ZHCU830B april   2021  – april 2023

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 主要产品
      1. 2.3.1 LMG342xR030
      2. 2.3.2 TMS320F28002x
      3. 2.3.3 OPA607
      4. 2.3.4 UCC21222
  9. 3硬件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
      1. 3.3.1 测试过程
      2. 3.3.2 性能数据：效率、iTHD 和功率因数
      3. 3.3.3 功能波形
        1. 3.3.3.1 电流检测和保护
        2. 3.3.3.2 功率级启动和输入波形
        3. 3.3.3.3 交流压降测试
        4. 3.3.3.4 浪涌测试
        5. 3.3.3.5 EMI 测试
      4. 3.3.4 热力测试
      5. 3.3.5 GaN FET 开关波形
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 文档支持
    3. 4.3 支持资源
    4. 4.4 商标
  11. 5关于作者
  12. 6修订历史记录

3.3.3.4 浪涌测试

在此设计中，在 ACL 和 ACN 之间执行了雷击浪涌测试。图 3-14 展示了未连接 EUT 时的 3kV 火线与零线间浪涌电压波形。


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图 3-14 浪涌电压波形

通过使用该浪涌波形，测试了输入电流和 PFC 扼流电流，该电流与流过 GaN FET 的电流相同。结果清晰表明，浪涌电流完全被浪涌二极管绕过，不会对 GaN FET 带来风险（请参见图 3-15）。


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图 3-15 GaN FET，浪涌测试中的扼流电流

流过 MOSFET 的浪涌电流会带来威胁。如图 3-16 中的测试波形所示，3kV 浪涌下的电流超过了 MOSFET 的最大峰值电流规格。


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图 3-16 流经 MOSFET 的浪涌电流

实验表明，功率级在 ±3kV 浪涌下仍可承受，但 MOSFET 桥臂在 –4kV 浪涌下断开。图 3-17 和图 3-18 分别展示了 ±3kV 下的浪涌波形。


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图 3-17 +3kV 90 度下的浪涌测试

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图 3-18 -3kV 90 度下的浪涌测试