ZHCUAP1A December 2022 – January 2023
3.3 测试结果
以下 PCB 展示了由有源预充电所占用的区域。有源预充电设计的总面积为 (80mm x 55mm)，高度为 26mm。下面显示的原理图表示经过测试的设计，结果如下所示。
图 3-1 电路板
图 3-2 原理图以下示波器捕捉展示了在 400V 输入和 2mF 输出电容下运行的有源预充电。对于此测试，使用了额定电压为 1.2kV 的 E3M0075120K SiC MOSFET。大电容按照预期在 200ms 内预充电。
图 3-3 400V 下的 TPSI3052-Q1，带 E3M0075120K（MOSFET 1200V/75mΩ，SiC，E3M，TO-247-4）以下示波器捕捉展示了在 800V 输入和 2mF 输出电容下运行的有源预充电。对于此测试，使用了额定电压为 1.2kV 的 E3M0075120K SiC MOSFET。大电容按照预期在 400ms 内预充电。
图 3-4 800V 下的 TPSI3052-Q1，带 E3M0075120K（MOSFET 1200V/75mΩ，SiC，E3M，TO-247-4）以下示波器捕捉展示了在 400V 输入和 2mF 输出电容下运行的有源预充电。对于此测试，使用了额定电压为 650V 的 E3M0060065K SiC MOSFET。正如预期的那样，大电容在 200 毫秒内完成预充电。
图 3-5 400V 下的 TPSI3052-Q1，带 E3M0060065K（MOSFET 650V/60mΩ，SiC，E3M，TO-247-4）