本用户指南可从 TI 网站获得，文献编号为 SBAU420。附加到文献编号的任何字母对应于撰写本文档时已有的最新文档修订版。较新的修订版可从 www.ti.com 上获得，也可从德州仪器 (TI) 文献响应中心（电话为 (800) 477-8924）或产品信息中心（电话为 (972) 644-5580）获得。订购时，可通过文档标题或文献编号识别文档。表 1-3 列出了与 EVM 相关的文档。可以通过点击表 1-3 中的链接来获取更多信息。器件名称链接至 www.ti.com 上的产品网络文件夹。文献编号链接到 PDF 文档。
表 1-3 相关文档| 文档标题 | 文档文献编号 |
|---|
| TMAG5170D-Q1 数据表 |
TMAG5170DEVM
TMAG5170DEVM
TMAG5170DEVM
TMAG5170D 评估模块摘要
TMAG5170D 评估模块摘要
目录
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商标
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概述
概述
套件内容
套件内容
德州仪器 (TI) 提供的相关文档
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硬件
硬件
特性
特性
操作
操作
快速启动设置
快速启动设置
EVM 操作
EVM 操作
设置
设置
驱动程序安装
驱动程序安装
固件
固件
固件调试
固件调试
GUI 设置和使用
GUI 设置和使用
初始设置
初始设置
GUI 操作
GUI 操作
旋转和按压演示
旋转和按压演示
优化器件角度匹配
优化器件角度匹配
直接 EVM 串行通信
直接 EVM 串行通信
原理图、PCB 布局和物料清单
原理图、PCB 布局和物料清单
原理图
原理图
PCB 布局
PCB 布局
物料清单
物料清单
重要声明和免责声明
重要声明和免责声明
TMAG5170DEVM
TMAG5170DEVM
TMAG5170D 评估模块摘要
本用户指南介绍了 TMAG5170D 评估模块 (EVM) 的特性、运行和使用情况。该 EVM 用于评估 TMAG5170D 的性能。本文档中的评估板、评估模块和 EVM 等所有术语与 TMAG5170DEVM 具有相同的含义。本文档包括原理图、参考印刷电路板 (PCB) 布局和完整的物料清单 (BOM)。
TMAG5170D 评估模块摘要
本用户指南介绍了 TMAG5170D 评估模块 (EVM) 的特性、运行和使用情况。该 EVM 用于评估 TMAG5170D 的性能。本文档中的评估板、评估模块和 EVM 等所有术语与 TMAG5170DEVM 具有相同的含义。本文档包括原理图、参考印刷电路板 (PCB) 布局和完整的物料清单 (BOM)。
本用户指南介绍了 TMAG5170D 评估模块 (EVM) 的特性、运行和使用情况。该 EVM 用于评估 TMAG5170D 的性能。本文档中的评估板、评估模块和 EVM 等所有术语与 TMAG5170DEVM 具有相同的含义。本文档包括原理图、参考印刷电路板 (PCB) 布局和完整的物料清单 (BOM)。
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商标
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概述
TMAG5170D 是一款双芯片 3 轴线性霍尔效应传感器。该器件在每块芯片的 X、Y 和 Z 轴中集成了三个独立的霍尔传感器。精密模拟信号链和集成的 12 位 ADC 对测量的模拟磁场值进行数字化。在系统校准期间可以进一步配置该器件，以选择适合磁体强度和元件放置的三个磁场范围之一。
TMAG5170D 器件概要
产品
灵敏度范围选项
TMAG5170DA2
±75mT、±150mT、±300mT
TMAG5170DA1 尚不可用，目前未安装在 EVM 上。
套件内容
#GUID-B0411AD7-6BD0-45A8-BC76-2E2807C2D60A/SBOU1099996 列出了 EVM 套件的内含物。如果缺少任何元件，请联系最近的德州仪器 (TI) 产品支持中心。
套件内容
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TMAG5170DEVM
1
3D 打印旋转和按压模块
1
手持磁铁
1
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TMAG5170D-Q1 数据表
TI-SCB 用户指南
SLAU839
TMAG5170 EVM 快速入门视频
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概述
TMAG5170D 是一款双芯片 3 轴线性霍尔效应传感器。该器件在每块芯片的 X、Y 和 Z 轴中集成了三个独立的霍尔传感器。精密模拟信号链和集成的 12 位 ADC 对测量的模拟磁场值进行数字化。在系统校准期间可以进一步配置该器件，以选择适合磁体强度和元件放置的三个磁场范围之一。
TMAG5170D 器件概要
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±75mT、±150mT、±300mT
TMAG5170DA1 尚不可用，目前未安装在 EVM 上。
TMAG5170D 是一款双芯片 3 轴线性霍尔效应传感器。该器件在每块芯片的 X、Y 和 Z 轴中集成了三个独立的霍尔传感器。精密模拟信号链和集成的 12 位 ADC 对测量的模拟磁场值进行数字化。在系统校准期间可以进一步配置该器件，以选择适合磁体强度和元件放置的三个磁场范围之一。
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±75mT、±150mT、±300mT
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TMAG5170D 是一款双芯片 3 轴线性霍尔效应传感器。该器件在每块芯片的 X、Y 和 Z 轴中集成了三个独立的霍尔传感器。精密模拟信号链和集成的 12 位 ADC 对测量的模拟磁场值进行数字化。在系统校准期间可以进一步配置该器件，以选择适合磁体强度和元件放置的三个磁场范围之一。
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±75mT、±150mT、±300mT
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±75mT、±150mT、±300mT
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TMAG5170DA2±75mT、±150mT、±300mTTMAG5170DA1 尚不可用，目前未安装在 EVM 上。
套件内容
#GUID-B0411AD7-6BD0-45A8-BC76-2E2807C2D60A/SBOU1099996 列出了 EVM 套件的内含物。如果缺少任何元件，请联系最近的德州仪器 (TI) 产品支持中心。
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1
TMAG5170DEVM1
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1
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3D 打印旋转和按压模块1
手持磁铁
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手持磁铁1
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TI-SCB 用户指南
SLAU839
TMAG5170 EVM 快速入门视频
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TI-SCB 用户指南TI-SCB
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TMAG5170 EVM 快速入门视频
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TMAG5170 EVM 快速入门视频
TMAG5170 EVM 快速入门视频
TMAG5170 EVM 快速入门视频—
硬件
该 EVM 是一个易于使用的平台，用于评估 TMAG5170D 的主要特性和性能。该 EVM 包含图形用户界面 (GUI)，用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。另外还包括一个 3D 打印旋转和按压模块，用于通过单个器件测试角度测量和按钮的常用功能。
该 EVM 旨在对这些器件的基本功能进行评估。此布局并不用作目标电路的模型，也不作为针对电磁兼容性 (EMC) 测试进行布局的模型。该 EVM 安装了两个具有不同灵敏度的 TMAG5170D，可以根据需要将其拆分为两个单独的板。可以将该 EVM 连接到 TI-SCB，但也可以根据需要用作独立器件。
特性
拆分 PCB 以评估 TMAG5170DA2 灵敏度
GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果
3D 打印旋转和按压模块
用于电源的 Micro-USB 连接器
硬件
该 EVM 是一个易于使用的平台，用于评估 TMAG5170D 的主要特性和性能。该 EVM 包含图形用户界面 (GUI)，用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。另外还包括一个 3D 打印旋转和按压模块，用于通过单个器件测试角度测量和按钮的常用功能。
该 EVM 旨在对这些器件的基本功能进行评估。此布局并不用作目标电路的模型，也不作为针对电磁兼容性 (EMC) 测试进行布局的模型。该 EVM 安装了两个具有不同灵敏度的 TMAG5170D，可以根据需要将其拆分为两个单独的板。可以将该 EVM 连接到 TI-SCB，但也可以根据需要用作独立器件。
该 EVM 是一个易于使用的平台，用于评估 TMAG5170D 的主要特性和性能。该 EVM 包含图形用户界面 (GUI)，用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。另外还包括一个 3D 打印旋转和按压模块，用于通过单个器件测试角度测量和按钮的常用功能。
该 EVM 旨在对这些器件的基本功能进行评估。此布局并不用作目标电路的模型，也不作为针对电磁兼容性 (EMC) 测试进行布局的模型。该 EVM 安装了两个具有不同灵敏度的 TMAG5170D，可以根据需要将其拆分为两个单独的板。可以将该 EVM 连接到 TI-SCB，但也可以根据需要用作独立器件。
该 EVM 是一个易于使用的平台，用于评估 TMAG5170D 的主要特性和性能。该 EVM 包含图形用户界面 (GUI)，用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。另外还包括一个 3D 打印旋转和按压模块，用于通过单个器件测试角度测量和按钮的常用功能。该 EVM 旨在对这些器件的基本功能进行评估。此布局并不用作目标电路的模型，也不作为针对电磁兼容性 (EMC) 测试进行布局的模型。该 EVM 安装了两个具有不同灵敏度的 TMAG5170D，可以根据需要将其拆分为两个单独的板。可以将该 EVM 连接到 TI-SCB，但也可以根据需要用作独立器件。TI-SCB
特性
拆分 PCB 以评估 TMAG5170DA2 灵敏度
GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果
3D 打印旋转和按压模块
用于电源的 Micro-USB 连接器
特性
拆分 PCB 以评估 TMAG5170DA2 灵敏度
GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果
3D 打印旋转和按压模块
用于电源的 Micro-USB 连接器
拆分 PCB 以评估 TMAG5170DA2 灵敏度
GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果
3D 打印旋转和按压模块
用于电源的 Micro-USB 连接器
拆分 PCB 以评估 TMAG5170DA2 灵敏度
GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果
3D 打印旋转和按压模块
用于电源的 Micro-USB 连接器
拆分 PCB 以评估 TMAG5170DA2 灵敏度
GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果
3D 打印旋转和按压模块
用于电源的 Micro-USB 连接器
拆分 PCB 以评估 TMAG5170DA2 灵敏度
拆分 PCB 以评估 TMAG5170DA2 灵敏度GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果3D 打印旋转和按压模块用于电源的 Micro-USB 连接器
操作
快速启动设置
若要设置并使用 EVM，请遵循以下步骤：
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。
将 EVM 连接到传感器控制板 (TI-SCB)（请参阅）。
使用 USB 电缆将 EVM 连接到 PC。
将 Micro-USB 电缆插入 TI-SCB 控制器板载 USB 插座 J2。
将该 USB 电缆的另一端插入 PC。
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
通过寄存器映射设置配置器件：
点击 Write Config to Both
将 DEVICE_CONFIG 寄存器中的 OPERATING_MODE 设为“主动测量模式”(0b101)
将 SENSOR_CONFIG 寄存器中的 MAG_CH_EN 设为“XYZ”(0b0111)
导航到 Plots 面板并点击 Collect Data
通过执行以下操作之一向传感器施加磁场：
在传感器周围挥动随附的手持磁体。
将旋转和按压模块连接到 EVM 以进行使用（请参阅）。有关如何使用该模块的更多详细信息，请参阅。
在 GUI 中观察输出。有关 GUI 设置和操作的更多信息，请参阅。
EVM 操作
要将 EVM 与随附的 TI-SCB 控制器配合使用，请按照 所示连接 EVM。
TI-SCB 控制器上的 EVM
可以选择将 TMAG5170DEVM 拆分为两半，即 TMAG5170DA1 和 TMAG5170DA2。要将 PCB 拆分为两半，请在 中所示的边界处弯曲 PCB。
TMAG5170DEVM 拆分边界
设置
驱动程序安装
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。每台计算机只需执行一次该步骤。解压缩文件夹并以管理员权限运行 .exe 文件。
固件
GUI 可将固件加载到 TI-SCB 中，如所述。固件更新将通过 GUI 推送（需要安装驱动程序）。下载的离线 GUI 可能会根据版本检查是否存在 GUI/固件更新。
固件调试
如果由于任何原因固件损坏或必须手动重新安装固件，请按照以下步骤重新安装固件。TMAG5170 EVM 快速入门视频中演示了这些步骤：
将 TI-SCB 控制器上的 MCU 配置为器件固件更新 (DFU) 模式。
MCU 可能已经进入 DFU 模式。如果是这样，GUI 将通知您，并在 GUI 连接到 PC 后尝试将固件更新到最新版本。
在 TI-SCB 控制器通电的情况下，可以通过以下方法之一手动进入 DFU 模式：
通过软件：
在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。
通过硬件：
确保 TI-SCB 已通过 USB 连接到 PC
在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
如果成功，LED D1 和 D2 将熄灭。
MCU 进入 DFU 模式后，通过 GUI 上传固件：
打开 File 菜单，然后选择 Program Device
将启动固件更新
GUI 重新启动后，TI-SCB 应自动连接
如果固件未能成功编程，TI 建议连接计算机上的另一 USB 端口重复以上步骤。
GUI 设置和使用
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
初始设置
首次设置 GUI 时请遵循以下步骤：
确保上述驱动程序已成功安装，以保证一切正常工作，并且 GUI 可以在必要时更新 EVM 固件。
将 EVM/TI-SCB 控制器单元插入 PC 后，转到 GUI 链接：
要通过网络浏览器启动 GUI，请点击 GUI Composer 应用程序，以打开 GUI Composer 窗口（请参阅）。
GUI Composer 应用程序窗口
首次设置 GUI Composer 时，请根据提示下载 TI Cloud Agent 和浏览器扩展（请参阅）。这些提示将在关闭 README.md 对话框后出现。
TI Cloud Agent
（可选）点击 图标（位于 GUI Composer 窗口中）下载 GUI 以供离线使用（请参阅）。
GUI 操作
若要操作 GUI，请执行以下步骤：
按照所述连接和启动 GUI。
将 EVM 连接到 GUI 后，关闭 README.md 文件页面。靠近 GUI 左下角的文本应为 Hardware Connected（请参阅）。
硬件已连接
如果 GUI 的左下角未显示 Hardware Connected，请在 Options → Serial Port 下检查不同的硬件 COM 端口（请参阅）。
更改串行端口
如果硬件仍然没有连接，请确保使用的 GUI/EVM 组合正确无误。
点击 所示的 Registers 图标（左侧的菜单中也提供了该图标），以查看寄存器映射，更改器件设置，并启用寄存器自动读取。TMAG5170D 内的每个芯片可以使用器件选择功能进行独立配置，也可以将两个传感器配置为相同的寄存器设置（如果需要）。有关寄存器或寄存器位字段的问题，请选择 图标。有关寄存器的更多问题，请查看数据表。
“Registers”页面图标
点击 Plots 图标，可查看并保存结果寄存器中的图形数据（请参阅）。左侧的菜单也提供了该图标。
“Plots”页面图标
旋转和按压演示
要使用旋转和按压演示，请执行以下步骤：
将旋转和按压模块连接到 EVM，如 所示。
EVM 上的旋转和推送模块
在 GUI 寄存器页面中：
此时，“Rotate & Push”GUI 将仅显示寄存器映射页面上所选器件的结果。
确保“DEVICE_CONFIG”→“OPERATING_MODE”显示 (TRIGGER_MODE Active)。
确保“SYSTEM_CONFIG”→“TRIGGER_MODE”设置为默认值。
在 SENSOR_CONFIG 寄存器下：
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。
对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。
