ZHCUDD1 October   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
      1. 1.1.1 通用 TI 高压评估用户安全指南
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 GaN 功率级
      2. 2.2.2 电感器
      3. 2.2.3 控制器
      4. 2.2.4 散热器
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 LMG3100R017
      2. 2.3.2 UCD3138A
      3. 2.3.3 TPSM365R6V5
      4. 2.3.4 TMP61
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 软件要求
    3. 3.3 测试设置
    4. 3.4 测试结果
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5作者简介

2.2.1 GaN 功率级

TI 的 GaN 功率级在此尺寸竞争激烈的模块化领域中发挥着关键作用，因其集成了 FET + 驱动器，并具备更高开关频率的能力，从而减小了无源器件的尺寸。为了实现高达 1.1kW 的功率输出，并在中等负载下达到超过 97.5% 的效率，设计采用了具有 1.7mΩ RDS(on) 的两相交错并联方案。LMG3100 在同一封装中提供不同的 RDS (on) 型号，便于在不同负载和频率条件下调节效率。