动态参数与开关速度和栅极驱动器所需的能量有关。

MOSFET 的固有电容 (C_iss、C_oss、C_rss) 决定了开关行为。图 2-1 所示为常用升压器件低侧 MOSFET 的开关过程，然后说明了这些电容的作用。

图 2-1 MOSFET 开关波形

电容如何影响开关速度：当 MOSFET 导通时，栅极驱动器必须对 C_iss（输入电容）充电，以便首先导通 MOSFET（从 t₀ 到 t₂）。当 V_GS 达到平坦电压，驱动器电流会消耗以使 C_rss 放电，从而使 V_DS 下降（从 t₂ 下降到 t₃）。更大的总栅极电荷 (Q_g) 和电容需要更多的驱动电流和开关时间。

通常，如果电容更大，会产生两种负面影响：

1. 开关损耗增加：较慢的开关转换会增加高电压和高电流重叠（图 2-1 中的 t₁ 至 t₃ 和 t₆ 至 t₈）的时间，从而导致高开关损耗 (P_sw) 和低效率。
2. 击穿风险：如果开关关断速度太慢，则没有足够的时间来防止高侧和低侧开关同时导通。这种击穿情况会在输出电压轨上造成短路，并且很有可能损坏 MOSFET 和升压控制器。

对于具有可调死区时间的控制器，死区时间必须设置为长于开关的关断延迟和下降时间之和，以避免击穿。而对于 TPS61287 等具有固定死区时间的控制器，所选 MOSFET 必须具有足够低的 Q_g 或结电容，以验证开关时间是否短于固定死区时间。

图 2-2 动态特性较差时的开关行为

图 2-3 动态特性良好时的开关行为

图 2-2 和图 2-3 清楚展示了高动态参数对开关速度的负面影响以及击穿风险。

但是，MOSFET 结电容不是尽可能小。结电容过小会导致开关速度过快，从而增加 SW 电压尖峰（纳秒级的瞬变电压），进而导致 MOSFET 和芯片过压应力。为确保 TPS61287 的安全，TI 建议工程师将 SW 的电压尖峰控制在 36V 以下。

图 2-4 使用低电感探头进行 SW 电压尖峰测量.

如果由于选择了具有极小结电容的 MOSFET 而导致 SW 电压尖峰过高，TI 建议在 MOSFET 的栅极上串联一个驱动电阻器 (RDRV) 来降低驱动速度，从而降低 SW 电压尖峰。

图 2-5 栅极驱动电阻器可降低驱动速度并减少 SW 电压尖峰