大功率半导体选型现状

以前，硅基功率半导体开关一直是并且仍然是大功率应用设计人员的主要选择，他们通常根据电压和功率等级进行选型。图 1 根据高压应用的电压要求，展示了两种常用的硅基功率半导体：金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。

总线电压需高于 400V 的应用（例如 EV、电机驱动器和串式逆变器 [2]、[3]）需要具备 650V 以上电压等级的功率半导体开关。此外，此类应用是几千瓦到 1MW 的高功率解决方案。

目前，您可将 IGBT 用作最高 1,200V 的电力电子开关管。一些应用的电压甚至越来越高，其中电流等级和传导损耗会降低。其中一些应用的电压为 1,200V 至 1,700V，例如多相电机驱动器。