抑制:110dB,G = 1(最小值)
  • 电源电流:650µA(最大值)
  • 电源电压范围:
    • 单电源:4.5V 至 36V
    • 双电源:±2.25V 至 ±18V
  • 额定温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 封装:8 引脚 SOIC 和 VSSOP
  • 低失调电压:10µV(典型值)、35µV(最大值)
  • 增益漂移:5ppm/°C (G = 1)、
    35ppm/°C (G > 1)(最大值)
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  • 带宽:4.7MHz (G = 1)、290kHz (G = 100)
  • 采用 1nF 容性负载时保持稳定
  • 输入保护电压高达 ±40V
  • 共模抑制:112dB,G = 10(最小值)
  • 电源抑制:110dB,G = 1(最小值)
  • 电源电流:650µA(最大值)
  • 电源电压范围:
    • 单电源:4.5V 至 36V
    • 双电源:±2.25V 至 ±18V
  • 额定温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 封装:8 引脚 SOIC 和 VSSOP

INA821 是一款高精度仪表放大器,可提供低功耗并且可在较宽的单电源或双电源电压范围内工作。可通过单个外部电阻器在 1 到 10,000 范围内设置任意增益。由于采用超 β 输入晶体管(这些晶体管可提供较低的输入失调电压、失调电压漂移、输入偏置电流以及输入电压和电流噪声),该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达 ±40V 的过压保护。

INA821 经过优化,可提供较高的共模抑制比。当 G = 1 时,整个输入共模范围内共模抑制比超过 92dB。根据设计,此器件采用低电压运行,由 4.5V 单电源和高达 ±18V 的双电源供电。

INA821 采用 8 引脚 SOIC 和 8 引脚 VSSOP 封装,并且额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

INA821 是一款高精度仪表放大器,可提供低功耗并且可在较宽的单电源或双电源电压范围内工作。可通过单个外部电阻器在 1 到 10,000 范围内设置任意增益。由于采用超 β 输入晶体管(这些晶体管可提供较低的输入失调电压、失调电压漂移、输入偏置电流以及输入电压和电流噪声),该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达 ±40V 的过压保护。

INA821 经过优化,可提供较高的共模抑制比。当 G = 1 时,整个输入共模范围内共模抑制比超过 92dB。根据设计,此器件采用低电压运行,由 4.5V 单电源和高达 ±18V 的双电源供电。

INA821 采用 8 引脚 SOIC 和 8 引脚 VSSOP 封装,并且额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

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封装 引脚数 下载
SOIC (D) 8 了解详情
SON (DRG) 8 了解详情
VSSOP (DGK) 8 了解详情

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