可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。
在寄存器映射顶部，将 Auto Read 设置为 As fast as possible。
转到“Plots”页面中的 Rotate & Push 选项卡（请参阅）。
“Rotate & Push”GUI 页面
如果按钮 LED 没有在每个角度触发或在不应该触发时触发，请通过执行以下操作来校准该模块：
进行所需设置来运行演示后，将模块缓慢旋转 360°，并使用“Plots”页面记录 X 和 Y 通道的最小和最大磁场测量值（以 mT 为单位）的绝对值。
将 Rotate & Push 选项卡中的 Push threshold calibration 值调整至大约比上面记录的最大值大 3mT 至 5mT。
优化器件角度匹配
每个 3D 霍尔效应传感器都装配在一个芯片上，封装组件将这些芯片垂直堆叠以便在 XY 平面中实现最小偏移。应消除器件关于灵敏度增益和偏移的容差：
在两个器件上采集一个完整旋转过程的数据，为实现尽可能小的输入参考噪声，将平均值设置为 32x。设置器件以使用所需的轴来计算角度。
在每个器件上校正一个轴的增益：
查找角度测量中使用的每个轴的最大和最小数据点
如果任一通道的最大值大于另一个通道的最大值的 2 倍，则需要减弱具有较大输入的通道。否则，TI 建议放大较小输入的输出
MAG_GAIN_CONFIG 寄存器 (0h11) 中的 GAIN_VALUE 用于为所需轴选择灵敏度增益调整。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）
使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴
根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
重复步骤 1 以确认幅度匹配并开始计算偏移校正
对于每个轴，使用以下公式计算偏移：
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2
将 MAG_OFFSET_CONFIG (0h12) 中的 OFFSET_SELECTION 设置为 0b11 以便在两个轴上启用偏移校正
使用一个 7 位 2 的补码值来设置 OFFSET_VALUE1 和 OFFSET_VALUE2，以根据步骤 3a 中的最大和最小峰值数据校正输出偏移
在校正器件的灵敏度和偏移误差之后，由于封装与旋转磁体之间存在相对的机械旋转，传感器可能仍会出现一定的测量误差。最直接的对齐方法是将传感器与旋转磁体放置在同一轴上。
传感器对齐以进行角度测量
在理想的同轴放置方案中，X 和 Y 轴数据只会观察到幅度下降，而不会影响观察到的角度线性度。由于封装有机械偏移，X 轴和 Y 轴的峰值输入数据将发生变化，因此所需的幅度校正强度将变得更加显著。此外，封装旋转可能会导致其相对于磁体位置存在角度偏移，或导致观察到的 X 轴和 Y 轴输入之间存在相位误差。当每个传感元件检测到与传感元件正交的磁场并且传感器不再与旋转磁体正交时，就会发生这种情况。因此，每个传感元件会从其他两个轴中的任何一个轴检测到矢量分量的一部分。此误差可能因系统中磁体或传感器的安装方式而异。通常，在整个系统组装完成后，需要对每个传感器进行下线校准，以获得理想结果。如需了解更多信息，请参阅德州仪器 (TI) 的
实现超高系统角度传感精度 应用手册。
直接 EVM 串行通信
如果需要，您可以通过 USB 串行 (COM) 端口直接与 TI-SCB 进行通信，而无需使用 GUI。可以通过串行端口直接发送所需的命令字符串，并接收结果。这有助于通过自定义设置、脚本和 GUI 连接 EVM。要读取和写入寄存器，请使用以下格式：
选择器件格式：setdevice CMD
其中的 CMD 是作为整数值 (0-3) 发送的两位命令。
00 = 从器件 1 读取/写入
01 = 从器件 2 读取/写入
10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取
11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取
写入两个器件并从器件 1 读取的有效设置命令为：
Setdevice 0x02
在 EVM 上，可使用此命令共享 SDI 和 SDO 线路并控制 CS。MCU 可以使用两次连续写入向每个器件发送相同的写入命令，但读取数据由 MCU 单独记录。
读取寄存器格式：rreg ADR
其中 ADR 是十六进制地址，rreg 始终小写
寄存器地址可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填补寄存器地址。例如，要读取寄存器地址 0xA，某些有效的命令包括：
rreg a
rreg 0A
rreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果 {"acknowledge":"rreg 0x0A"}
{"register":{"address":10,:"value":65488}}
{"evm_state":"idle"}
写入寄存器格式：wreg ADR VAL
其中 ADR 和 VAL 采用十六进制，wreg 始终小写
寄存器地址和值可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填充寄存器地址和值。例如，要向寄存器地址 0x1 写入值 0x01c0，某些有效的命令包括：
wreg 1 1c0
wreg 01 0x1c0
wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果： {"acknowledge":"wreg 0x01 0x01C0"}
{"console":"Writing 0x1c0 to SENSOR_CONFIG register"}
{"evm_state":"idle"}
操作
快速启动设置
若要设置并使用 EVM，请遵循以下步骤：
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。
将 EVM 连接到传感器控制板 (TI-SCB)（请参阅）。
使用 USB 电缆将 EVM 连接到 PC。
将 Micro-USB 电缆插入 TI-SCB 控制器板载 USB 插座 J2。
将该 USB 电缆的另一端插入 PC。
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
通过寄存器映射设置配置器件：
点击 Write Config to Both
将 DEVICE_CONFIG 寄存器中的 OPERATING_MODE 设为“主动测量模式”(0b101)
将 SENSOR_CONFIG 寄存器中的 MAG_CH_EN 设为“XYZ”(0b0111)
导航到 Plots 面板并点击 Collect Data
通过执行以下操作之一向传感器施加磁场：
在传感器周围挥动随附的手持磁体。
将旋转和按压模块连接到 EVM 以进行使用（请参阅）。有关如何使用该模块的更多详细信息，请参阅。
在 GUI 中观察输出。有关 GUI 设置和操作的更多信息，请参阅。
快速启动设置
若要设置并使用 EVM，请遵循以下步骤：
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。
将 EVM 连接到传感器控制板 (TI-SCB)（请参阅）。
使用 USB 电缆将 EVM 连接到 PC。
将 Micro-USB 电缆插入 TI-SCB 控制器板载 USB 插座 J2。
将该 USB 电缆的另一端插入 PC。
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
通过寄存器映射设置配置器件：
点击 Write Config to Both
将 DEVICE_CONFIG 寄存器中的 OPERATING_MODE 设为“主动测量模式”(0b101)
将 SENSOR_CONFIG 寄存器中的 MAG_CH_EN 设为“XYZ”(0b0111)
导航到 Plots 面板并点击 Collect Data
通过执行以下操作之一向传感器施加磁场：
在传感器周围挥动随附的手持磁体。
将旋转和按压模块连接到 EVM 以进行使用（请参阅）。有关如何使用该模块的更多详细信息，请参阅。
在 GUI 中观察输出。有关 GUI 设置和操作的更多信息，请参阅。
若要设置并使用 EVM，请遵循以下步骤：
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。
将 EVM 连接到传感器控制板 (TI-SCB)（请参阅）。
使用 USB 电缆将 EVM 连接到 PC。
将 Micro-USB 电缆插入 TI-SCB 控制器板载 USB 插座 J2。
将该 USB 电缆的另一端插入 PC。
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
通过寄存器映射设置配置器件：
点击 Write Config to Both
将 DEVICE_CONFIG 寄存器中的 OPERATING_MODE 设为“主动测量模式”(0b101)
将 SENSOR_CONFIG 寄存器中的 MAG_CH_EN 设为“XYZ”(0b0111)
导航到 Plots 面板并点击 Collect Data
通过执行以下操作之一向传感器施加磁场：
在传感器周围挥动随附的手持磁体。
将旋转和按压模块连接到 EVM 以进行使用（请参阅）。有关如何使用该模块的更多详细信息，请参阅。
在 GUI 中观察输出。有关 GUI 设置和操作的更多信息，请参阅。
若要设置并使用 EVM，请遵循以下步骤：
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。
将 EVM 连接到传感器控制板 (TI-SCB)（请参阅）。
使用 USB 电缆将 EVM 连接到 PC。
将 Micro-USB 电缆插入 TI-SCB 控制器板载 USB 插座 J2。
将该 USB 电缆的另一端插入 PC。
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
通过寄存器映射设置配置器件：
点击 Write Config to Both
将 DEVICE_CONFIG 寄存器中的 OPERATING_MODE 设为“主动测量模式”(0b101)
将 SENSOR_CONFIG 寄存器中的 MAG_CH_EN 设为“XYZ”(0b0111)
导航到 Plots 面板并点击 Collect Data
通过执行以下操作之一向传感器施加磁场：
在传感器周围挥动随附的手持磁体。
将旋转和按压模块连接到 EVM 以进行使用（请参阅）。有关如何使用该模块的更多详细信息，请参阅。
在 GUI 中观察输出。有关 GUI 设置和操作的更多信息，请参阅。
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。Windowshttp://www.ti.com/lit/zip/sbac253将 EVM 连接到传感器控制板 (TI-SCB)（请参阅）。使用 USB 电缆将 EVM 连接到 PC。
将 Micro-USB 电缆插入 TI-SCB 控制器板载 USB 插座 J2。
将该 USB 电缆的另一端插入 PC。
将 Micro-USB 电缆插入 TI-SCB 控制器板载 USB 插座 J2。
将该 USB 电缆的另一端插入 PC。
将 Micro-USB 电缆插入 TI-SCB 控制器板载 USB 插座 J2。将该 USB 电缆的另一端插入 PC。在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
FirefoxGoogle Chrome
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D通过寄存器映射设置配置器件：
点击 Write Config to Both
将 DEVICE_CONFIG 寄存器中的 OPERATING_MODE 设为“主动测量模式”(0b101)
将 SENSOR_CONFIG 寄存器中的 MAG_CH_EN 设为“XYZ”(0b0111)
点击 Write Config to Both
将 DEVICE_CONFIG 寄存器中的 OPERATING_MODE 设为“主动测量模式”(0b101)
将 SENSOR_CONFIG 寄存器中的 MAG_CH_EN 设为“XYZ”(0b0111)
点击 Write Config to Both
Write Config to Both将 DEVICE_CONFIG 寄存器中的 OPERATING_MODE 设为“主动测量模式”(0b101)将 SENSOR_CONFIG 寄存器中的 MAG_CH_EN 设为“XYZ”(0b0111)导航到 Plots 面板并点击 Collect Data
PlotsCollect Data通过执行以下操作之一向传感器施加磁场：
在传感器周围挥动随附的手持磁体。
将旋转和按压模块连接到 EVM 以进行使用（请参阅）。有关如何使用该模块的更多详细信息，请参阅。
在传感器周围挥动随附的手持磁体。
将旋转和按压模块连接到 EVM 以进行使用（请参阅）。有关如何使用该模块的更多详细信息，请参阅。
在传感器周围挥动随附的手持磁体。将旋转和按压模块连接到 EVM 以进行使用（请参阅）。有关如何使用该模块的更多详细信息，请参阅。在 GUI 中观察输出。有关 GUI 设置和操作的更多信息，请参阅。
EVM 操作
要将 EVM 与随附的 TI-SCB 控制器配合使用，请按照 所示连接 EVM。
TI-SCB 控制器上的 EVM
可以选择将 TMAG5170DEVM 拆分为两半，即 TMAG5170DA1 和 TMAG5170DA2。要将 PCB 拆分为两半，请在 中所示的边界处弯曲 PCB。
TMAG5170DEVM 拆分边界
设置
驱动程序安装
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。每台计算机只需执行一次该步骤。解压缩文件夹并以管理员权限运行 .exe 文件。
固件
GUI 可将固件加载到 TI-SCB 中，如所述。固件更新将通过 GUI 推送（需要安装驱动程序）。下载的离线 GUI 可能会根据版本检查是否存在 GUI/固件更新。
固件调试
如果由于任何原因固件损坏或必须手动重新安装固件，请按照以下步骤重新安装固件。TMAG5170 EVM 快速入门视频中演示了这些步骤：
将 TI-SCB 控制器上的 MCU 配置为器件固件更新 (DFU) 模式。
MCU 可能已经进入 DFU 模式。如果是这样，GUI 将通知您，并在 GUI 连接到 PC 后尝试将固件更新到最新版本。
在 TI-SCB 控制器通电的情况下，可以通过以下方法之一手动进入 DFU 模式：
通过软件：
在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。
通过硬件：
确保 TI-SCB 已通过 USB 连接到 PC
在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
如果成功，LED D1 和 D2 将熄灭。
MCU 进入 DFU 模式后，通过 GUI 上传固件：
打开 File 菜单，然后选择 Program Device
将启动固件更新
GUI 重新启动后，TI-SCB 应自动连接
如果固件未能成功编程，TI 建议连接计算机上的另一 USB 端口重复以上步骤。
GUI 设置和使用
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
初始设置
首次设置 GUI 时请遵循以下步骤：
确保上述驱动程序已成功安装，以保证一切正常工作，并且 GUI 可以在必要时更新 EVM 固件。
将 EVM/TI-SCB 控制器单元插入 PC 后，转到 GUI 链接：
要通过网络浏览器启动 GUI，请点击 GUI Composer 应用程序，以打开 GUI Composer 窗口（请参阅）。
GUI Composer 应用程序窗口
首次设置 GUI Composer 时，请根据提示下载 TI Cloud Agent 和浏览器扩展（请参阅）。这些提示将在关闭 README.md 对话框后出现。
TI Cloud Agent
（可选）点击 图标（位于 GUI Composer 窗口中）下载 GUI 以供离线使用（请参阅）。
GUI 操作
若要操作 GUI，请执行以下步骤：
按照所述连接和启动 GUI。
将 EVM 连接到 GUI 后，关闭 README.md 文件页面。靠近 GUI 左下角的文本应为 Hardware Connected（请参阅）。
硬件已连接
如果 GUI 的左下角未显示 Hardware Connected，请在 Options → Serial Port 下检查不同的硬件 COM 端口（请参阅）。
更改串行端口
如果硬件仍然没有连接，请确保使用的 GUI/EVM 组合正确无误。
点击 所示的 Registers 图标（左侧的菜单中也提供了该图标），以查看寄存器映射，更改器件设置，并启用寄存器自动读取。TMAG5170D 内的每个芯片可以使用器件选择功能进行独立配置，也可以将两个传感器配置为相同的寄存器设置（如果需要）。有关寄存器或寄存器位字段的问题，请选择 图标。有关寄存器的更多问题，请查看数据表。
“Registers”页面图标
点击 Plots 图标，可查看并保存结果寄存器中的图形数据（请参阅）。左侧的菜单也提供了该图标。
“Plots”页面图标
旋转和按压演示
要使用旋转和按压演示，请执行以下步骤：
将旋转和按压模块连接到 EVM，如 所示。
EVM 上的旋转和推送模块
在 GUI 寄存器页面中：
此时，“Rotate & Push”GUI 将仅显示寄存器映射页面上所选器件的结果。
确保“DEVICE_CONFIG”→“OPERATING_MODE”显示 (TRIGGER_MODE Active)。
确保“SYSTEM_CONFIG”→“TRIGGER_MODE”设置为默认值。
在 SENSOR_CONFIG 寄存器下：
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。
对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。
可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。
在寄存器映射顶部，将 Auto Read 设置为 As fast as possible。
转到“Plots”页面中的 Rotate & Push 选项卡（请参阅）。
“Rotate & Push”GUI 页面
如果按钮 LED 没有在每个角度触发或在不应该触发时触发，请通过执行以下操作来校准该模块：
进行所需设置来运行演示后，将模块缓慢旋转 360°，并使用“Plots”页面记录 X 和 Y 通道的最小和最大磁场测量值（以 mT 为单位）的绝对值。
将 Rotate & Push 选项卡中的 Push threshold calibration 值调整至大约比上面记录的最大值大 3mT 至 5mT。
优化器件角度匹配
每个 3D 霍尔效应传感器都装配在一个芯片上，封装组件将这些芯片垂直堆叠以便在 XY 平面中实现最小偏移。应消除器件关于灵敏度增益和偏移的容差：
在两个器件上采集一个完整旋转过程的数据，为实现尽可能小的输入参考噪声，将平均值设置为 32x。设置器件以使用所需的轴来计算角度。
