运行期间，V_EXT 可能会由于线路瞬变、负载瞬变（如果加载了 V_EXT）和辐射引起的单粒子瞬变等外部因素而偏离标称直流值。TPS7H4104-SEP 的 SEE 报告《TPS7H4104-SEP 的单粒子效应 (SEE) 辐射报告》展示并讨论了在重离子束下测试 TPS7H4104-SEP 的结果。虽然未观察到幅度达到或超过 3% 的 SET 事件，但可在仿真中对 V_EXT 注入理论上的 3% 瞬变，以观察在不同 V_EXT 标称水平下对 V_OUT 的影响。

在仿真中，-3% 的瞬变以 10µs 的上升和下降时间直接注入 V_EXT 电压轨。我们测试了三种不同的标称 V_EXT 电平，并针对每种 V_EXT 条件将瞬变幅度调整为标称值的 -3%。图 4-3 在单幅图上展示了所有三种 V_EXT 电平的结果。

上图显示，对于较大的 V_EXT 值，相同的电压标称值百分比偏差在 V_OUT 上产生的扰动更小。造成这种反直觉关系的原因在于 R_B1 两端的压降和 V_REF 电压。流经 R_B1 的电流不是由 GND 和 V_EXT 之间的总电势决定的，而是由 V_EXT 和 V_REF 之间的总电势决定。由于 V_EXT 上的扰动幅度由 V_EXT 与 GND 间的电压决定，因此在从 V_EXT 中减去 V_REF 后，较小的 V_EXT 值最终会承受更大百分比的扰动，因为 V_REF 在其中占比较大。

此外，我们将一款经过修改的 TPS7H4104EVM（配备 V_EXT 及与第 3 节所述类似、且在第 4 节中进行过仿真的低压输出通道配置）暴露于 LET 值为 75MeV 的重离子束下。在 V_OUT 上未观察到幅度大于 2.5% 的 SET 事件。