ZHCUCE4A May   2024  – October 2024

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   特性
  4.   应用
  5.   5
  6. 1评估模块概述
    1. 1.1 简介
    2. 1.2 套件内容
    3. 1.3 规格
      1. 1.3.1 应用电路图
    4. 1.4 器件信息
  7. 2硬件
    1. 2.1 测试装置和过程
      1. 2.1.1 EVM 连接
      2. 2.1.2 测试设备
      3. 2.1.3 建议的测试设置
        1. 2.1.3.1 输入连接
        2. 2.1.3.2 输出接头
      4. 2.1.4 测试过程
        1. 2.1.4.1 线路和负载调节,效率
  8. 3实现结果
    1. 3.1 测试数据和性能曲线
      1. 3.1.1 转换效率
      2. 3.1.2 工作波形
        1. 3.1.2.1 负载瞬态响应
        2. 3.1.2.2 线路瞬态响应
        3. 3.1.2.3 通过 VIN 启动和关断
      3. 3.1.3 CISPR 25 EMI 性能
  9. 4硬件设计文件
    1. 4.1 原理图
    2. 4.2 PCB 布局
      1. 4.2.1 元件图
    3. 4.3 物料清单
  10. 5器件和文档支持
    1. 5.1 器件支持
      1. 5.1.1 开发支持
    2. 5.2 文档支持
      1. 5.2.1 相关文档
        1. 5.2.1.1 PCB 布局资源
        2. 5.2.1.2 热设计资源
  11. 6其他信息
    1. 6.1 商标
  12. 7修订历史记录

特性

  • 5.5V 至 36V 的宽输入工作电压范围
  • 精度为 1% 的固定 5V 输出
  • 2.1MHz 开关频率,可从外部进行升高或降低 20% 的同步操作
  • VIN 为 12V 时具有 93.3% 的满载效率
  • VIN 为 12V 时具有 9.9µA 的典型控制器待机电流
  • 经过优化,可实现超低电磁干扰 (EMI)
    • 双随机展频和有源 EMI 滤波
  • 峰值电流模式控制架构可提供快速线路和负载瞬态响应
    • 与开关频率相适应的集成式斜坡补偿
    • 强制 PWM (FPWM) 或脉频调制 (PFM) 运行
    • 可选的内部或外部环路补偿
  • 集成式高侧和低侧功率 MOSFET 栅极驱动器
    • 2.2A 灌电流和 3.2A 拉电流栅极驱动电流能力
    • 20ns 自适应死区时间控制功能可降低功率耗散和 MOSFET 温升
  • 通过断续模式为持续过载情况提供过流保护 (OCP)
  • 与内部时钟存在 180° 相位差的 SYNCOUT 信号
  • 具有开漏的电源正常信号
  • 内部 3ms 软启动
  • 经全面组装、测试和验证的 PCB 布局,总面积为 83mm × 43mm