ZHCSD84 January 2015 CSD19534KCS
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220 塑料封装
2 应用范围
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
3 说明
这款 100V，13.7mΩ，TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 16.4 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 3.3 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 16.3 | mΩ |
| VGS = 10V | 13.7 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 2.8 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 封装 | 介质 | 数量 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19534KCS | TO-220 塑料封装 | 管 | 50 | 管 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
最大绝对额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 100 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 54 | ||
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC=100°C 时测得 | 38 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流 (1) | 138 | A |
| PD | 功率耗散 | 118 | W |
| TJ， Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 175 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 33A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
54 | mJ |
- 最大 RθJC = 1.3°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |