ZHCUDF4A September 2025 – November 2025
| 引脚 | 类型(1) | 说明 | |
|---|---|---|---|
| 名称 | 编号 | ||
| ENA | 1 | I |
使能引脚。强制 ENA 为低电平会禁用器件。上拉至高电平以启用正常的器件功能。建议最大值为 5.5V。可用于通过来自 VIN 的电阻分压器对输入 UVLO 进行编程。 |
| PG(PG) | 2 | O | 电源正常开漏输出引脚。当 VVIN_UVLOP ≤ VVIN ≤ VVIN_OVLOP、VVDD_UVP ≤ VFBVDD ≤ VVDD_OVP、VVEE_UVP ≤ VFBVEE ≤ VVEE_OVP、TJ_Primary ≤ TSHUT_P_R 以及 TJ_secondary ≤ TSHUT_S_R 时，保持有效状态。连接一个 0402 封装尺寸的去耦电容器以旁路高频噪声。它必须位于电源正常引脚旁边，且与 IC 位于 PCB 的同一侧。 |
| VIN | 3.4 | P | 初级输入电压。在 VIN 到 GNDP 之间连接一个 10μF 和一个并联 0.1µF 陶瓷电容器。0.1μF 陶瓷电容器用于绕过高频噪声，必须靠近 VIN 和 GNDP 引脚 |
| GNDP | 5、6、7、8 | G | VIN 的初级侧接地连接。在覆铜上放置几个过孔以进行散热。有关更多详细信息，请参阅 PCB 布局示例。 |
| COMA | 9 | G | 用于噪声敏感模拟反馈输入、FBVDD 和 FBVEE 的次级侧模拟检测基准连接。将低侧 FBVDD 反馈电阻和高频去耦滤波电容连接到靠近 COMA 引脚和各自的反馈引脚 FBVDD。连接到次级侧栅极驱动电压基准 COM。使用单点连接并将高频去耦陶瓷电容器靠近 COMA 引脚放置。 |
| COM | 10、11 | G | 次级接地。连接到电源开关的源极。 |
| VDD | 12 | P | 来自变压器的次级侧隔离式输出电压。在 VDD 到 COM 之间连接一个 10μF 和一个并联 0.1µF 陶瓷电容器。0.1μF 陶瓷电容器用于绕过高频噪声，必须靠近 VDD 和 COM 引脚。 |
| BSW | 13 | P | 内部降压/升压转换器开关管脚。在该点与 COM 之间连接一个电感器。建议使用 3.3µH 至 10µH 片式电感器。 |
| VEE | 14 | P | 负电源轨的次级侧隔离式输出电压。在 VEE 和 COM 之间连接一个 2.2µF 陶瓷电容，以绕过高频开关噪声。 |
| FBVDD | 15 | I | 反馈 (VDD – COM) 输出电压检测引脚用于调整输出 (VDD – COM) 电压。在 VDD 至 COM 之间连接一个电阻分压器，以使中点连接到 FBVDD。通过跨隔离的内部迟滞控制，将等效 FBVDD 电压调节为 2.5V。需要添加一个 470pF 陶瓷电容器，与低侧反馈电阻器并联实现高频去耦。用于高频旁路的 470pF 陶瓷电容器必须紧挨着顶层或背层（两层通过过孔连接）的 FBVDD 和 COMA 引脚。 |
| FBVEE | 16 | I | 反馈 (COM – VEE) 输出电压检测引脚用于调整输出 (COM – VEE) 电压。将一个反馈电阻器连接至 VEE 以在 2V 和 8V 之间对 (COM – VEE) 电压进行编程。在 FBVEE 和 COMA 之间连接一个 10pF 陶瓷电容，以绕过高频开关噪声。10pF 陶瓷电容器必须紧挨着顶层或背层（两层通过过孔连接）的 FBVEE 引脚。 |