ZHCUAP1A December   2022  – January 2023

 

  1.   说明
  2.   资源
  3.   特性
  4.   应用
  5.   5
  6. 1系统说明
  7. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 控制逻辑说明
      2. 2.2.2 整个充电周期的行为
      3. 2.2.3 典型设计建议
      4. 2.2.4 仿真结果
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 TPSI3052-Q1
      2. 2.3.2 TLV7011
      3. 2.3.3 UCC27517A-Q1
  8. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
  9. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 物料清单
    2. 4.2 文档支持
    3. 4.3 支持资源
    4. 4.4 商标
  10. 5关于作者
  11. 6修订历史记录

2.3.3 UCC27517A-Q1

UCC27517A-Q1 单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 开关。借助于能够将击穿电流降至极低水平的设计，UCC27517A-Q1 可以将高峰值电流脉冲灌入和拉取到容性负载中，从而提供轨至轨驱动能力和极小的传播延迟（通常为 13ns）。

UCC27517A-Q1 器件在输入上处理 -5V 电压。

UCC27517A-Q1 在 VDD = 12V 时提供 4A 拉电流和 4A 灌电流（对称驱动）峰值驱动电流功能。

UCC27517A-Q1 可在 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围以及 –40°C 至 140°C 的宽温度范围内运行。VDD 引脚上的内部欠压闭锁 (UVLO) 电路可在 VDD 工作范围之外保持输出低电平。此器件能够在低电压电平（例如低于 5V）下运行，并且拥有同类产品中非常出色的开关特性，因此非常适用于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。