ZHDA371 October 2026 OPA690
要验证 FET 是否保持饱和状态,设计人员必须查阅数据表中的两条关键曲线。首先,ID 与 VGS 传输特性决定了驱动最大输出电流所需的最大源栅极电压(VGS,最大值)。该值为 VGS,此时 ID 等于目标输出电流。其次,在该特定 VGS 最大值下检查 ID 与 VDS 输出特性,以确定拐点电压,即 ID 饱和且不再受 VDS 影响时的最小 VDS。该拐点电压表示 FET 保持饱和状态所需的最小余量。
应用的最低顺从电压必须超过上面确定的拐点 VDS 并留有足够的裕度。如果最低顺从电压过于接近或低于拐点,则 FET 在最坏情况下会进入欧姆区域,此时必须选择具有较低 Vth 或更陡峭饱和拐点的其他器件。
以 FET IQE013N04LM6CGSC 为例,其典型输出特性和传输特性如图 3-1 和图 3-2 所示。图 3-1 显示了不同栅源极电压下漏极电流随漏源极电压的变化,其中漏极电流在进入饱和区域之前迅速增加。图 3-2 显示了 25°C 和 175°C 时的传输特性,表明漏极电流随栅源极电压变化,以及温度对器件电流的影响。这些特性有助于确定工作区域,并在 FET 工作期间提供足够的电压裕度。