在每个器件上校正一个轴的增益：
查找角度测量中使用的每个轴的最大和最小数据点
如果任一通道的最大值大于另一个通道的最大值的 2 倍，则需要减弱具有较大输入的通道。否则，TI 建议放大较小输入的输出
MAG_GAIN_CONFIG 寄存器 (0h11) 中的 GAIN_VALUE 用于为所需轴选择灵敏度增益调整。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）
使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴
根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
重复步骤 1 以确认幅度匹配并开始计算偏移校正
对于每个轴，使用以下公式计算偏移：
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2
将 MAG_OFFSET_CONFIG (0h12) 中的 OFFSET_SELECTION 设置为 0b11 以便在两个轴上启用偏移校正
使用一个 7 位 2 的补码值来设置 OFFSET_VALUE1 和 OFFSET_VALUE2，以根据步骤 3a 中的最大和最小峰值数据校正输出偏移
在校正器件的灵敏度和偏移误差之后，由于封装与旋转磁体之间存在相对的机械旋转，传感器可能仍会出现一定的测量误差。最直接的对齐方法是将传感器与旋转磁体放置在同一轴上。
传感器对齐以进行角度测量
在理想的同轴放置方案中，X 和 Y 轴数据只会观察到幅度下降，而不会影响观察到的角度线性度。由于封装有机械偏移，X 轴和 Y 轴的峰值输入数据将发生变化，因此所需的幅度校正强度将变得更加显著。此外，封装旋转可能会导致其相对于磁体位置存在角度偏移，或导致观察到的 X 轴和 Y 轴输入之间存在相位误差。当每个传感元件检测到与传感元件正交的磁场并且传感器不再与旋转磁体正交时，就会发生这种情况。因此，每个传感元件会从其他两个轴中的任何一个轴检测到矢量分量的一部分。此误差可能因系统中磁体或传感器的安装方式而异。通常，在整个系统组装完成后，需要对每个传感器进行下线校准，以获得理想结果。如需了解更多信息，请参阅德州仪器 (TI) 的
实现超高系统角度传感精度 应用手册。
直接 EVM 串行通信
如果需要，您可以通过 USB 串行 (COM) 端口直接与 TI-SCB 进行通信，而无需使用 GUI。可以通过串行端口直接发送所需的命令字符串，并接收结果。这有助于通过自定义设置、脚本和 GUI 连接 EVM。要读取和写入寄存器，请使用以下格式：
选择器件格式：setdevice CMD
其中的 CMD 是作为整数值 (0-3) 发送的两位命令。
00 = 从器件 1 读取/写入
01 = 从器件 2 读取/写入
10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取
11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取
写入两个器件并从器件 1 读取的有效设置命令为：
Setdevice 0x02
在 EVM 上，可使用此命令共享 SDI 和 SDO 线路并控制 CS。MCU 可以使用两次连续写入向每个器件发送相同的写入命令，但读取数据由 MCU 单独记录。
读取寄存器格式：rreg ADR
其中 ADR 是十六进制地址，rreg 始终小写
寄存器地址可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填补寄存器地址。例如，要读取寄存器地址 0xA，某些有效的命令包括：
rreg a
rreg 0A
rreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果 {"acknowledge":"rreg 0x0A"}
{"register":{"address":10,:"value":65488}}
{"evm_state":"idle"}
写入寄存器格式：wreg ADR VAL
其中 ADR 和 VAL 采用十六进制，wreg 始终小写
寄存器地址和值可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填充寄存器地址和值。例如，要向寄存器地址 0x1 写入值 0x01c0，某些有效的命令包括：
wreg 1 1c0
wreg 01 0x1c0
wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果： {"acknowledge":"wreg 0x01 0x01C0"}
{"console":"Writing 0x1c0 to SENSOR_CONFIG register"}
{"evm_state":"idle"}
EVM 操作
要将 EVM 与随附的 TI-SCB 控制器配合使用，请按照 所示连接 EVM。
TI-SCB 控制器上的 EVM
可以选择将 TMAG5170DEVM 拆分为两半，即 TMAG5170DA1 和 TMAG5170DA2。要将 PCB 拆分为两半，请在 中所示的边界处弯曲 PCB。
TMAG5170DEVM 拆分边界
要将 EVM 与随附的 TI-SCB 控制器配合使用，请按照 所示连接 EVM。
TI-SCB 控制器上的 EVM
可以选择将 TMAG5170DEVM 拆分为两半，即 TMAG5170DA1 和 TMAG5170DA2。要将 PCB 拆分为两半，请在 中所示的边界处弯曲 PCB。
TMAG5170DEVM 拆分边界
要将 EVM 与随附的 TI-SCB 控制器配合使用，请按照 所示连接 EVM。
TI-SCB 控制器上的 EVM
TI-SCB 控制器上的 EVM可以选择将 TMAG5170DEVM 拆分为两半，即 TMAG5170DA1 和 TMAG5170DA2。要将 PCB 拆分为两半，请在 中所示的边界处弯曲 PCB。
TMAG5170DEVM 拆分边界
TMAG5170DEVM 拆分边界
设置
驱动程序安装
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。每台计算机只需执行一次该步骤。解压缩文件夹并以管理员权限运行 .exe 文件。
固件
GUI 可将固件加载到 TI-SCB 中，如所述。固件更新将通过 GUI 推送（需要安装驱动程序）。下载的离线 GUI 可能会根据版本检查是否存在 GUI/固件更新。
固件调试
如果由于任何原因固件损坏或必须手动重新安装固件，请按照以下步骤重新安装固件。TMAG5170 EVM 快速入门视频中演示了这些步骤：
将 TI-SCB 控制器上的 MCU 配置为器件固件更新 (DFU) 模式。
MCU 可能已经进入 DFU 模式。如果是这样，GUI 将通知您，并在 GUI 连接到 PC 后尝试将固件更新到最新版本。
在 TI-SCB 控制器通电的情况下，可以通过以下方法之一手动进入 DFU 模式：
通过软件：
在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。
通过硬件：
确保 TI-SCB 已通过 USB 连接到 PC
在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
如果成功，LED D1 和 D2 将熄灭。
MCU 进入 DFU 模式后，通过 GUI 上传固件：
打开 File 菜单，然后选择 Program Device
将启动固件更新
GUI 重新启动后，TI-SCB 应自动连接
如果固件未能成功编程，TI 建议连接计算机上的另一 USB 端口重复以上步骤。
GUI 设置和使用
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
初始设置
首次设置 GUI 时请遵循以下步骤：
确保上述驱动程序已成功安装，以保证一切正常工作，并且 GUI 可以在必要时更新 EVM 固件。
将 EVM/TI-SCB 控制器单元插入 PC 后，转到 GUI 链接：
要通过网络浏览器启动 GUI，请点击 GUI Composer 应用程序，以打开 GUI Composer 窗口（请参阅）。
GUI Composer 应用程序窗口
首次设置 GUI Composer 时，请根据提示下载 TI Cloud Agent 和浏览器扩展（请参阅）。这些提示将在关闭 README.md 对话框后出现。
TI Cloud Agent
（可选）点击 图标（位于 GUI Composer 窗口中）下载 GUI 以供离线使用（请参阅）。
GUI 操作
若要操作 GUI，请执行以下步骤：
按照所述连接和启动 GUI。
将 EVM 连接到 GUI 后，关闭 README.md 文件页面。靠近 GUI 左下角的文本应为 Hardware Connected（请参阅）。
硬件已连接
如果 GUI 的左下角未显示 Hardware Connected，请在 Options → Serial Port 下检查不同的硬件 COM 端口（请参阅）。
更改串行端口
如果硬件仍然没有连接，请确保使用的 GUI/EVM 组合正确无误。
点击 所示的 Registers 图标（左侧的菜单中也提供了该图标），以查看寄存器映射，更改器件设置，并启用寄存器自动读取。TMAG5170D 内的每个芯片可以使用器件选择功能进行独立配置，也可以将两个传感器配置为相同的寄存器设置（如果需要）。有关寄存器或寄存器位字段的问题，请选择 图标。有关寄存器的更多问题，请查看数据表。
“Registers”页面图标
点击 Plots 图标，可查看并保存结果寄存器中的图形数据（请参阅）。左侧的菜单也提供了该图标。
“Plots”页面图标
设置
驱动程序安装
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。每台计算机只需执行一次该步骤。解压缩文件夹并以管理员权限运行 .exe 文件。
驱动程序安装
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。每台计算机只需执行一次该步骤。解压缩文件夹并以管理员权限运行 .exe 文件。
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。每台计算机只需执行一次该步骤。解压缩文件夹并以管理员权限运行 .exe 文件。
下载并安装 PAMB Windows USB 驱动程序：http://www.ti.com/lit/zip/sbac253。每台计算机只需执行一次该步骤。解压缩文件夹并以管理员权限运行 .exe 文件。http://www.ti.com/lit/zip/sbac253
固件
GUI 可将固件加载到 TI-SCB 中，如所述。固件更新将通过 GUI 推送（需要安装驱动程序）。下载的离线 GUI 可能会根据版本检查是否存在 GUI/固件更新。
固件调试
如果由于任何原因固件损坏或必须手动重新安装固件，请按照以下步骤重新安装固件。TMAG5170 EVM 快速入门视频中演示了这些步骤：
将 TI-SCB 控制器上的 MCU 配置为器件固件更新 (DFU) 模式。
MCU 可能已经进入 DFU 模式。如果是这样，GUI 将通知您，并在 GUI 连接到 PC 后尝试将固件更新到最新版本。
在 TI-SCB 控制器通电的情况下，可以通过以下方法之一手动进入 DFU 模式：
通过软件：
在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。
通过硬件：
确保 TI-SCB 已通过 USB 连接到 PC
在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
如果成功，LED D1 和 D2 将熄灭。
MCU 进入 DFU 模式后，通过 GUI 上传固件：
打开 File 菜单，然后选择 Program Device
将启动固件更新
GUI 重新启动后，TI-SCB 应自动连接
如果固件未能成功编程，TI 建议连接计算机上的另一 USB 端口重复以上步骤。
固件
GUI 可将固件加载到 TI-SCB 中，如所述。固件更新将通过 GUI 推送（需要安装驱动程序）。下载的离线 GUI 可能会根据版本检查是否存在 GUI/固件更新。
GUI 可将固件加载到 TI-SCB 中，如所述。固件更新将通过 GUI 推送（需要安装驱动程序）。下载的离线 GUI 可能会根据版本检查是否存在 GUI/固件更新。
GUI 可将固件加载到 TI-SCB 中，如所述。固件更新将通过 GUI 推送（需要安装驱动程序）。下载的离线 GUI 可能会根据版本检查是否存在 GUI/固件更新。
固件调试
如果由于任何原因固件损坏或必须手动重新安装固件，请按照以下步骤重新安装固件。TMAG5170 EVM 快速入门视频中演示了这些步骤：
将 TI-SCB 控制器上的 MCU 配置为器件固件更新 (DFU) 模式。
MCU 可能已经进入 DFU 模式。如果是这样，GUI 将通知您，并在 GUI 连接到 PC 后尝试将固件更新到最新版本。
在 TI-SCB 控制器通电的情况下，可以通过以下方法之一手动进入 DFU 模式：
通过软件：
在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。
通过硬件：
确保 TI-SCB 已通过 USB 连接到 PC
在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
如果成功，LED D1 和 D2 将熄灭。
MCU 进入 DFU 模式后，通过 GUI 上传固件：
打开 File 菜单，然后选择 Program Device
将启动固件更新
GUI 重新启动后，TI-SCB 应自动连接
如果固件未能成功编程，TI 建议连接计算机上的另一 USB 端口重复以上步骤。
固件调试
如果由于任何原因固件损坏或必须手动重新安装固件，请按照以下步骤重新安装固件。TMAG5170 EVM 快速入门视频中演示了这些步骤：
将 TI-SCB 控制器上的 MCU 配置为器件固件更新 (DFU) 模式。
MCU 可能已经进入 DFU 模式。如果是这样，GUI 将通知您，并在 GUI 连接到 PC 后尝试将固件更新到最新版本。
在 TI-SCB 控制器通电的情况下，可以通过以下方法之一手动进入 DFU 模式：
通过软件：
在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。
通过硬件：
确保 TI-SCB 已通过 USB 连接到 PC
在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
如果成功，LED D1 和 D2 将熄灭。
MCU 进入 DFU 模式后，通过 GUI 上传固件：
打开 File 菜单，然后选择 Program Device
将启动固件更新
GUI 重新启动后，TI-SCB 应自动连接
如果固件未能成功编程，TI 建议连接计算机上的另一 USB 端口重复以上步骤。
如果由于任何原因固件损坏或必须手动重新安装固件，请按照以下步骤重新安装固件。TMAG5170 EVM 快速入门视频中演示了这些步骤：
将 TI-SCB 控制器上的 MCU 配置为器件固件更新 (DFU) 模式。
MCU 可能已经进入 DFU 模式。如果是这样，GUI 将通知您，并在 GUI 连接到 PC 后尝试将固件更新到最新版本。
在 TI-SCB 控制器通电的情况下，可以通过以下方法之一手动进入 DFU 模式：
通过软件：
在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。
通过硬件：
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在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
如果成功，LED D1 和 D2 将熄灭。
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打开 File 菜单，然后选择 Program Device
将启动固件更新
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如果由于任何原因固件损坏或必须手动重新安装固件，请按照以下步骤重新安装固件。TMAG5170 EVM 快速入门视频中演示了这些步骤：
将 TI-SCB 控制器上的 MCU 配置为器件固件更新 (DFU) 模式。
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在 TI-SCB 控制器通电的情况下，可以通过以下方法之一手动进入 DFU 模式：
通过软件：
在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。
通过硬件：
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在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
如果成功，LED D1 和 D2 将熄灭。
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TMAG5170 EVM 快速入门视频
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在 TI-SCB 控制器通电的情况下，可以通过以下方法之一手动进入 DFU 模式：
通过软件：
在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。
通过硬件：
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在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
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打开 File 菜单，然后选择 Program Device
将启动固件更新
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如果固件未能成功编程，TI 建议连接计算机上的另一 USB 端口重复以上步骤。
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在 TI-SCB 控制器通电的情况下，可以通过以下方法之一手动进入 DFU 模式：
通过软件：
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通过硬件：
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用于手动进入 DFU 模式的测试点
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用于手动进入 DFU 模式的测试点
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在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
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在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
