ZHCUD36 EVM 用户指南 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCUD36 June 2025

3.2 规格

基于宽带隙 SiC FET 的电源模块凭借出色的导通和开关性能，代替 Si IGBT 应用于电力电子产品中。紧凑型驱动器板 UCC218XXXEVM-111 通过减少寄生效应、更大限度地降低开关损耗和 EMI 并提供全面的必要保护和诊断特性来支持 SiC 模块。

表 3-1 电气规格：UCC218002EVM-111

参数		测试条件	最小值	标称值	最大值	单位
电源电压和电流
Vcc	VCC 电源电压		4.5	5.0	5.5	V
Vdd2u、Vdd2l	VDD 电源电压	来自变压器和 LDO		15		V
Vee2u、Vee2l	VEE 电源电压	来自变压器和并联稳压器		-4		V
驱动电流
Ioh	峰值拉电流	CLOAD = 10nF		5		A
Iol	峰值灌电流	CLOAD = 10nF		5		A
输入/输出信号
Vinr、Vrstr	IN+、IN-、RST/EN 上升阈值				0.7 x VCC	V
Vinf、Vrstf	IN+、IN-、RST/EN 下降阈值		0.3 x VCC			V
Vinh、Vrsth	INL+、INU+、RST 迟滞			0.1 x VCC		V
时序参数
Trise	驱动输出上升时间	CLOAD = 1.8nF		5		ns
Tfall	驱动输出下降时间	CLOAD = 1.8nF		11		ns
Tprop	传播延迟	CLOAD = 100pF		90		ns
短路保护 - DESAT
Ichg	消隐电容器充电电流			500		uA
Tdesatleb	前沿消隐时间			225		ns
Tdesatfil	DESAT 抗尖峰脉冲滤波器			125		ns
Issd	峰值灌电流软关断峰值电流	CL = 0.18μF，fS = 1kHz		1		A
Vclmpi	米勒钳位阈值	以 VEE 为基准	1.5	2.1	2.5	V
Iclmpi	米勒钳位电流	VCLMPI = 0V，VEE = –2.5V		2.5		A
隔离
Viso	可承受的栅极驱动器隔离电压	增强型，60s		5000		Vrms
Cio	栅极驱动器的势垒电容			1.2		pF
Ta	栅极驱动器的工作环境温度		-40	25	125	°C

图 3-1 电气规格：UCC218200EVM-111

参数		测试条件	最小值	标称值	最大值	单位
电源电压和电流
Vcc	VCC 电源电压		4.5	5.0	5.5	V
Vdd2u、Vdd2l	VDD 电源电压	来自变压器和 LDO		15		V
Vee2u、Vee2l	VEE 电源电压	来自变压器和并联稳压器		-4		V
驱动电流
Ioh	峰值拉电流	CLOAD = 10nF		15		A
Iol	峰值灌电流	CLOAD = 10nF		15		A
输入/输出信号
Vinr、Vrstr	IN+、IN-、RST/EN 上升阈值				0.7 x VCC	V
Vinf、Vrstf	IN+、IN-、RST/EN 下降阈值		0.3 x VCC			V
Vinh、Vrsth	INL+、INU+、RST 迟滞			0.1 x VCC		V
时序参数
Trise	驱动输出上升时间	CLOAD = 1.8nF		5		ns
Tfall	驱动输出下降时间	CLOAD = 1.8nF		11		ns
Tprop	传播延迟	CLOAD = 100pF		90		ns
短路保护 - DESAT
Ichg	消隐电容器充电电流			500		uA
Tdesatleb	前沿消隐时间			200		ns
Tdesatfil	DESAT 抗尖峰脉冲滤波器			125		ns
Issd	峰值灌电流软关断峰值电流	CL = 0.18μF，fS = 1kHz		2.5		A
Vclmpi	米勒钳位阈值	以 VEE 为基准	1.5	2.1	2.5	V
Iclmpi	米勒钳位电流	VCLMPI = 0V，VEE = –2.5V		4		A
隔离
Viso	可承受的栅极驱动器隔离电压	增强型，60s		5000		Vrms
Cio	栅极驱动器的势垒电容			1.2		pF
Ta	栅极驱动器的工作环境温度		-40	25	125	°C