ZHDA297 November   2022 ADC081C021 , ADC081C027 , ADC101C021 , ADC101C027 , ADC121C021 , ADC121C021-Q1 , ADC121C027 , ADC128D818 , ADS1000 , ADS1000-Q1 , ADS1013 , ADS1014 , ADS1015 , ADS1015-Q1 , ADS1100 , ADS1110 , ADS1112 , ADS1113 , ADS1114 , ADS1115 , ADS1115-Q1 , ADS7823 , ADS7827 , ADS7828 , ADS7828-Q1 , ADS7830 , ADS7924 , AFE539A4 , DAC081C081 , DAC081C085 , DAC101C081 , DAC101C081Q , DAC101C085 , DAC121C081 , DAC121C085 , DAC43204 , DAC43401 , DAC43401-Q1 , DAC43608 , DAC43701 , DAC43701-Q1 , DAC53002 , DAC53004 , DAC53202 , DAC53204 , DAC53204W , DAC53401 , DAC53401-Q1 , DAC53608 , DAC53701 , DAC53701-Q1 , DAC5571 , DAC5573 , DAC5574 , DAC5578 , DAC60501 , DAC60502 , DAC63002 , DAC63004 , DAC63202 , DAC63204 , DAC6571 , DAC6573 , DAC6574 , DAC6578 , DAC70501 , DAC70502 , DAC7571 , DAC7573 , DAC7574 , DAC7578 , DAC7678 , DAC80501 , DAC80502 , DAC8571 , DAC8574

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1I2C 概述
    1. 1.1 发展历程
    2. 1.2 I2C 速度模式
  5. 2I2C 物理层
    1. 2.1 两线制通信
    2. 2.2 开漏连接
    3. 2.3 无损总线争用
  6. 3I2C 协议
    1. 3.1 I2C START 和 STOP
    2. 3.2 逻辑 1 和 0
    3. 3.3 I2C 通信帧
  7. 4I2C 示例
    1. 4.1 DAC80501 示例
      1. 4.1.1 DAC80501 DAC 数据寄存器
      2. 4.1.2 DAC80501 I2C 示例写入
    2. 4.2 ADS1115 示例
      1. 4.2.1 ADS1115 配置寄存器
      2. 4.2.2 ADS1115 I2C 示例读取
      3. 4.2.3 ADS1115 转换结果
  8. 5保留地址
    1. 5.1 常规调用
    2. 5.2 START 字节
    3. 5.3 C-Bus 地址、不同的总线格式、未来用途
    4. 5.4 HS 模式控制器代码
    5. 5.5 器件 ID
    6. 5.6 10 位目标寻址
      1. 5.6.1 10 位目标寻址写入
      2. 5.6.2 10 位目标寻址读取
  9. 6高级主题
    1. 6.1 时钟同步和仲裁
    2. 6.2 时钟延展
    3. 6.3 电气规格
    4. 6.4 电压电平转换
      1. 6.4.1 示例 1
      2. 6.4.2 示例 2
      3. 6.4.3 示例 3
      4. 6.4.4 示例 4
    5. 6.5 确定上拉电阻器大小
      1. 6.5.1 最小上拉电阻大小
      2. 6.5.2 确定最大上拉电阻器大小
  10. 7与 I2C 类似的协议
  11. 8总结

2.3 无损总线争用

使用漏极开路 I2C 的优势之一是总线争用不会使总线进入破坏性状态。借助开漏输出，许多器件可以连接在一起而不会产生破坏性争用。对于该连接上的任何输出，如果任何输出将线路拉至低电平，则线路处于低电平。这种连接称为有线 AND 连接。当所有输出连接在一起时，输出是所有输出的逻辑 AND。

如果输出是推挽式，则无法将输出连接在一起，否则可能会出现破坏性状态。推挽输出（通常用于 SPI 通信）具有互补的 NMOS 和 PMOS 晶体管，可将输出驱动为高电平或低电平。图 2-4 显示了开漏输出与推挽输出在争用情况下的比较。

DAC80501 开漏和推挽争用之间的比较图 2-4 开漏和推挽争用之间的比较

使用开漏连接时，任何器件都可以随时将该连接拉至低电平。只要任何器件将线路拉至低电平，该线路就会显示为低电平，但不会显示为破坏性争用。

在推挽输出中，输出也连接在一起。如果总线上有两个器件处于激活状态，而一个输出为高电平，而另一个输出为低电平，则该总线争用的状态为不确定，可能在中点电压趋稳。此外，一个器件具有 NMOS 传导电流，另一个器件具有 PMOS 传导电流。这些器件通过一条阻抗极低的路径从 VDD 到 GND 拉取电流，从而在晶体管允许的范围内传导尽可能多的电流。该争用会产生大量电流，可能会损坏器件。