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在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。
在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。
在 TI-SCB 的 USB 串行 (COM) 端口上发送命令“bsl”。通过硬件：
确保 TI-SCB 已通过 USB 连接到 PC
在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
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用于手动进入 DFU 模式的测试点
确保 TI-SCB 已通过 USB 连接到 PC在按下 RESET 按钮的同时，用一把镊子（或一根导线）将接头引脚的 PK1 和 PK2 附近的两个测试点（请参阅）短路。
用于手动进入 DFU 模式的测试点
用于手动进入 DFU 模式的测试点
用于手动进入 DFU 模式的测试点如果成功，LED D1 和 D2 将熄灭。MCU 进入 DFU 模式后，通过 GUI 上传固件：
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如果固件未能成功编程，TI 建议连接计算机上的另一 USB 端口重复以上步骤。
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FileProgram Device将启动固件更新GUI 重新启动后，TI-SCB 应自动连接
GUI 设置和使用
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
初始设置
首次设置 GUI 时请遵循以下步骤：
确保上述驱动程序已成功安装，以保证一切正常工作，并且 GUI 可以在必要时更新 EVM 固件。
将 EVM/TI-SCB 控制器单元插入 PC 后，转到 GUI 链接：
要通过网络浏览器启动 GUI，请点击 GUI Composer 应用程序，以打开 GUI Composer 窗口（请参阅）。
GUI Composer 应用程序窗口
首次设置 GUI Composer 时，请根据提示下载 TI Cloud Agent 和浏览器扩展（请参阅）。这些提示将在关闭 README.md 对话框后出现。
TI Cloud Agent
（可选）点击 图标（位于 GUI Composer 窗口中）下载 GUI 以供离线使用（请参阅）。
GUI 操作
若要操作 GUI，请执行以下步骤：
按照所述连接和启动 GUI。
将 EVM 连接到 GUI 后，关闭 README.md 文件页面。靠近 GUI 左下角的文本应为 Hardware Connected（请参阅）。
硬件已连接
如果 GUI 的左下角未显示 Hardware Connected，请在 Options → Serial Port 下检查不同的硬件 COM 端口（请参阅）。
更改串行端口
如果硬件仍然没有连接，请确保使用的 GUI/EVM 组合正确无误。
点击 所示的 Registers 图标（左侧的菜单中也提供了该图标），以查看寄存器映射，更改器件设置，并启用寄存器自动读取。TMAG5170D 内的每个芯片可以使用器件选择功能进行独立配置，也可以将两个传感器配置为相同的寄存器设置（如果需要）。有关寄存器或寄存器位字段的问题，请选择 图标。有关寄存器的更多问题，请查看数据表。
“Registers”页面图标
点击 Plots 图标，可查看并保存结果寄存器中的图形数据（请参阅）。左侧的菜单也提供了该图标。
“Plots”页面图标
GUI 设置和使用
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
在 Firefox 或 Google Chrome 浏览器中通过以下链接访问 GUI：
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TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
TMAG5170DEVM GUI：https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
https://dev.ti.com/gallery/search/TMAG5170D
初始设置
首次设置 GUI 时请遵循以下步骤：
确保上述驱动程序已成功安装，以保证一切正常工作，并且 GUI 可以在必要时更新 EVM 固件。
将 EVM/TI-SCB 控制器单元插入 PC 后，转到 GUI 链接：
要通过网络浏览器启动 GUI，请点击 GUI Composer 应用程序，以打开 GUI Composer 窗口（请参阅）。
GUI Composer 应用程序窗口
首次设置 GUI Composer 时，请根据提示下载 TI Cloud Agent 和浏览器扩展（请参阅）。这些提示将在关闭 README.md 对话框后出现。
TI Cloud Agent
（可选）点击 图标（位于 GUI Composer 窗口中）下载 GUI 以供离线使用（请参阅）。
初始设置
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首次设置 GUI Composer 时，请根据提示下载 TI Cloud Agent 和浏览器扩展（请参阅）。这些提示将在关闭 README.md 对话框后出现。
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（可选）点击 图标（位于 GUI Composer 窗口中）下载 GUI 以供离线使用（请参阅）。
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要通过网络浏览器启动 GUI，请点击 GUI Composer 应用程序，以打开 GUI Composer 窗口（请参阅）。
GUI Composer 应用程序窗口
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TI Cloud Agent
（可选）点击 图标（位于 GUI Composer 窗口中）下载 GUI 以供离线使用（请参阅）。
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GUI Composer 应用程序窗口
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TI Cloud Agent
（可选）点击 图标（位于 GUI Composer 窗口中）下载 GUI 以供离线使用（请参阅）。
确保上述驱动程序已成功安装，以保证一切正常工作，并且 GUI 可以在必要时更新 EVM 固件。
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要通过网络浏览器启动 GUI，请点击 GUI Composer 应用程序，以打开 GUI Composer 窗口（请参阅）。
GUI Composer 应用程序窗口
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确保上述驱动程序已成功安装，以保证一切正常工作，并且 GUI 可以在必要时更新 EVM 固件。将 EVM/TI-SCB 控制器单元插入 PC 后，转到 GUI 链接：
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GUI Composer 应用程序窗口
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TI Cloud Agent
GUI ComposerGUI Composer
GUI Composer 应用程序窗口
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TI Cloud Agent
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TI Cloud Agent
TI Cloud Agent
TI Cloud Agent
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GUI 操作
若要操作 GUI，请执行以下步骤：
按照所述连接和启动 GUI。
将 EVM 连接到 GUI 后，关闭 README.md 文件页面。靠近 GUI 左下角的文本应为 Hardware Connected（请参阅）。
硬件已连接
如果 GUI 的左下角未显示 Hardware Connected，请在 Options → Serial Port 下检查不同的硬件 COM 端口（请参阅）。
更改串行端口
如果硬件仍然没有连接，请确保使用的 GUI/EVM 组合正确无误。
点击 所示的 Registers 图标（左侧的菜单中也提供了该图标），以查看寄存器映射，更改器件设置，并启用寄存器自动读取。TMAG5170D 内的每个芯片可以使用器件选择功能进行独立配置，也可以将两个传感器配置为相同的寄存器设置（如果需要）。有关寄存器或寄存器位字段的问题，请选择 图标。有关寄存器的更多问题，请查看数据表。
“Registers”页面图标
点击 Plots 图标，可查看并保存结果寄存器中的图形数据（请参阅）。左侧的菜单也提供了该图标。
“Plots”页面图标
GUI 操作
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硬件已连接
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更改串行端口
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“Registers”页面图标
点击 Plots 图标，可查看并保存结果寄存器中的图形数据（请参阅）。左侧的菜单也提供了该图标。
“Plots”页面图标
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硬件已连接
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更改串行端口
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点击 所示的 Registers 图标（左侧的菜单中也提供了该图标），以查看寄存器映射，更改器件设置，并启用寄存器自动读取。TMAG5170D 内的每个芯片可以使用器件选择功能进行独立配置，也可以将两个传感器配置为相同的寄存器设置（如果需要）。有关寄存器或寄存器位字段的问题，请选择 图标。有关寄存器的更多问题，请查看数据表。
“Registers”页面图标
点击 Plots 图标，可查看并保存结果寄存器中的图形数据（请参阅）。左侧的菜单也提供了该图标。
“Plots”页面图标
若要操作 GUI，请执行以下步骤：
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硬件已连接
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更改串行端口
如果硬件仍然没有连接，请确保使用的 GUI/EVM 组合正确无误。
点击 所示的 Registers 图标（左侧的菜单中也提供了该图标），以查看寄存器映射，更改器件设置，并启用寄存器自动读取。TMAG5170D 内的每个芯片可以使用器件选择功能进行独立配置，也可以将两个传感器配置为相同的寄存器设置（如果需要）。有关寄存器或寄存器位字段的问题，请选择 图标。有关寄存器的更多问题，请查看数据表。
“Registers”页面图标
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硬件已连接
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更改串行端口
如果硬件仍然没有连接，请确保使用的 GUI/EVM 组合正确无误。
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“Registers”页面图标
Registers
“Registers”页面图标
“Registers”页面图标点击 Plots 图标，可查看并保存结果寄存器中的图形数据（请参阅）。左侧的菜单也提供了该图标。
“Plots”页面图标
Plots
“Plots”页面图标
“Plots”页面图标
旋转和按压演示
要使用旋转和按压演示，请执行以下步骤：
将旋转和按压模块连接到 EVM，如 所示。
EVM 上的旋转和推送模块
在 GUI 寄存器页面中：
此时，“Rotate & Push”GUI 将仅显示寄存器映射页面上所选器件的结果。
确保“DEVICE_CONFIG”→“OPERATING_MODE”显示 (TRIGGER_MODE Active)。
确保“SYSTEM_CONFIG”→“TRIGGER_MODE”设置为默认值。
在 SENSOR_CONFIG 寄存器下：
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。
对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。
可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。
在寄存器映射顶部，将 Auto Read 设置为 As fast as possible。
转到“Plots”页面中的 Rotate & Push 选项卡（请参阅）。
“Rotate & Push”GUI 页面
如果按钮 LED 没有在每个角度触发或在不应该触发时触发，请通过执行以下操作来校准该模块：
进行所需设置来运行演示后，将模块缓慢旋转 360°，并使用“Plots”页面记录 X 和 Y 通道的最小和最大磁场测量值（以 mT 为单位）的绝对值。
将 Rotate & Push 选项卡中的 Push threshold calibration 值调整至大约比上面记录的最大值大 3mT 至 5mT。
优化器件角度匹配
每个 3D 霍尔效应传感器都装配在一个芯片上，封装组件将这些芯片垂直堆叠以便在 XY 平面中实现最小偏移。应消除器件关于灵敏度增益和偏移的容差：
在两个器件上采集一个完整旋转过程的数据，为实现尽可能小的输入参考噪声，将平均值设置为 32x。设置器件以使用所需的轴来计算角度。
在每个器件上校正一个轴的增益：
查找角度测量中使用的每个轴的最大和最小数据点
如果任一通道的最大值大于另一个通道的最大值的 2 倍，则需要减弱具有较大输入的通道。否则，TI 建议放大较小输入的输出
MAG_GAIN_CONFIG 寄存器 (0h11) 中的 GAIN_VALUE 用于为所需轴选择灵敏度增益调整。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）
使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴
根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
重复步骤 1 以确认幅度匹配并开始计算偏移校正
对于每个轴，使用以下公式计算偏移：
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2
将 MAG_OFFSET_CONFIG (0h12) 中的 OFFSET_SELECTION 设置为 0b11 以便在两个轴上启用偏移校正
使用一个 7 位 2 的补码值来设置 OFFSET_VALUE1 和 OFFSET_VALUE2，以根据步骤 3a 中的最大和最小峰值数据校正输出偏移
在校正器件的灵敏度和偏移误差之后，由于封装与旋转磁体之间存在相对的机械旋转，传感器可能仍会出现一定的测量误差。最直接的对齐方法是将传感器与旋转磁体放置在同一轴上。
传感器对齐以进行角度测量
在理想的同轴放置方案中，X 和 Y 轴数据只会观察到幅度下降，而不会影响观察到的角度线性度。由于封装有机械偏移，X 轴和 Y 轴的峰值输入数据将发生变化，因此所需的幅度校正强度将变得更加显著。此外，封装旋转可能会导致其相对于磁体位置存在角度偏移，或导致观察到的 X 轴和 Y 轴输入之间存在相位误差。当每个传感元件检测到与传感元件正交的磁场并且传感器不再与旋转磁体正交时，就会发生这种情况。因此，每个传感元件会从其他两个轴中的任何一个轴检测到矢量分量的一部分。此误差可能因系统中磁体或传感器的安装方式而异。通常，在整个系统组装完成后，需要对每个传感器进行下线校准，以获得理想结果。如需了解更多信息，请参阅德州仪器 (TI) 的
实现超高系统角度传感精度 应用手册。
旋转和按压演示
要使用旋转和按压演示，请执行以下步骤：
将旋转和按压模块连接到 EVM，如 所示。
EVM 上的旋转和推送模块
在 GUI 寄存器页面中：
此时，“Rotate & Push”GUI 将仅显示寄存器映射页面上所选器件的结果。
确保“DEVICE_CONFIG”→“OPERATING_MODE”显示 (TRIGGER_MODE Active)。
确保“SYSTEM_CONFIG”→“TRIGGER_MODE”设置为默认值。
在 SENSOR_CONFIG 寄存器下：
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。
对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。
可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。
在寄存器映射顶部，将 Auto Read 设置为 As fast as possible。
转到“Plots”页面中的 Rotate & Push 选项卡（请参阅）。
“Rotate & Push”GUI 页面
如果按钮 LED 没有在每个角度触发或在不应该触发时触发，请通过执行以下操作来校准该模块：
进行所需设置来运行演示后，将模块缓慢旋转 360°，并使用“Plots”页面记录 X 和 Y 通道的最小和最大磁场测量值（以 mT 为单位）的绝对值。
将 Rotate & Push 选项卡中的 Push threshold calibration 值调整至大约比上面记录的最大值大 3mT 至 5mT。
要使用旋转和按压演示，请执行以下步骤：
将旋转和按压模块连接到 EVM，如 所示。
EVM 上的旋转和推送模块
在 GUI 寄存器页面中：
此时，“Rotate & Push”GUI 将仅显示寄存器映射页面上所选器件的结果。
确保“DEVICE_CONFIG”→“OPERATING_MODE”显示 (TRIGGER_MODE Active)。
确保“SYSTEM_CONFIG”→“TRIGGER_MODE”设置为默认值。
在 SENSOR_CONFIG 寄存器下：
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。
对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。
