ZHCY174A February   2018  – February 2019

 

  1. 1引言
  2. 2大功率半导体选型现状
  3. 3为何选择 SiC?
  4. 4SiC 生态系统中的栅极驱动器
  5. 5数字隔离需求
  6. 6系统级优势和挑战
  7. 7总结
  8. 8参考文献
  9. 9重要声明

数字隔离需求

电隔离技术通过隔离电气系统的功能部分,防止直流电流或不受控制的瞬态电流在这些功能部分之间流动。但是,数据和能量仍需要通过电隔离栅。这种隔离栅可采用光学、磁性或电容隔离技术。其中,数字隔离器包含电容隔离和磁隔离,它通过隔离栅以数字方式传输数据。和磁隔离一样,电容隔离利用数字电路对传入信号进行编码和解码,从而使信号通过隔离栅。

从根本上说,电容只能通过交流信号,不能通过直流信号;此外,它们在保持高数据速率和低功耗的同时不易受到磁噪声的影响。因为 SiC 栅极驱动器具有高数据速率和高抗噪性(共模瞬态抗扰度高于 150V/ns),因此适合使用电容隔离。

TI 最近推出了业内先进的隔离式栅极驱动器系列 UCC217xx,具有快速集成式检测能力,适用于 IGBT 和 SiC MOSFET。该系列器件不仅提供先进的监控和保护功能,还能提高汽车和工业应用(如牵引逆变器、车载充电器、驱动器和并网系统大功率调节器)的总系统效率。通过集成元件,这些器件可缩短检测时间以防范过流事件,同时确保系统安全关断。UCC217xx 系列利用电容隔离技术,最大限度延长绝缘栅的使用寿命,同时还提供高增强隔离等级、快速的数据速度和高密度封装。该系列使用 SiC MOSFET 可进一步提高系统优势,具体如下:

  • 增强系统性能:该器件 ±10A 的高峰值驱动强度最大限度地提高了开关性能并降低了损耗,同时 200ns 的过流检测可实现快速系统保护。
  • 增强系统级可靠性:UCC217xx 系列利用电容隔离技术和先进的增强隔离等级以及高达 12.8kV 的浪涌抗扰度,可延长绝缘栅的使用寿命。此外,这些器件可确保准确的数据通信,共模瞬态抗扰度 (CMTI) > 150V/ns
  • 减小系统尺寸:栅极驱动器可通过集成的缓冲器和传感器减少外部元件,同时通过隔离的模拟-脉宽调制传感器提供准确的温度、电流或电压感测,从而简化系统级诊断并防止开关故障。