ZHCUCS0A January 2025 – July 2025
此测试的重点是验证 GaN 逆变器开关节点电压在 36V 时瞬态响应。此测试的另一个目的是验证每个 LMG3100 GaN 电源模块上本地旁路电容器的容量。C2000 MCU 经配置后,能生成三相空间矢量及与 16.6ns 死区互补 的 PWM。每相的 PWM 占空比经配置后,能驱动相应的相电流 IA,且 IB = IC = –0.5 IA。图 4-7 显示了在 LMG3100 SW 引脚上以 PGND 为基准测量的 LMG3100 开关节点电压。

图 4-8 和 图 4-9 示了上下桥臂之间 PWM 输入的死区时间。TI 建议死区时间 > 50ns。