可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。
在寄存器映射顶部，将 Auto Read 设置为 As fast as possible。
转到“Plots”页面中的 Rotate & Push 选项卡（请参阅）。
“Rotate & Push”GUI 页面
如果按钮 LED 没有在每个角度触发或在不应该触发时触发，请通过执行以下操作来校准该模块：
进行所需设置来运行演示后，将模块缓慢旋转 360°，并使用“Plots”页面记录 X 和 Y 通道的最小和最大磁场测量值（以 mT 为单位）的绝对值。
将 Rotate & Push 选项卡中的 Push threshold calibration 值调整至大约比上面记录的最大值大 3mT 至 5mT。
要使用旋转和按压演示，请执行以下步骤：
将旋转和按压模块连接到 EVM，如 所示。
EVM 上的旋转和推送模块
在 GUI 寄存器页面中：
此时，“Rotate & Push”GUI 将仅显示寄存器映射页面上所选器件的结果。
确保“DEVICE_CONFIG”→“OPERATING_MODE”显示 (TRIGGER_MODE Active)。
确保“SYSTEM_CONFIG”→“TRIGGER_MODE”设置为默认值。
在 SENSOR_CONFIG 寄存器下：
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。
对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。
可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。
在寄存器映射顶部，将 Auto Read 设置为 As fast as possible。
转到“Plots”页面中的 Rotate & Push 选项卡（请参阅）。
“Rotate & Push”GUI 页面
如果按钮 LED 没有在每个角度触发或在不应该触发时触发，请通过执行以下操作来校准该模块：
进行所需设置来运行演示后，将模块缓慢旋转 360°，并使用“Plots”页面记录 X 和 Y 通道的最小和最大磁场测量值（以 mT 为单位）的绝对值。
将 Rotate & Push 选项卡中的 Push threshold calibration 值调整至大约比上面记录的最大值大 3mT 至 5mT。
将旋转和按压模块连接到 EVM，如 所示。
EVM 上的旋转和推送模块
在 GUI 寄存器页面中：
此时，“Rotate & Push”GUI 将仅显示寄存器映射页面上所选器件的结果。
确保“DEVICE_CONFIG”→“OPERATING_MODE”显示 (TRIGGER_MODE Active)。
确保“SYSTEM_CONFIG”→“TRIGGER_MODE”设置为默认值。
在 SENSOR_CONFIG 寄存器下：
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。
对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。
可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。
在寄存器映射顶部，将 Auto Read 设置为 As fast as possible。
转到“Plots”页面中的 Rotate & Push 选项卡（请参阅）。
“Rotate & Push”GUI 页面
如果按钮 LED 没有在每个角度触发或在不应该触发时触发，请通过执行以下操作来校准该模块：
进行所需设置来运行演示后，将模块缓慢旋转 360°，并使用“Plots”页面记录 X 和 Y 通道的最小和最大磁场测量值（以 mT 为单位）的绝对值。
将 Rotate & Push 选项卡中的 Push threshold calibration 值调整至大约比上面记录的最大值大 3mT 至 5mT。
将旋转和按压模块连接到 EVM，如 所示。
EVM 上的旋转和推送模块
EVM 上的旋转和推送模块
EVM 上的旋转和推送模块在 GUI 寄存器页面中：
此时，“Rotate & Push”GUI 将仅显示寄存器映射页面上所选器件的结果。
确保“DEVICE_CONFIG”→“OPERATING_MODE”显示 (TRIGGER_MODE Active)。
确保“SYSTEM_CONFIG”→“TRIGGER_MODE”设置为默认值。
在 SENSOR_CONFIG 寄存器下：
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。
对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。
可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。
在寄存器映射顶部，将 Auto Read 设置为 As fast as possible。
此时，“Rotate & Push”GUI 将仅显示寄存器映射页面上所选器件的结果。
确保“DEVICE_CONFIG”→“OPERATING_MODE”显示 (TRIGGER_MODE Active)。
确保“SYSTEM_CONFIG”→“TRIGGER_MODE”设置为默认值。
在 SENSOR_CONFIG 寄存器下：
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。
对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。
可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。
在寄存器映射顶部，将 Auto Read 设置为 As fast as possible。
此时，“Rotate & Push”GUI 将仅显示寄存器映射页面上所选器件的结果。确保“DEVICE_CONFIG”→“OPERATING_MODE”显示 (TRIGGER_MODE Active)。(TRIGGER_MODE Active)确保“SYSTEM_CONFIG”→“TRIGGER_MODE”设置为默认值。在 SENSOR_CONFIG 寄存器下：
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。
对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。
可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。
对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。
可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。
确保 X 和 Y 通道均已启用 (MAG_CH_EN)。对于 A1 版本，将 X_RANGE 和 Y_RANGE 设置为 ±100mT，对于 A2 版本，将其设置为 ±133mT。可选：将 ANGLE_EN 设置为 X-Y 角度计算。在寄存器映射顶部，将 Auto Read 设置为 As fast as possible。Auto ReadAs fast as possible转到“Plots”页面中的 Rotate & Push 选项卡（请参阅）。
“Rotate & Push”GUI 页面
Rotate & Push
“Rotate & Push”GUI 页面
“Rotate & Push”GUI 页面如果按钮 LED 没有在每个角度触发或在不应该触发时触发，请通过执行以下操作来校准该模块：
进行所需设置来运行演示后，将模块缓慢旋转 360°，并使用“Plots”页面记录 X 和 Y 通道的最小和最大磁场测量值（以 mT 为单位）的绝对值。
将 Rotate & Push 选项卡中的 Push threshold calibration 值调整至大约比上面记录的最大值大 3mT 至 5mT。
进行所需设置来运行演示后，将模块缓慢旋转 360°，并使用“Plots”页面记录 X 和 Y 通道的最小和最大磁场测量值（以 mT 为单位）的绝对值。
将 Rotate & Push 选项卡中的 Push threshold calibration 值调整至大约比上面记录的最大值大 3mT 至 5mT。
进行所需设置来运行演示后，将模块缓慢旋转 360°，并使用“Plots”页面记录 X 和 Y 通道的最小和最大磁场测量值（以 mT 为单位）的绝对值。将 Rotate & Push 选项卡中的 Push threshold calibration 值调整至大约比上面记录的最大值大 3mT 至 5mT。Rotate & PushPush threshold calibration
优化器件角度匹配
每个 3D 霍尔效应传感器都装配在一个芯片上，封装组件将这些芯片垂直堆叠以便在 XY 平面中实现最小偏移。应消除器件关于灵敏度增益和偏移的容差：
在两个器件上采集一个完整旋转过程的数据，为实现尽可能小的输入参考噪声，将平均值设置为 32x。设置器件以使用所需的轴来计算角度。
在每个器件上校正一个轴的增益：
查找角度测量中使用的每个轴的最大和最小数据点
如果任一通道的最大值大于另一个通道的最大值的 2 倍，则需要减弱具有较大输入的通道。否则，TI 建议放大较小输入的输出
MAG_GAIN_CONFIG 寄存器 (0h11) 中的 GAIN_VALUE 用于为所需轴选择灵敏度增益调整。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）
使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴
根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
重复步骤 1 以确认幅度匹配并开始计算偏移校正
对于每个轴，使用以下公式计算偏移：
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2
将 MAG_OFFSET_CONFIG (0h12) 中的 OFFSET_SELECTION 设置为 0b11 以便在两个轴上启用偏移校正
使用一个 7 位 2 的补码值来设置 OFFSET_VALUE1 和 OFFSET_VALUE2，以根据步骤 3a 中的最大和最小峰值数据校正输出偏移
在校正器件的灵敏度和偏移误差之后，由于封装与旋转磁体之间存在相对的机械旋转，传感器可能仍会出现一定的测量误差。最直接的对齐方法是将传感器与旋转磁体放置在同一轴上。
传感器对齐以进行角度测量
在理想的同轴放置方案中，X 和 Y 轴数据只会观察到幅度下降，而不会影响观察到的角度线性度。由于封装有机械偏移，X 轴和 Y 轴的峰值输入数据将发生变化，因此所需的幅度校正强度将变得更加显著。此外，封装旋转可能会导致其相对于磁体位置存在角度偏移，或导致观察到的 X 轴和 Y 轴输入之间存在相位误差。当每个传感元件检测到与传感元件正交的磁场并且传感器不再与旋转磁体正交时，就会发生这种情况。因此，每个传感元件会从其他两个轴中的任何一个轴检测到矢量分量的一部分。此误差可能因系统中磁体或传感器的安装方式而异。通常，在整个系统组装完成后，需要对每个传感器进行下线校准，以获得理想结果。如需了解更多信息，请参阅德州仪器 (TI) 的
实现超高系统角度传感精度 应用手册。
优化器件角度匹配
每个 3D 霍尔效应传感器都装配在一个芯片上，封装组件将这些芯片垂直堆叠以便在 XY 平面中实现最小偏移。应消除器件关于灵敏度增益和偏移的容差：
在两个器件上采集一个完整旋转过程的数据，为实现尽可能小的输入参考噪声，将平均值设置为 32x。设置器件以使用所需的轴来计算角度。
在每个器件上校正一个轴的增益：
查找角度测量中使用的每个轴的最大和最小数据点
如果任一通道的最大值大于另一个通道的最大值的 2 倍，则需要减弱具有较大输入的通道。否则，TI 建议放大较小输入的输出
MAG_GAIN_CONFIG 寄存器 (0h11) 中的 GAIN_VALUE 用于为所需轴选择灵敏度增益调整。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）
使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴
根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
重复步骤 1 以确认幅度匹配并开始计算偏移校正
对于每个轴，使用以下公式计算偏移：
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2
将 MAG_OFFSET_CONFIG (0h12) 中的 OFFSET_SELECTION 设置为 0b11 以便在两个轴上启用偏移校正
使用一个 7 位 2 的补码值来设置 OFFSET_VALUE1 和 OFFSET_VALUE2，以根据步骤 3a 中的最大和最小峰值数据校正输出偏移
在校正器件的灵敏度和偏移误差之后，由于封装与旋转磁体之间存在相对的机械旋转，传感器可能仍会出现一定的测量误差。最直接的对齐方法是将传感器与旋转磁体放置在同一轴上。
传感器对齐以进行角度测量
在理想的同轴放置方案中，X 和 Y 轴数据只会观察到幅度下降，而不会影响观察到的角度线性度。由于封装有机械偏移，X 轴和 Y 轴的峰值输入数据将发生变化，因此所需的幅度校正强度将变得更加显著。此外，封装旋转可能会导致其相对于磁体位置存在角度偏移，或导致观察到的 X 轴和 Y 轴输入之间存在相位误差。当每个传感元件检测到与传感元件正交的磁场并且传感器不再与旋转磁体正交时，就会发生这种情况。因此，每个传感元件会从其他两个轴中的任何一个轴检测到矢量分量的一部分。此误差可能因系统中磁体或传感器的安装方式而异。通常，在整个系统组装完成后，需要对每个传感器进行下线校准，以获得理想结果。如需了解更多信息，请参阅德州仪器 (TI) 的
实现超高系统角度传感精度 应用手册。
每个 3D 霍尔效应传感器都装配在一个芯片上，封装组件将这些芯片垂直堆叠以便在 XY 平面中实现最小偏移。应消除器件关于灵敏度增益和偏移的容差：
在两个器件上采集一个完整旋转过程的数据，为实现尽可能小的输入参考噪声，将平均值设置为 32x。设置器件以使用所需的轴来计算角度。
在每个器件上校正一个轴的增益：
查找角度测量中使用的每个轴的最大和最小数据点
如果任一通道的最大值大于另一个通道的最大值的 2 倍，则需要减弱具有较大输入的通道。否则，TI 建议放大较小输入的输出
MAG_GAIN_CONFIG 寄存器 (0h11) 中的 GAIN_VALUE 用于为所需轴选择灵敏度增益调整。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）
使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴
根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
重复步骤 1 以确认幅度匹配并开始计算偏移校正
对于每个轴，使用以下公式计算偏移：
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2
将 MAG_OFFSET_CONFIG (0h12) 中的 OFFSET_SELECTION 设置为 0b11 以便在两个轴上启用偏移校正
使用一个 7 位 2 的补码值来设置 OFFSET_VALUE1 和 OFFSET_VALUE2，以根据步骤 3a 中的最大和最小峰值数据校正输出偏移
在校正器件的灵敏度和偏移误差之后，由于封装与旋转磁体之间存在相对的机械旋转，传感器可能仍会出现一定的测量误差。最直接的对齐方法是将传感器与旋转磁体放置在同一轴上。
传感器对齐以进行角度测量
在理想的同轴放置方案中，X 和 Y 轴数据只会观察到幅度下降，而不会影响观察到的角度线性度。由于封装有机械偏移，X 轴和 Y 轴的峰值输入数据将发生变化，因此所需的幅度校正强度将变得更加显著。此外，封装旋转可能会导致其相对于磁体位置存在角度偏移，或导致观察到的 X 轴和 Y 轴输入之间存在相位误差。当每个传感元件检测到与传感元件正交的磁场并且传感器不再与旋转磁体正交时，就会发生这种情况。因此，每个传感元件会从其他两个轴中的任何一个轴检测到矢量分量的一部分。此误差可能因系统中磁体或传感器的安装方式而异。通常，在整个系统组装完成后，需要对每个传感器进行下线校准，以获得理想结果。如需了解更多信息，请参阅德州仪器 (TI) 的
实现超高系统角度传感精度 应用手册。
每个 3D 霍尔效应传感器都装配在一个芯片上，封装组件将这些芯片垂直堆叠以便在 XY 平面中实现最小偏移。应消除器件关于灵敏度增益和偏移的容差：
在两个器件上采集一个完整旋转过程的数据，为实现尽可能小的输入参考噪声，将平均值设置为 32x。设置器件以使用所需的轴来计算角度。
在每个器件上校正一个轴的增益：
查找角度测量中使用的每个轴的最大和最小数据点
如果任一通道的最大值大于另一个通道的最大值的 2 倍，则需要减弱具有较大输入的通道。否则，TI 建议放大较小输入的输出
MAG_GAIN_CONFIG 寄存器 (0h11) 中的 GAIN_VALUE 用于为所需轴选择灵敏度增益调整。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）
使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴
根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
重复步骤 1 以确认幅度匹配并开始计算偏移校正
对于每个轴，使用以下公式计算偏移：
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2
将 MAG_OFFSET_CONFIG (0h12) 中的 OFFSET_SELECTION 设置为 0b11 以便在两个轴上启用偏移校正
使用一个 7 位 2 的补码值来设置 OFFSET_VALUE1 和 OFFSET_VALUE2，以根据步骤 3a 中的最大和最小峰值数据校正输出偏移
在两个器件上采集一个完整旋转过程的数据，为实现尽可能小的输入参考噪声，将平均值设置为 32x。设置器件以使用所需的轴来计算角度。在每个器件上校正一个轴的增益：
查找角度测量中使用的每个轴的最大和最小数据点
如果任一通道的最大值大于另一个通道的最大值的 2 倍，则需要减弱具有较大输入的通道。否则，TI 建议放大较小输入的输出
MAG_GAIN_CONFIG 寄存器 (0h11) 中的 GAIN_VALUE 用于为所需轴选择灵敏度增益调整。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）
使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴
根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
查找角度测量中使用的每个轴的最大和最小数据点
如果任一通道的最大值大于另一个通道的最大值的 2 倍，则需要减弱具有较大输入的通道。否则，TI 建议放大较小输入的输出
MAG_GAIN_CONFIG 寄存器 (0h11) 中的 GAIN_VALUE 用于为所需轴选择灵敏度增益调整。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）
