ZHDA050A
January 2026 – February 2026
TPS61287
1
摘要
商标
1
简介
2
功率 MOSFET 选择的关键参数
2.1
静态特性
2.2
动态特性
2.3
热参数
3
MOSFET 选择工具简介
3.1
在计算工具中输入 MOSFET 参数
3.2
检查结果
4
计算器工具 MOSFET 选择示例和工作台评估
5
总结
6
参考资料
7
修订历史记录
2.3
热参数
热管理可以验证开关在安全工作区 (SOA) 内运行。
结温至环境温度热阻 (R
θJA
)：它定义了在给定功率耗散下从结温至环境空气的温升。较低的 R
θJA
（通过更好的封装或散热实现）对于散热至关重要。
总功率耗散 (P
D
)：导通损耗和开关损耗之和。结温可通过以下公式计算得出：T
J
= T
A
+ (P
D
× R
θJA
)，其中 T
A
为环境温度。T
J
必须始终保持在最大额定值以下（通常为 150°C 或 175°C）。