ZHDA050A January   2026  – February 2026 TPS61287

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2功率 MOSFET 选择的关键参数
    1. 2.1 静态特性
    2. 2.2 动态特性
    3. 2.3 热参数
  6. 3MOSFET 选择工具简介
    1. 3.1 在计算工具中输入 MOSFET 参数
    2. 3.2 检查结果
  7. 4计算器工具 MOSFET 选择示例和工作台评估
  8. 5总结
  9. 6参考资料
  10. 7修订历史记录

2.1 静态特性

静态参数通常定义开关的绝对最大额定值和导通状态性能。

  • 漏源电压 (VDSS)：该电压的额定值必须高于 MOSFET 承受的最大电压。对于升压转换器，这至少是最大输出电压 (VOUT)。为了应对由寄生电感引起的电压尖峰，建议采用 30-50%，的安全裕度。
  • 持续漏极电流 (ID)：MOSFET 必须处理 RMS 和平均输入电流。升压转换器中的 RMS 电流约等于输入电流 (IIN)。
  • 导通电阻 (RDS(on))：此参数直接决定导通损耗 (Pcond = IRMS2 × RDS(on))。需要较低的 RDS(on)，但通常会以较高的栅极电荷进行权衡。
  • 栅极阈值电压 (VGS(th)) 和栅极平坦电压 (Vplateau) 或米勒电压 (Vmiller)：这两个电压必须小于 MOSFET 栅极驱动电压，以便 MOSFET 可以完全导通。