ZHCUAM4 March   2021

 

  1.   LM74800 评估模块：LM74800EVM-CS
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 特性
    2. 1.2 应用
  4. 2说明
    1. 2.1 输入功率和负载（J1/J3 和 J2/J4）：
    2. 2.2 使能控制 (J5)：
    3. 2.3 过压保护 (J6)：
    4. 2.4 两个背对背连接的 MOSFET（Q1/Q3 和 Q2）：
    5. 2.5 输出压摆率控制（R2 和 C4）：
    6. 2.6 输出肖特基二极管 (D3) 和 LED 指示：
    7. 2.7 针对 200V 未抑制负载突降保护的 TVS 选择：
    8. 2.8 测试点：
  5. 3原理图
  6. 4测试设备要求
    1. 4.1 电源
    2. 4.2 仪表
    3. 4.3 示波器
    4. 4.4 负载
  7. 5测试设置和结果
    1. 5.1 初始设置
    2. 5.2 上电
    3. 5.3 未抑制的 200V 负载突降保护
    4. 5.4 ISO 7637-2 脉冲 1–600V 50Ω
  8. 6电路板布局和物料清单
    1. 6.1 电路板布局
    2. 6.2 物料清单
  9.   修订历史记录

2.4 两个背对背连接的 MOSFET（Q1/Q3 和 Q2）：

Q1 和 Q2 分别是额定电压为 200V 和 60V 的 N 沟道 MOSFET，能够为汽车应用提供 2A 负载电流。MOSFET 以共源极拓扑背对背连接，因此可支持 200V 未抑制负载突降保护、反向电池保护、反向电流阻断，并可在禁用或过压情况下提供电源路径切断。方案 Q3 提供将电流扩展至 5A 的电流，可用于验证其他 MOSFET。