ZHCUBD6B September 2022 – November 2025
AM64x/AM243x 的内核电压可由 0.75V、0.8V 或 0.85V 电压源提供,具体取决于电源优化要求。当 SoC 内核电压 (VDD_CORE)、SoC 阵列内核电压 (VDDR_CORE) 以及其他阵列内核电压(VDDA_0P85_SERDES0_C、VDDA_0P85_SERDES0、VDDA_0P85_USB0、VDD_DLL_MMC0、VDD_MMC0)为 0.85V 时,TI 建议使用单电压源。如果要求 SoC 内核电压为 0.75V 或 0.8V,并且要求 SoC 阵列内核电压以及其他阵列内核电压为 0.85V,则需要分别采用单独的电压源来提供 SoC 内核电压和 SoC 阵列内核电压。
此 EVM 可以进行配置以为 SoC 内核电压、SOC 阵列内核电压和其他阵列内核电压提供单个电压源或不同的电压源,具体取决于相应要求。这可以通过放置电阻器来配置,如图 3-9 中所述。
图 3-9 AM64x/AM243x 内核电源和阵列内核电源选项SoC 具有多个不同的 IO 组。每个 IO 组由特定电源供电,如表 3-6 所示。
| SI 编号 | 电源 | SoC 电源轨 | IO 电源组 | 电源 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | VDDA_CORE | VDDA_0P85_SERDES0 | SERDES0 | 0.85 |
| VDDA_0P85_SERDES0_C | 0.85 | |||
| VDDA_0P85_USB0 | USB0 | 0.85 | ||
| VDD_MMC0 | MMC0 | 0.85 | ||
| 2 | SoC_DVDD3V3 | VDDS_MCU | MCU | 3.3 |
| VDDA_3P3_USB0 | USB0 | 3.3 | ||
| VDDSHV0 | 通用 | 3.3 | ||
| VDDSHV1 | PRG0 | 3.3 | ||
| VDDSHV2 | PRG1 | 3.3 | ||
| VDDSHV3 | GPMC | 3.3 | ||
| 3 | VDDA_1V8_MCU | VDDA_MCU | MCU | 1.8 |
| 4 | VDDA_MCU_ADC | VDDA_ADC | ADC0 | 1.8 |
| 5 | VDDA_1V8_SERDES | VDDA_1P8_SERDES0 | SERDES0 | 1.8 |
| 6 | VDDA_1V8_USB0 | VDDA_1P8_USB0 | USB0 | 1.8 |
| 7 | VDDA_1V8 | VDDS_OSC | OSC0 | 1.8 |
| VDDA_TEMP_0/1 | 1.8 | |||
| VDDA_PLL_0/1/2 | 1.8 | |||
| 8 | VDD_DDR4 | VDDS_DDR | DDR0 | 1.2 |
| VDDS_DDR_C | 1.2 | |||
| 9 | SOC_DVDD1V8 | VDDSHV4 | 闪存 | 1.8 |
| VDDS_MMC0 | MMC0 | 1.8 | ||
| 10 | VDDSHV_SD_IO | VDDSHV5 | MMC1 | 1.8 |