本节旨在指导工程师如何在计算工具中获取输入参数，以选择合适的 MOSFET。

首先输入应用规格，输入 V_IN（最小值/最大值）、V_OUT、I_OUT、开关频率和 LC 参数等参数。然后选择候选 MOSFET 并手动输入关键参数，如图 3-1 所示。

图 3-1 在计算工具中输入 MOSFET 参数

设计计算器中的第一个参数是导通状态电阻 (RDS(on))。计算器要求 R_DS(on) 为 5.1V 驱动电压。R_DS(on) 通常在数据表的电气特性部分或绘制 V_gs 与 R_DS(on) 的图中给出。

总栅极电荷 (Q_G) 是指为栅极电容充电以导通 MOSFET，从而使 MOSFET 的实际栅极电压与驱动电压相匹配所需的电荷（以库仑为单位）。这与开关电荷不同。Q_G 通常在 MOSFET 数据表中给出。

内部栅极电阻 R_G 可通过与 MOSFET 栅极串联的电阻器建模，而 RG_PCB 是由 PCB 覆铜线迹或外部电阻器引入的外部栅极电阻。

C_iss、C_rss、C_oss 是输入、反向和输出结电容。注意到 MOSFET 的动态特性主要随漏源电压 V_DS 而变化，图 3-2 显示了 C_iss、C_rss 和 C_oss 对 V_DS 的依赖性。通常会在绘制 V_DS 与电容间关系的图中给出结电容。

图 3-2 MOSFET C_iss、C_rss、C_oss 与 V_DS 间的关系

栅极源阈值电压 V_GSTH 是 MOSFET 导通的阈值电压，而栅极平坦电压或米勒电压是 C_rss 充电的电压。这两个电压通常在 MOSFET 数据表中给出。