ZHCU830B april   2021  – april 2023

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 主要产品
      1. 2.3.1 LMG342xR030
      2. 2.3.2 TMS320F28002x
      3. 2.3.3 OPA607
      4. 2.3.4 UCC21222
  9. 3硬件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
      1. 3.3.1 测试过程
      2. 3.3.2 性能数据：效率、iTHD 和功率因数
      3. 3.3.3 功能波形
        1. 3.3.3.1 电流检测和保护
        2. 3.3.3.2 功率级启动和输入波形
        3. 3.3.3.3 交流压降测试
        4. 3.3.3.4 浪涌测试
        5. 3.3.3.5 EMI 测试
      4. 3.3.4 热力测试
      5. 3.3.5 GaN FET 开关波形
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 文档支持
    3. 4.3 支持资源
    4. 4.4 商标
  11. 5关于作者
  12. 6修订历史记录

2.3.4 UCC21222

UCC21222 器件是具有可编程死区时间的隔离式双通道栅极驱动器。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21222 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kV RMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

可通过电阻器进行编程的死区时间帮助您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。