使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴
根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
查找角度测量中使用的每个轴的最大和最小数据点如果任一通道的最大值大于另一个通道的最大值的 2 倍，则需要减弱具有较大输入的通道。否则，TI 建议放大较小输入的输出MAG_GAIN_CONFIG 寄存器 (0h11) 中的 GAIN_VALUE 用于为所需轴选择灵敏度增益调整。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）
使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴
根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）
使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴
根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
增益根据一个 11 位值 / 1024 计算得出（对于 0-2 范围内的值）使用 GAIN_SELECTION 选择要放大/减弱的轴根据以下比率设置增益值：
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。
其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。
(最大通道 A - 最小通道 A)/(最大通道 B - 最小通道 B)。其中的通道 A 和 B 根据步骤 2b 进行选择。重复步骤 1 以确认幅度匹配并开始计算偏移校正
对于每个轴，使用以下公式计算偏移：
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2
将 MAG_OFFSET_CONFIG (0h12) 中的 OFFSET_SELECTION 设置为 0b11 以便在两个轴上启用偏移校正
使用一个 7 位 2 的补码值来设置 OFFSET_VALUE1 和 OFFSET_VALUE2，以根据步骤 3a 中的最大和最小峰值数据校正输出偏移
对于每个轴，使用以下公式计算偏移：
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2
将 MAG_OFFSET_CONFIG (0h12) 中的 OFFSET_SELECTION 设置为 0b11 以便在两个轴上启用偏移校正
使用一个 7 位 2 的补码值来设置 OFFSET_VALUE1 和 OFFSET_VALUE2，以根据步骤 3a 中的最大和最小峰值数据校正输出偏移
对于每个轴，使用以下公式计算偏移：
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2
输出偏移 = (最大值 + 最小值) / 2将 MAG_OFFSET_CONFIG (0h12) 中的 OFFSET_SELECTION 设置为 0b11 以便在两个轴上启用偏移校正使用一个 7 位 2 的补码值来设置 OFFSET_VALUE1 和 OFFSET_VALUE2，以根据步骤 3a 中的最大和最小峰值数据校正输出偏移在校正器件的灵敏度和偏移误差之后，由于封装与旋转磁体之间存在相对的机械旋转，传感器可能仍会出现一定的测量误差。最直接的对齐方法是将传感器与旋转磁体放置在同一轴上。
传感器对齐以进行角度测量
传感器对齐以进行角度测量在理想的同轴放置方案中，X 和 Y 轴数据只会观察到幅度下降，而不会影响观察到的角度线性度。由于封装有机械偏移，X 轴和 Y 轴的峰值输入数据将发生变化，因此所需的幅度校正强度将变得更加显著。此外，封装旋转可能会导致其相对于磁体位置存在角度偏移，或导致观察到的 X 轴和 Y 轴输入之间存在相位误差。当每个传感元件检测到与传感元件正交的磁场并且传感器不再与旋转磁体正交时，就会发生这种情况。因此，每个传感元件会从其他两个轴中的任何一个轴检测到矢量分量的一部分。此误差可能因系统中磁体或传感器的安装方式而异。通常，在整个系统组装完成后，需要对每个传感器进行下线校准，以获得理想结果。如需了解更多信息，请参阅德州仪器 (TI) 的
实现超高系统角度传感精度 应用手册。
实现超高系统角度传感精度 应用手册实现超高系统角度传感精度
直接 EVM 串行通信
如果需要，您可以通过 USB 串行 (COM) 端口直接与 TI-SCB 进行通信，而无需使用 GUI。可以通过串行端口直接发送所需的命令字符串，并接收结果。这有助于通过自定义设置、脚本和 GUI 连接 EVM。要读取和写入寄存器，请使用以下格式：
选择器件格式：setdevice CMD
其中的 CMD 是作为整数值 (0-3) 发送的两位命令。
00 = 从器件 1 读取/写入
01 = 从器件 2 读取/写入
10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取
11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取
写入两个器件并从器件 1 读取的有效设置命令为：
Setdevice 0x02
在 EVM 上，可使用此命令共享 SDI 和 SDO 线路并控制 CS。MCU 可以使用两次连续写入向每个器件发送相同的写入命令，但读取数据由 MCU 单独记录。
读取寄存器格式：rreg ADR
其中 ADR 是十六进制地址，rreg 始终小写
寄存器地址可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填补寄存器地址。例如，要读取寄存器地址 0xA，某些有效的命令包括：
rreg a
rreg 0A
rreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果 {"acknowledge":"rreg 0x0A"}
{"register":{"address":10,:"value":65488}}
{"evm_state":"idle"}
写入寄存器格式：wreg ADR VAL
其中 ADR 和 VAL 采用十六进制，wreg 始终小写
寄存器地址和值可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填充寄存器地址和值。例如，要向寄存器地址 0x1 写入值 0x01c0，某些有效的命令包括：
wreg 1 1c0
wreg 01 0x1c0
wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果： {"acknowledge":"wreg 0x01 0x01C0"}
{"console":"Writing 0x1c0 to SENSOR_CONFIG register"}
{"evm_state":"idle"}
直接 EVM 串行通信
如果需要，您可以通过 USB 串行 (COM) 端口直接与 TI-SCB 进行通信，而无需使用 GUI。可以通过串行端口直接发送所需的命令字符串，并接收结果。这有助于通过自定义设置、脚本和 GUI 连接 EVM。要读取和写入寄存器，请使用以下格式：
选择器件格式：setdevice CMD
其中的 CMD 是作为整数值 (0-3) 发送的两位命令。
00 = 从器件 1 读取/写入
01 = 从器件 2 读取/写入
10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取
11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取
写入两个器件并从器件 1 读取的有效设置命令为：
Setdevice 0x02
在 EVM 上，可使用此命令共享 SDI 和 SDO 线路并控制 CS。MCU 可以使用两次连续写入向每个器件发送相同的写入命令，但读取数据由 MCU 单独记录。
读取寄存器格式：rreg ADR
其中 ADR 是十六进制地址，rreg 始终小写
寄存器地址可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填补寄存器地址。例如，要读取寄存器地址 0xA，某些有效的命令包括：
rreg a
rreg 0A
rreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果 {"acknowledge":"rreg 0x0A"}
{"register":{"address":10,:"value":65488}}
{"evm_state":"idle"}
写入寄存器格式：wreg ADR VAL
其中 ADR 和 VAL 采用十六进制，wreg 始终小写
寄存器地址和值可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填充寄存器地址和值。例如，要向寄存器地址 0x1 写入值 0x01c0，某些有效的命令包括：
wreg 1 1c0
wreg 01 0x1c0
wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果： {"acknowledge":"wreg 0x01 0x01C0"}
{"console":"Writing 0x1c0 to SENSOR_CONFIG register"}
{"evm_state":"idle"}
如果需要，您可以通过 USB 串行 (COM) 端口直接与 TI-SCB 进行通信，而无需使用 GUI。可以通过串行端口直接发送所需的命令字符串，并接收结果。这有助于通过自定义设置、脚本和 GUI 连接 EVM。要读取和写入寄存器，请使用以下格式：
选择器件格式：setdevice CMD
其中的 CMD 是作为整数值 (0-3) 发送的两位命令。
00 = 从器件 1 读取/写入
01 = 从器件 2 读取/写入
10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取
11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取
写入两个器件并从器件 1 读取的有效设置命令为：
Setdevice 0x02
在 EVM 上，可使用此命令共享 SDI 和 SDO 线路并控制 CS。MCU 可以使用两次连续写入向每个器件发送相同的写入命令，但读取数据由 MCU 单独记录。
读取寄存器格式：rreg ADR
其中 ADR 是十六进制地址，rreg 始终小写
寄存器地址可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填补寄存器地址。例如，要读取寄存器地址 0xA，某些有效的命令包括：
rreg a
rreg 0A
rreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果 {"acknowledge":"rreg 0x0A"}
{"register":{"address":10,:"value":65488}}
{"evm_state":"idle"}
写入寄存器格式：wreg ADR VAL
其中 ADR 和 VAL 采用十六进制，wreg 始终小写
寄存器地址和值可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填充寄存器地址和值。例如，要向寄存器地址 0x1 写入值 0x01c0，某些有效的命令包括：
wreg 1 1c0
wreg 01 0x1c0
wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果： {"acknowledge":"wreg 0x01 0x01C0"}
{"console":"Writing 0x1c0 to SENSOR_CONFIG register"}
{"evm_state":"idle"}
如果需要，您可以通过 USB 串行 (COM) 端口直接与 TI-SCB 进行通信，而无需使用 GUI。可以通过串行端口直接发送所需的命令字符串，并接收结果。这有助于通过自定义设置、脚本和 GUI 连接 EVM。要读取和写入寄存器，请使用以下格式：
选择器件格式：setdevice CMD
其中的 CMD 是作为整数值 (0-3) 发送的两位命令。
00 = 从器件 1 读取/写入
01 = 从器件 2 读取/写入
10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取
11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取
写入两个器件并从器件 1 读取的有效设置命令为：
Setdevice 0x02
在 EVM 上，可使用此命令共享 SDI 和 SDO 线路并控制 CS。MCU 可以使用两次连续写入向每个器件发送相同的写入命令，但读取数据由 MCU 单独记录。
读取寄存器格式：rreg ADR
其中 ADR 是十六进制地址，rreg 始终小写
寄存器地址可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填补寄存器地址。例如，要读取寄存器地址 0xA，某些有效的命令包括：
rreg a
rreg 0A
rreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果 {"acknowledge":"rreg 0x0A"}
{"register":{"address":10,:"value":65488}}
{"evm_state":"idle"}
写入寄存器格式：wreg ADR VAL
其中 ADR 和 VAL 采用十六进制，wreg 始终小写
寄存器地址和值可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填充寄存器地址和值。例如，要向寄存器地址 0x1 写入值 0x01c0，某些有效的命令包括：
wreg 1 1c0
wreg 01 0x1c0
wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果： {"acknowledge":"wreg 0x01 0x01C0"}
{"console":"Writing 0x1c0 to SENSOR_CONFIG register"}
{"evm_state":"idle"}
选择器件格式：setdevice CMD
其中的 CMD 是作为整数值 (0-3) 发送的两位命令。
00 = 从器件 1 读取/写入
01 = 从器件 2 读取/写入
10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取
11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取
写入两个器件并从器件 1 读取的有效设置命令为：
Setdevice 0x02
在 EVM 上，可使用此命令共享 SDI 和 SDO 线路并控制 CS。MCU 可以使用两次连续写入向每个器件发送相同的写入命令，但读取数据由 MCU 单独记录。
读取寄存器格式：rreg ADR
其中 ADR 是十六进制地址，rreg 始终小写
寄存器地址可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填补寄存器地址。例如，要读取寄存器地址 0xA，某些有效的命令包括：
rreg a
rreg 0A
rreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果 {"acknowledge":"rreg 0x0A"}
{"register":{"address":10,:"value":65488}}
{"evm_state":"idle"}
写入寄存器格式：wreg ADR VAL
其中 ADR 和 VAL 采用十六进制，wreg 始终小写
寄存器地址和值可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填充寄存器地址和值。例如，要向寄存器地址 0x1 写入值 0x01c0，某些有效的命令包括：
wreg 1 1c0
wreg 01 0x1c0
wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果： {"acknowledge":"wreg 0x01 0x01C0"}
{"console":"Writing 0x1c0 to SENSOR_CONFIG register"}
{"evm_state":"idle"}
选择器件格式：setdevice CMD
其中的 CMD 是作为整数值 (0-3) 发送的两位命令。
00 = 从器件 1 读取/写入
01 = 从器件 2 读取/写入
10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取
11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取
写入两个器件并从器件 1 读取的有效设置命令为：
Setdevice 0x02
在 EVM 上，可使用此命令共享 SDI 和 SDO 线路并控制 CS。MCU 可以使用两次连续写入向每个器件发送相同的写入命令，但读取数据由 MCU 单独记录。
其中的 CMD 是作为整数值 (0-3) 发送的两位命令。
00 = 从器件 1 读取/写入
01 = 从器件 2 读取/写入
10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取
11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取
写入两个器件并从器件 1 读取的有效设置命令为：
Setdevice 0x02
在 EVM 上，可使用此命令共享 SDI 和 SDO 线路并控制 CS。MCU 可以使用两次连续写入向每个器件发送相同的写入命令，但读取数据由 MCU 单独记录。
其中的 CMD 是作为整数值 (0-3) 发送的两位命令。
00 = 从器件 1 读取/写入
01 = 从器件 2 读取/写入
10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取
11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取
00 = 从器件 1 读取/写入
01 = 从器件 2 读取/写入
10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取
11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取
00 = 从器件 1 读取/写入01 = 从器件 2 读取/写入10 = 写入到两个器件；从器件 1 读取11 = 写入到两个器件；从器件 2 读取写入两个器件并从器件 1 读取的有效设置命令为：
Setdevice 0x02
Setdevice 0x02
Setdevice 0x02在 EVM 上，可使用此命令共享 SDI 和 SDO 线路并控制 CS。MCU 可以使用两次连续写入向每个器件发送相同的写入命令，但读取数据由 MCU 单独记录。读取寄存器格式：rreg ADR
