ZHCUAP1A December   2022  – January 2023

 

  1.   说明
  2.   资源
  3.   特性
  4.   应用
  5.   5
  6. 1系统说明
  7. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 控制逻辑说明
      2. 2.2.2 整个充电周期的行为
      3. 2.2.3 典型设计建议
      4. 2.2.4 仿真结果
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 TPSI3052-Q1
      2. 2.3.2 TLV7011
      3. 2.3.3 UCC27517A-Q1
  8. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
  9. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 物料清单
    2. 4.2 文档支持
    3. 4.3 支持资源
    4. 4.4 商标
  10. 5关于作者
  11. 6修订历史记录

3.3 测试结果

以下 PCB 展示了由有源预充电所占用的区域。有源预充电设计的总面积为 (80mm x 55mm)，高度为 26mm。下面显示的原理图表示经过测试的设计，结果如下所示。
GUID-20221206-SS0I-QS65-GLHF-P0NHMKNSKRSS-low.png图 3-1 电路板
GUID-20221206-SS0I-GLNG-SZW2-GLKQSTPKFLBZ-low.gif图 3-2 原理图
以下示波器捕捉展示了在 400V 输入和 2mF 输出电容下运行的有源预充电。对于此测试，使用了额定电压为 1.2kV 的 E3M0075120K SiC MOSFET。大电容按照预期在 200ms 内预充电。
GUID-20221206-SS0I-JVSJ-TP0C-S5MS6Q8PWK8Q-low.png图 3-3 400V 下的 TPSI3052-Q1，带 E3M0075120K（MOSFET 1200V/75mΩ，SiC，E3M，TO-247-4）
以下示波器捕捉展示了在 800V 输入和 2mF 输出电容下运行的有源预充电。对于此测试，使用了额定电压为 1.2kV 的 E3M0075120K SiC MOSFET。大电容按照预期在 400ms 内预充电。
GUID-20221206-SS0I-TJ5B-N6QP-K6X7JQ1GJVWH-low.png图 3-4 800V 下的 TPSI3052-Q1，带 E3M0075120K（MOSFET 1200V/75mΩ，SiC，E3M，TO-247-4）
以下示波器捕捉展示了在 400V 输入和 2mF 输出电容下运行的有源预充电。对于此测试，使用了额定电压为 650V 的 E3M0060065K SiC MOSFET。正如预期的那样，大电容在 200 毫秒内完成预充电。
GUID-20221206-SS0I-68TC-F2GT-DWLS4FRGN87R-low.png图 3-5 400V 下的 TPSI3052-Q1，带 E3M0060065K（MOSFET 650V/60mΩ，SiC，E3M，TO-247-4）