ZHCY174A February 2018 – February 2019
SiC FET 的开关速度比 IGBT 快,这是因为在 SiC 关断期间没有尾电流。但是,这种尾电流可在关断期间抑制振铃,这实际上是 IGBT 的一个优势(尤其是在电机驱动应用中),因为任何误导通和由此产生的过冲都可能损坏系统。基于 SiC 的应用面临的系统级挑战是如何通过栅极电阻或缓冲器控制振铃。
开关速度越快,则磁性元件和电容滤波器尺寸越小,从而减小系统尺寸和降低成本。如前所述,鉴于高热导率,系统还应该降低冷却需求。
一些系统解决方案供应商仍然认为,减小系统尺寸和降低成本不足以抵消 SiC 所带来的高元件成本。基于 SiC 的系统开发仍处于早期阶段,因此目前成本会很高。然而,随着市场的广泛推广,实现规模经济后,SiC 成本自然会下降,从而实现系统级成本效益。