其中 ADR 是十六进制地址，rreg 始终小写
寄存器地址可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填补寄存器地址。例如，要读取寄存器地址 0xA，某些有效的命令包括：
rreg a
rreg 0A
rreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果 {"acknowledge":"rreg 0x0A"}
{"register":{"address":10,:"value":65488}}
{"evm_state":"idle"}
其中 ADR 是十六进制地址，rreg 始终小写
寄存器地址可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填补寄存器地址。例如，要读取寄存器地址 0xA，某些有效的命令包括：
rreg a
rreg 0A
rreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果 {"acknowledge":"rreg 0x0A"}
{"register":{"address":10,:"value":65488}}
{"evm_state":"idle"}
其中 ADR 是十六进制地址，rreg 始终小写寄存器地址可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填补寄存器地址。例如，要读取寄存器地址 0xA，某些有效的命令包括：
rreg a
rreg 0A
rreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
rreg a
rreg 0A
rreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
rreg arreg 0Arreg 0x0A
使用“0x”时，“x”必须小写。
使用“0x”时，“x”必须小写。
使用“0x”时，“x”必须小写。在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果 {"acknowledge":"rreg 0x0A"}
{"register":{"address":10,:"value":65488}}
{"evm_state":"idle"}
{"acknowledge":"rreg 0x0A"}{"register":{"address":10,:"value":65488}}{"evm_state":"idle"}写入寄存器格式：wreg ADR VAL
其中 ADR 和 VAL 采用十六进制，wreg 始终小写
寄存器地址和值可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填充寄存器地址和值。例如，要向寄存器地址 0x1 写入值 0x01c0，某些有效的命令包括：
wreg 1 1c0
wreg 01 0x1c0
wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果： {"acknowledge":"wreg 0x01 0x01C0"}
{"console":"Writing 0x1c0 to SENSOR_CONFIG register"}
{"evm_state":"idle"}
其中 ADR 和 VAL 采用十六进制，wreg 始终小写
寄存器地址和值可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填充寄存器地址和值。例如，要向寄存器地址 0x1 写入值 0x01c0，某些有效的命令包括：
wreg 1 1c0
wreg 01 0x1c0
wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果： {"acknowledge":"wreg 0x01 0x01C0"}
{"console":"Writing 0x1c0 to SENSOR_CONFIG register"}
{"evm_state":"idle"}
其中 ADR 和 VAL 采用十六进制，wreg 始终小写寄存器地址和值可以是大写或小写，并且不需要以“0x”开头。也可以选择用 0 填充寄存器地址和值。例如，要向寄存器地址 0x1 写入值 0x01c0，某些有效的命令包括：
wreg 1 1c0
wreg 01 0x1c0
wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
wreg 1 1c0
wreg 01 0x1c0
wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
wreg 1 1c0wreg 01 0x1c0wreg 0x01 0x01C0
使用“0x”时，“x”必须小写。
使用“0x”时，“x”必须小写。
使用“0x”时，“x”必须小写。在上述示例中，EVM 会返回 JSON 格式的结果： {"acknowledge":"wreg 0x01 0x01C0"}
{"console":"Writing 0x1c0 to SENSOR_CONFIG register"}
{"evm_state":"idle"}
{"acknowledge":"wreg 0x01 0x01C0"}{"console":"Writing 0x1c0 to SENSOR_CONFIG register"}{"evm_state":"idle"}
原理图、PCB 布局和物料清单
电路板布局未按比例显示。这些图旨在显示电路板的布局。而不用于制造 EVM PCB。
原理图
和 显示了 EVM 的原理图。 显示了 EVM 的电路， 显示了随 EVM 提供的机械部件。
TMAG5170DEVM 原理图
硬件原理图
PCB 布局
至 显示了 EVM 的各 PCB 层。
顶视图
顶层
底视图
底层
物料清单
#GUID-C49F571E-0874-44B3-B040-CB9623226B66/X7162C 提供了 EVM 的器件列表。
物料清单
名称
数量
值
说明
封装参考
器件型号
制造商
!PCB1
1
印刷电路板
SENS107
不限
C1、C2、C6、C7
4
0.1uF
电容，陶瓷，0.1μF，6.3V，+/-10%，X5R，0201
0201
GRM033R60J104KE19D
MuRata（村田）
C3、C5、C8、C10
4
1uF
电容，陶瓷，1μF，16V，+/-10%，X5R，0402
0402
EMK105BJ105KVHF
Taiyo Yuden
C4、C9
2
10nF
10000pF ±20% 16V 陶瓷电容器 X5R 01005（公制 0402）
010005
CM02X5R103M16AH
AVX
D1、D2、D3、D4
4
Rg
LED，Rg，SMD
1.6x0.8mm
HSMF-C165
Avago（安华高）
J3，J6
2
HDR12
NRPN062PARN-RC
Sullins Connector Solutions
R1、R2、R9、R10、R11、R12、R13、R20、R21、R28、R29、R30、R31、R32
14
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
R3、R5、R22、R24
4
150
电阻，150，5%，0.05W，0201
0201
RC0201JR-07150RL
Yageo America（国巨美国）
R4、R6、R23、R25
4
215
电阻，215，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-07215RL
Yageo America（国巨美国）
R7、R8、R26、R27
4
10.0k
电阻，10.0k，1%，0.1W，0402
0402
ERJ-2RKF1002X
Panasonic（松下）
R14、R15、R16、R17、R18、R33、R34、R35、R36、R37
10
33.0
电阻，33.0，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-0733RL
Yageo America（国巨美国）
U1
0
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA1EPWRQ1
德州仪器 (TI)
U2，U4
2
单路输出 LDO，1A，可调节电压（1.2V 至 5.0V），反向电流保护，DRV0006A (WSON-6)
DRV0006A
TPS73733DRVR
德州仪器 (TI)
U3
1
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA2EPWRQ1
德州仪器 (TI)
FID1、FID2、FID3
0
基准标记。没有需要购买或安装的元件。
不适用
不适用
不适用
J1、J4
0
接头，100mil，4x1，金，TH
4x1 接头
TSW-104-07-G-S
Samtec（申泰）
J2、J5
0
接头，2.54mm，2x1，金，TH
接头，2.54mm，2x1，TH
961102-6804-AR
3M
R19、R38
0
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
原理图、PCB 布局和物料清单
电路板布局未按比例显示。这些图旨在显示电路板的布局。而不用于制造 EVM PCB。
电路板布局未按比例显示。这些图旨在显示电路板的布局。而不用于制造 EVM PCB。
电路板布局未按比例显示。这些图旨在显示电路板的布局。而不用于制造 EVM PCB。
电路板布局未按比例显示。这些图旨在显示电路板的布局。而不用于制造 EVM PCB。
原理图
和 显示了 EVM 的原理图。 显示了 EVM 的电路， 显示了随 EVM 提供的机械部件。
TMAG5170DEVM 原理图
硬件原理图
原理图
和 显示了 EVM 的原理图。 显示了 EVM 的电路， 显示了随 EVM 提供的机械部件。
TMAG5170DEVM 原理图
硬件原理图
和 显示了 EVM 的原理图。 显示了 EVM 的电路， 显示了随 EVM 提供的机械部件。
TMAG5170DEVM 原理图
硬件原理图
和 显示了 EVM 的原理图。 显示了 EVM 的电路， 显示了随 EVM 提供的机械部件。
TMAG5170DEVM 原理图
TMAG5170DEVM 原理图
硬件原理图
硬件原理图
PCB 布局
至 显示了 EVM 的各 PCB 层。
顶视图
顶层
底视图
底层
PCB 布局
至 显示了 EVM 的各 PCB 层。
顶视图
顶层
底视图
底层
至 显示了 EVM 的各 PCB 层。
顶视图
顶层
底视图
底层
至 显示了 EVM 的各 PCB 层。
顶视图
顶视图
顶层
顶层
底视图
底视图
底层
底层
物料清单
#GUID-C49F571E-0874-44B3-B040-CB9623226B66/X7162C 提供了 EVM 的器件列表。
物料清单
名称
数量
值
说明
封装参考
器件型号
制造商
!PCB1
1
印刷电路板
SENS107
不限
C1、C2、C6、C7
4
0.1uF
电容，陶瓷，0.1μF，6.3V，+/-10%，X5R，0201
0201
GRM033R60J104KE19D
MuRata（村田）
C3、C5、C8、C10
4
1uF
电容，陶瓷，1μF，16V，+/-10%，X5R，0402
0402
EMK105BJ105KVHF
Taiyo Yuden
C4、C9
2
10nF
10000pF ±20% 16V 陶瓷电容器 X5R 01005（公制 0402）
010005
CM02X5R103M16AH
AVX
D1、D2、D3、D4
4
Rg
LED，Rg，SMD
1.6x0.8mm
HSMF-C165
Avago（安华高）
J3，J6
2
HDR12
NRPN062PARN-RC
Sullins Connector Solutions
R1、R2、R9、R10、R11、R12、R13、R20、R21、R28、R29、R30、R31、R32
14
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
R3、R5、R22、R24
4
150
电阻，150，5%，0.05W，0201
0201
RC0201JR-07150RL
Yageo America（国巨美国）
R4、R6、R23、R25
4
215
电阻，215，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-07215RL
Yageo America（国巨美国）
R7、R8、R26、R27
4
10.0k
电阻，10.0k，1%，0.1W，0402
0402
ERJ-2RKF1002X
Panasonic（松下）
R14、R15、R16、R17、R18、R33、R34、R35、R36、R37
10
33.0
电阻，33.0，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-0733RL
Yageo America（国巨美国）
U1
0
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA1EPWRQ1
德州仪器 (TI)
U2，U4
2
单路输出 LDO，1A，可调节电压（1.2V 至 5.0V），反向电流保护，DRV0006A (WSON-6)
DRV0006A
TPS73733DRVR
德州仪器 (TI)
U3
1
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA2EPWRQ1
德州仪器 (TI)
FID1、FID2、FID3
0
基准标记。没有需要购买或安装的元件。
不适用
不适用
不适用
J1、J4
0
接头，100mil，4x1，金，TH
4x1 接头
TSW-104-07-G-S
Samtec（申泰）
J2、J5
0
接头，2.54mm，2x1，金，TH
接头，2.54mm，2x1，TH
961102-6804-AR
3M
R19、R38
0
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
物料清单
#GUID-C49F571E-0874-44B3-B040-CB9623226B66/X7162C 提供了 EVM 的器件列表。
物料清单
名称
数量
值
说明
封装参考
器件型号
制造商
!PCB1
1
印刷电路板
SENS107
不限
C1、C2、C6、C7
4
0.1uF
电容，陶瓷，0.1μF，6.3V，+/-10%，X5R，0201
0201
GRM033R60J104KE19D
MuRata（村田）
C3、C5、C8、C10
4
1uF
电容，陶瓷，1μF，16V，+/-10%，X5R，0402
0402
EMK105BJ105KVHF
Taiyo Yuden
C4、C9
2
10nF
10000pF ±20% 16V 陶瓷电容器 X5R 01005（公制 0402）
010005
CM02X5R103M16AH
AVX
D1、D2、D3、D4
4
Rg
LED，Rg，SMD
1.6x0.8mm
HSMF-C165
Avago（安华高）
J3，J6
2
HDR12
NRPN062PARN-RC
Sullins Connector Solutions
R1、R2、R9、R10、R11、R12、R13、R20、R21、R28、R29、R30、R31、R32
14
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
R3、R5、R22、R24
4
150
电阻，150，5%，0.05W，0201
0201
RC0201JR-07150RL
Yageo America（国巨美国）
R4、R6、R23、R25
4
215
电阻，215，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-07215RL
Yageo America（国巨美国）
R7、R8、R26、R27
4
10.0k
电阻，10.0k，1%，0.1W，0402
0402
ERJ-2RKF1002X
Panasonic（松下）
R14、R15、R16、R17、R18、R33、R34、R35、R36、R37
10
33.0
电阻，33.0，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-0733RL
Yageo America（国巨美国）
U1
0
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA1EPWRQ1
德州仪器 (TI)
U2，U4
2
单路输出 LDO，1A，可调节电压（1.2V 至 5.0V），反向电流保护，DRV0006A (WSON-6)
DRV0006A
TPS73733DRVR
德州仪器 (TI)
U3
1
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA2EPWRQ1
德州仪器 (TI)
FID1、FID2、FID3
0
基准标记。没有需要购买或安装的元件。
不适用
不适用
不适用
J1、J4
0
接头，100mil，4x1，金，TH
4x1 接头
TSW-104-07-G-S
Samtec（申泰）
J2、J5
0
接头，2.54mm，2x1，金，TH
接头，2.54mm，2x1，TH
961102-6804-AR
3M
R19、R38
0
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
#GUID-C49F571E-0874-44B3-B040-CB9623226B66/X7162C 提供了 EVM 的器件列表。
物料清单
名称
数量
值
说明
封装参考
器件型号
制造商
!PCB1
1
印刷电路板
SENS107
不限
C1、C2、C6、C7
4
0.1uF
电容，陶瓷，0.1μF，6.3V，+/-10%，X5R，0201
0201
GRM033R60J104KE19D
MuRata（村田）
C3、C5、C8、C10
4
1uF
电容，陶瓷，1μF，16V，+/-10%，X5R，0402
0402
EMK105BJ105KVHF
Taiyo Yuden
C4、C9
2
10nF
10000pF ±20% 16V 陶瓷电容器 X5R 01005（公制 0402）
010005
CM02X5R103M16AH
AVX
D1、D2、D3、D4
4
Rg
LED，Rg，SMD
1.6x0.8mm
HSMF-C165
Avago（安华高）
J3，J6
2
HDR12
NRPN062PARN-RC
Sullins Connector Solutions
R1、R2、R9、R10、R11、R12、R13、R20、R21、R28、R29、R30、R31、R32
14
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
R3、R5、R22、R24
4
150
电阻，150，5%，0.05W，0201
0201
RC0201JR-07150RL
Yageo America（国巨美国）
R4、R6、R23、R25
4
215
电阻，215，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-07215RL
