6 输出肖特基二极管选择

图 8 展示了当使 OUT 引脚低于接地值时，IC 内部可能发生的一系列事件。寄生 PN 结二极管开始导通，这会将自由电子注入基板。这些自由电子会干扰其他控制单元，从而可能使 IC 复位或导致闩锁效应事件。通过寄生 PN 结二极管的大电流传导可能会引起 EOS 并导致 EIPD。

通过降低 OUT 引脚上的峰值负电压或限制通过 OUT 引脚的电流，可以防止这些问题。在 OUT 引脚附近添加一个输出电容器，可将会吸收负电压峰值中的部分能量，并控制压摆率以限制峰值负电压。在 OUT 引脚上添加一个低正向电压肖特基二极管可提供替代电流路径并限制流经 IC 的电流。

有效钳位需要电容器和肖特基二极管的组合。虽然较高输出电容器很有用，但选择肖特基二极管时请遵循以下指导原则：

• 直流阻断电压必须大于最大输入工作电压。
• 所选二极管的非重复峰值正向浪涌电流必须大于 I_P。
• I_P 处的正向压降必须处于 OUT 引脚的绝对最大额定值范围内（对于 TPS25984B 为 –1V）。

在此应用中，我们并联使用了两个 Diodes Incorporated 生产的 SBR10U45SP5 [6] 二极管。

图 9 所示为 TPS25984B 解决方案中采用和不采用肖特基二极管时的输出钳位性能。

处理高电流热插拔解决方案时，次级保护（如 图 10 所示）可以最大限度地降低输出端对肖特基二极管的要求。如您所见，D1 将吸收负电压瞬变中的大部分能量。添加 47Ω 等低阻值电阻器 (R1) 和 SS13 等二极管 (D2) 将显著限制剩余能量。