ZHDS012 December   2025 MSPM0L2116 , MSPM0L2117

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
      1.      10
    3. 6.3 信号说明
      1.      12
      2.      13
      3.      14
      4.      15
      5.      16
      6.      17
      7.      18
      8.      19
      9.      20
      10.      21
      11.      22
  8. 7 未使用引脚的连接
  9. 8 规格
    1. 8.1  绝对最大额定值
    2. 8.2  ESD 等级
    3. 8.3  建议运行条件
    4. 8.4  热性能信息
    5. 8.5  电源电流特性
      1. 8.5.1 运行/睡眠模式
      2. 8.5.2 停止/待机模式
      3. 8.5.3 关断模式
    6. 8.6  电源时序
      1. 8.6.1 电源斜坡
      2. 8.6.2 POR 和 BOR
    7. 8.7  闪存特性
    8. 8.8  时序特性
    9. 8.9  时钟规范
      1. 8.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 8.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 8.9.3 低频晶体/时钟
      4. 8.9.4 高频晶体/时钟
    10. 8.10 数字 IO
      1. 8.10.1 电气特性
      2. 8.10.2 开关特性
    11. 8.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 8.12 ADC
      1. 8.12.1 电气特性
      2. 8.12.2 线性参数
      3. 8.12.3 开关特性
      4. 8.12.4 典型连接图
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
      1. 8.14.1 电气特性
      2. 8.14.2 电压特性
    15. 8.15 比较器 (COMP)
      1. 8.15.1 比较器电气特性
    16. 8.16 LCD
    17. 8.17 I2C
      1. 8.17.1 I2C 特性
      2. 8.17.2 I2C 滤波器
      3. 8.17.3 I2C 时序图
    18. 8.18 SPI
      1. 8.18.1 SPI
      2. 8.18.2 SPI 时序图
    19. 8.19 UART
    20. 8.20 TIMx
    21. 8.21 仿真和调试
      1. 8.21.1 SWD 时序
  10. 9 详细说明
    1. 9.1  CPU
    2. 9.2  工作模式
      1. 9.2.1 不同工作模式下的功能
    3. 9.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 9.4  时钟模块 (CKM)
    5. 9.5  DMA 触发映射
    6. 9.6  事件
    7. 9.7  内存
      1. 9.7.1 内存组织
      2. 9.7.2 外设汇总
      3. 9.7.3 中断向量编号
    8. 9.8  闪存存储器
    9. 9.9  SRAM
    10. 9.10 GPIO
    11. 9.11 IOMUX
    12. 9.12 ADC
    13. 9.13 温度传感器
    14. 9.14 LFSS
    15. 9.15 IWDT
    16. 9.16 RTC_B
    17. 9.17 VREF
    18. 9.18 COMP
    19. 9.19 安全性
    20. 9.20 AESADV
    21. 9.21 CRC
    22. 9.22 密钥库
    23. 9.23 UNICOMM (UART/I2C/SPI)
      1. 9.23.1 UART (UNICOMM)
      2. 9.23.2 I2C (UNICOMM)
      3. 9.23.3 SPI (UNICOMM)
    24. 9.24 WWDT
    25. 9.25 计时器 (TIMx)
    26. 9.26 LCD
    27. 9.27 器件模拟连接
    28. 9.28 输入/输出图
    29. 9.29 DEBUGSS
    30. 9.30 串行线调试接口
    31. 9.31 引导加载程序 (BSL)
    32. 9.32 器件出厂常量
    33. 9.33 标识
  11. 10应用、实施和布局
    1. 10.1 典型应用
      1. 10.1.1 原理图
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 入门和后续步骤
    2. 11.2 器件命名规则
    3. 11.3 工具与软件
    4. 11.4 文档支持
    5. 11.5 支持资源
    6. 11.6 商标
    7. 11.7 静电放电警告
    8. 11.8 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 机械数据

10.1.1 原理图

TI 建议将 10µF 和 0.1µF 的低 ESR 陶瓷去耦电容组合连接至 VDD 和 VSS 引脚。可以使用电容值较大的电容，但可能会影响电源轨斜升时间。去耦电容必须尽可能靠近其去耦的引脚的位置（几毫米范围内）。

NRST 复位引脚需要连接一个外部 47kΩ 上拉电阻器和一个 1000pF 下拉电容器。

VCORE 引脚上需要连接一个 0.47μF 的电容，并且该电容必须靠近器件放置，与器件地之间的距离最小。请勿将其他电路连接到 VCORE 引脚。

对于支持外部晶体的器件，需要为晶体振荡器引脚使用外部旁路电容器。请参阅 MSPM0 L 系列 32MHz 微控制器技术参考手册，其中介绍了如何计算电容器的容值。

对于 5V 容限开漏 IO (ODIO)，需要使用一个上拉电阻器来输出逻辑高电平信号。如果使用了 ODIO，那么这是实现 I2C 和 UART 功能所必需的。

MSPM0L2116 MSPM0L2117 典型应用原理图图 10-1 典型应用原理图