Yageo America（国巨美国）
R7、R8、R26、R27
4
10.0k
电阻，10.0k，1%，0.1W，0402
0402
ERJ-2RKF1002X
Panasonic（松下）
R14、R15、R16、R17、R18、R33、R34、R35、R36、R37
10
33.0
电阻，33.0，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-0733RL
Yageo America（国巨美国）
U1
0
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA1EPWRQ1
德州仪器 (TI)
U2，U4
2
单路输出 LDO，1A，可调节电压（1.2V 至 5.0V），反向电流保护，DRV0006A (WSON-6)
DRV0006A
TPS73733DRVR
德州仪器 (TI)
U3
1
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA2EPWRQ1
德州仪器 (TI)
FID1、FID2、FID3
0
基准标记。没有需要购买或安装的元件。
不适用
不适用
不适用
J1、J4
0
接头，100mil，4x1，金，TH
4x1 接头
TSW-104-07-G-S
Samtec（申泰）
J2、J5
0
接头，2.54mm，2x1，金，TH
接头，2.54mm，2x1，TH
961102-6804-AR
3M
R19、R38
0
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
#GUID-C49F571E-0874-44B3-B040-CB9623226B66/X7162C 提供了 EVM 的器件列表。#GUID-C49F571E-0874-44B3-B040-CB9623226B66/X7162C
物料清单
名称
数量
值
说明
封装参考
器件型号
制造商
!PCB1
1
印刷电路板
SENS107
不限
C1、C2、C6、C7
4
0.1uF
电容，陶瓷，0.1μF，6.3V，+/-10%，X5R，0201
0201
GRM033R60J104KE19D
MuRata（村田）
C3、C5、C8、C10
4
1uF
电容，陶瓷，1μF，16V，+/-10%，X5R，0402
0402
EMK105BJ105KVHF
Taiyo Yuden
C4、C9
2
10nF
10000pF ±20% 16V 陶瓷电容器 X5R 01005（公制 0402）
010005
CM02X5R103M16AH
AVX
D1、D2、D3、D4
4
Rg
LED，Rg，SMD
1.6x0.8mm
HSMF-C165
Avago（安华高）
J3，J6
2
HDR12
NRPN062PARN-RC
Sullins Connector Solutions
R1、R2、R9、R10、R11、R12、R13、R20、R21、R28、R29、R30、R31、R32
14
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
R3、R5、R22、R24
4
150
电阻，150，5%，0.05W，0201
0201
RC0201JR-07150RL
Yageo America（国巨美国）
R4、R6、R23、R25
4
215
电阻，215，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-07215RL
Yageo America（国巨美国）
R7、R8、R26、R27
4
10.0k
电阻，10.0k，1%，0.1W，0402
0402
ERJ-2RKF1002X
Panasonic（松下）
R14、R15、R16、R17、R18、R33、R34、R35、R36、R37
10
33.0
电阻，33.0，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-0733RL
Yageo America（国巨美国）
U1
0
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA1EPWRQ1
德州仪器 (TI)
U2，U4
2
单路输出 LDO，1A，可调节电压（1.2V 至 5.0V），反向电流保护，DRV0006A (WSON-6)
DRV0006A
TPS73733DRVR
德州仪器 (TI)
U3
1
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA2EPWRQ1
德州仪器 (TI)
FID1、FID2、FID3
0
基准标记。没有需要购买或安装的元件。
不适用
不适用
不适用
J1、J4
0
接头，100mil，4x1，金，TH
4x1 接头
TSW-104-07-G-S
Samtec（申泰）
J2、J5
0
接头，2.54mm，2x1，金，TH
接头，2.54mm，2x1，TH
961102-6804-AR
3M
R19、R38
0
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
物料清单
名称
数量
值
说明
封装参考
器件型号
制造商
!PCB1
1
印刷电路板
SENS107
不限
C1、C2、C6、C7
4
0.1uF
电容，陶瓷，0.1μF，6.3V，+/-10%，X5R，0201
0201
GRM033R60J104KE19D
MuRata（村田）
C3、C5、C8、C10
4
1uF
电容，陶瓷，1μF，16V，+/-10%，X5R，0402
0402
EMK105BJ105KVHF
Taiyo Yuden
C4、C9
2
10nF
10000pF ±20% 16V 陶瓷电容器 X5R 01005（公制 0402）
010005
CM02X5R103M16AH
AVX
D1、D2、D3、D4
4
Rg
LED，Rg，SMD
1.6x0.8mm
HSMF-C165
Avago（安华高）
J3，J6
2
HDR12
NRPN062PARN-RC
Sullins Connector Solutions
R1、R2、R9、R10、R11、R12、R13、R20、R21、R28、R29、R30、R31、R32
14
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
R3、R5、R22、R24
4
150
电阻，150，5%，0.05W，0201
0201
RC0201JR-07150RL
Yageo America（国巨美国）
R4、R6、R23、R25
4
215
电阻，215，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-07215RL
Yageo America（国巨美国）
R7、R8、R26、R27
4
10.0k
电阻，10.0k，1%，0.1W，0402
0402
ERJ-2RKF1002X
Panasonic（松下）
R14、R15、R16、R17、R18、R33、R34、R35、R36、R37
10
33.0
电阻，33.0，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-0733RL
Yageo America（国巨美国）
U1
0
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA1EPWRQ1
德州仪器 (TI)
U2，U4
2
单路输出 LDO，1A，可调节电压（1.2V 至 5.0V），反向电流保护，DRV0006A (WSON-6)
DRV0006A
TPS73733DRVR
德州仪器 (TI)
U3
1
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA2EPWRQ1
德州仪器 (TI)
FID1、FID2、FID3
0
基准标记。没有需要购买或安装的元件。
不适用
不适用
不适用
J1、J4
0
接头，100mil，4x1，金，TH
4x1 接头
TSW-104-07-G-S
Samtec（申泰）
J2、J5
0
接头，2.54mm，2x1，金，TH
接头，2.54mm，2x1，TH
961102-6804-AR
3M
R19、R38
0
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
名称
数量
值
说明
封装参考
器件型号
制造商
名称
数量
值
说明
封装参考
器件型号
制造商
名称数量值说明封装参考器件型号制造商
!PCB1
1
印刷电路板
SENS107
不限
C1、C2、C6、C7
4
0.1uF
电容，陶瓷，0.1μF，6.3V，+/-10%，X5R，0201
0201
GRM033R60J104KE19D
MuRata（村田）
C3、C5、C8、C10
4
1uF
电容，陶瓷，1μF，16V，+/-10%，X5R，0402
0402
EMK105BJ105KVHF
Taiyo Yuden
C4、C9
2
10nF
10000pF ±20% 16V 陶瓷电容器 X5R 01005（公制 0402）
010005
CM02X5R103M16AH
AVX
D1、D2、D3、D4
4
Rg
LED，Rg，SMD
1.6x0.8mm
HSMF-C165
Avago（安华高）
J3，J6
2
HDR12
NRPN062PARN-RC
Sullins Connector Solutions
R1、R2、R9、R10、R11、R12、R13、R20、R21、R28、R29、R30、R31、R32
14
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
R3、R5、R22、R24
4
150
电阻，150，5%，0.05W，0201
0201
RC0201JR-07150RL
Yageo America（国巨美国）
R4、R6、R23、R25
4
215
电阻，215，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-07215RL
Yageo America（国巨美国）
R7、R8、R26、R27
4
10.0k
电阻，10.0k，1%，0.1W，0402
0402
ERJ-2RKF1002X
Panasonic（松下）
R14、R15、R16、R17、R18、R33、R34、R35、R36、R37
10
33.0
电阻，33.0，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-0733RL
Yageo America（国巨美国）
U1
0
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA1EPWRQ1
德州仪器 (TI)
U2，U4
2
单路输出 LDO，1A，可调节电压（1.2V 至 5.0V），反向电流保护，DRV0006A (WSON-6)
DRV0006A
TPS73733DRVR
德州仪器 (TI)
U3
1
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA2EPWRQ1
德州仪器 (TI)
FID1、FID2、FID3
0
基准标记。没有需要购买或安装的元件。
不适用
不适用
不适用
J1、J4
0
接头，100mil，4x1，金，TH
4x1 接头
TSW-104-07-G-S
Samtec（申泰）
J2、J5
0
接头，2.54mm，2x1，金，TH
接头，2.54mm，2x1，TH
961102-6804-AR
3M
R19、R38
0
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
!PCB1
1
印刷电路板
SENS107
不限
!PCB11印刷电路板SENS107不限
C1、C2、C6、C7
4
0.1uF
电容，陶瓷，0.1μF，6.3V，+/-10%，X5R，0201
0201
GRM033R60J104KE19D
MuRata（村田）
C1、C2、C6、C740.1uF电容，陶瓷，0.1μF，6.3V，+/-10%，X5R，02010201GRM033R60J104KE19DMuRata（村田）
C3、C5、C8、C10
4
1uF
电容，陶瓷，1μF，16V，+/-10%，X5R，0402
0402
EMK105BJ105KVHF
Taiyo Yuden
C3、C5、C8、C1041uF电容，陶瓷，1μF，16V，+/-10%，X5R，04020402EMK105BJ105KVHFTaiyo Yuden
C4、C9
2
10nF
10000pF ±20% 16V 陶瓷电容器 X5R 01005（公制 0402）
010005
CM02X5R103M16AH
AVX
C4、C9210nF10000pF ±20% 16V 陶瓷电容器 X5R 01005（公制 0402）010005CM02X5R103M16AHAVX
D1、D2、D3、D4
4
Rg
LED，Rg，SMD
1.6x0.8mm
HSMF-C165
Avago（安华高）
D1、D2、D3、D44 RgLED，Rg，SMD1.6x0.8mmHSMF-C165Avago（安华高）
J3，J6
2
HDR12
NRPN062PARN-RC
Sullins Connector Solutions
J3，J62HDR12NRPN062PARN-RCSullins Connector Solutions
R1、R2、R9、R10、R11、R12、R13、R20、R21、R28、R29、R30、R31、R32
14
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
R1、R2、R9、R10、R11、R12、R13、R20、R21、R28、R29、R30、R31、R32140电阻，0，5%，0.1W，06030603RC0603JR-070RLYageo
R3、R5、R22、R24
4
150
电阻，150，5%，0.05W，0201
0201
RC0201JR-07150RL
Yageo America（国巨美国）
R3、R5、R22、R244150电阻，150，5%，0.05W，02010201RC0201JR-07150RLYageo America（国巨美国）
R4、R6、R23、R25
4
215
电阻，215，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-07215RL
Yageo America（国巨美国）
R4、R6、R23、R254 215电阻，215，1%，0.05W，02010201RC0201FR-07215RLYageo America（国巨美国）
R7、R8、R26、R27
4
10.0k
电阻，10.0k，1%，0.1W，0402
0402
ERJ-2RKF1002X
Panasonic（松下）
R7、R8、R26、R27410.0k电阻，10.0k，1%，0.1W，04020402ERJ-2RKF1002XPanasonic（松下）
R14、R15、R16、R17、R18、R33、R34、R35、R36、R37
10
33.0
电阻，33.0，1%，0.05W，0201
0201
RC0201FR-0733RL
Yageo America（国巨美国）
R14、R15、R16、R17、R18、R33、R34、R35、R36、R371033.0电阻，33.0，1%，0.05W，02010201RC0201FR-0733RLYageo America（国巨美国）
U1
0
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA1EPWRQ1
德州仪器 (TI)
U10具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器TSSOP16TMAG5170DA1EPWRQ1德州仪器 (TI)
U2，U4
2
单路输出 LDO，1A，可调节电压（1.2V 至 5.0V），反向电流保护，DRV0006A (WSON-6)
DRV0006A
TPS73733DRVR
德州仪器 (TI)
U2，U42单路输出 LDO，1A，可调节电压（1.2V 至 5.0V），反向电流保护，DRV0006A (WSON-6)DRV0006ATPS73733DRVR德州仪器 (TI)
U3
1
具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器
TSSOP16
TMAG5170DA2EPWRQ1
德州仪器 (TI)
U31具有 SPI 的双芯片高精度 3D 线性霍尔效应传感器TSSOP16TMAG5170DA2EPWRQ1德州仪器 (TI)
FID1、FID2、FID3
0
基准标记。没有需要购买或安装的元件。
不适用
不适用
不适用
FID1、FID2、FID30基准标记。没有需要购买或安装的元件。不适用不适用不适用
J1、J4
0
接头，100mil，4x1，金，TH
4x1 接头
TSW-104-07-G-S
Samtec（申泰）
J1、J40接头，100mil，4x1，金，TH4x1 接头TSW-104-07-G-SSamtec（申泰）
J2、J5
0
接头，2.54mm，2x1，金，TH
接头，2.54mm，2x1，TH
961102-6804-AR
3M
J2、J50接头，2.54mm，2x1，金，TH接头，2.54mm，2x1，TH961102-6804-AR3M
R19、R38
0
0
电阻，0，5%，0.1W，0603
0603
RC0603JR-070RL
Yageo
R19、R3800电阻，0，5%，0.1W，06030603RC0603JR-070RLYageo
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TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担保。
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这些资源可供使用 TI 产品进行设计的熟练开发人员使用。您将自行承担以下全部责任：(1) 针对您的应用选择合适的
TI 产品，(2) 设计、验证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他功能安全、信息安全、监管或其他要求。
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这些资源如有变更，恕不另行通知。TI 授权您仅可将这些资源用于研发本资源所述的 TI
产品的应用。严禁对这些资源进行其他复制或展示。您无权使用任何其他 TI 知识产权或任何第三方知识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对 TI
及其代表造成的任何索赔、损害、成本、损失和债务，TI 对此概不负责。
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TI 提供的产品受 TI 的销售条款或 ti.com 上其他适用条款/TI
产品随附的其他适用条款的约束。TI 提供这些资源并不会扩展或以其他方式更改 TI 针对 TI
产品发布的适用的担保或担保免责声明。
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