ZHCUDD1 October 2025
此参考设计在三相逆变器中使用了一款小型 GaN 场效应晶体管 (FET) LMG3100R017。LMG3100R017 在 6.5mm× 4mm QFN 封装内集成了驱动器和 80V GaN FET。该封装经过优化、可实现极低的栅极环路和电源环路阻抗。PCB 为顶面冷却式 LMG3100R017 GaN-FET 电源模块及可选散热器提供了安装孔。集成的自举二极管有助于减小高侧 GaN-FET 辅助电源的空间。
该控制使用德州仪器 (TI) 的数字电源控制器 UCD3138A。UCD3138A 在一个单芯片解决方案内提供高集成度和优异的性能。UCD3138A 具有 PMBus 通信,可轻松进行固件升级和报告。该设计通过双向电流检测放大器 INA241 监测每个相位输入电流。该基准使用 TLV431 来为降压和升压运行模式实现双向电流测量。5V 辅助电源使用集成降压模块 TPSM365R6,后跟一个低压降 (LDO) 线性稳压器来生成 3.3V 电源轨。