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ZHCSZG0 December 2025 UCC21711-Q1

PRODUCTION DATA

5.9 电气特性

VCC = 3.3V 或 5.0V、从 VCC 至 GND 的 1μF 电容器、VDD–COM = 20V、18V 或 15V、COM–VEE = 0V、5V、8V 或 15V、C_L=100pF、–40°C<T_J<150°C（除非另有说明）⁽¹⁾⁽²⁾。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
VCC UVLO 阈值和延迟
V_{VCC_ON}	VCC–GND		2.55	2.7	2.85	V
V_{VCC_OFF}			2.35	2.5	2.65
V_{VCC_HYS}				0.2
t_VCCFIL	VCC UVLO 抗尖峰脉冲时间			10		µs
t_{VCC+ to OUT}	VCC UVLO 导通延迟至输出高电平	IN+ = VCC，IN– = GND	28	37.8	50
t_{VCC– to OUT}	VCC UVLO 关断延迟至输出低电平	IN+ = VCC，IN– = GND	5	10	15
t_{VCC+ to RDY}	VCC UVLO 导通延迟至 RDY 高电平	RST/EN = VCC	25	37.8	50
t_{VCC– to RDY}	VCC UVLO 关断延迟至 RDY 低电平	RST/EN = VCC	5	10	15
VDD UVLO 阈值和延迟
V_{VDD_ON}	VDD-COM		10.5	12.0	12.8	V
V_{VDD_OFF}			9.9	10.7	11.8
V_{VDD_HYS}				0.8
t_VDDFIL	VDD UVLO 抗尖峰脉冲时间			5		µs
t_{VDD+ to OUT}	VDD UVLO 导通延迟至输出高电平	IN+ = VCC，IN– = GND	2	5	8
t_{VDD– to OUT}	VDD UVLO 关断延迟至输出低电平	IN+ = VCC，IN– = GND		5	10
t_{VDD+ to RDY}	VDD UVLO 导通延迟至 RDY 高电平	RST/EN = FLT = 高电平		10	15
t_{VDD– to RDY}	VDD UVLO 关断延迟至 RDY 低电平	RST/EN = FLT = 高电平		10	15
VCC，VDD 静态电流
I_VCCQ	VCC 静态电流	OUT (H) = 高电平、f_S = 0Hz、AIN = 2V	2.5	3	4	mA
I_VCCQ	VCC 静态电流	OUT (L) = 低电平、f_S = 0Hz、AIN = 2V	1.45	2	2.75	mA
I_VDDQ	VDD 静态电流	OUT (H) = 高电平、f_S = 0Hz、AIN = 2V	3.6	4	5.9	mA
I_VDDQ	VDD 静态电流	OUT (L) = 低电平、f_S = 0Hz、AIN = 2V	3.1	3.7	5.3	mA
逻辑输入 — IN+、IN– 和 RST/EN
V_INH	输入高阈值	V_CC = 3.3V		1.85	2.31	V
V_INL	输入低阈值	V_CC = 3.3V	0.99	1.52		V
V_INHYS	输入阈值迟滞	V_CC = 3.3V		0.33		V
I_IH	输入高电平输入漏电流	V_IN = VCC		90		µA
I_IL	输入低电平输入漏电流	V_IN = GND		-90		µA
R_IND	输入引脚下拉电阻	有关更多信息，请参阅详细描述		55		kΩ
R_INU	输入引脚上拉电阻	有关更多信息，请参阅详细描述		55		kΩ
T_INFIL	IN+、IN– 和 RST/EN 抗尖峰脉冲（导通和关断）滤波时间	f_S = 50kHz	28	40	60	ns
T_RSTFIL	复位 /FLT 的抗尖峰脉冲滤波时间		400	650	800	ns
栅极驱动器级
I_OUT，I_OUTH	峰值拉电流	C_L=0.18µF，f_S=1kHz		10		A
I_OUT，I_OUTL	峰值灌电流	C_L=0.18µF，f_S=1kHz		10		A
R_OUTH^⁽³⁾	输出上拉电阻	I_OUT = -0.1A		2.5		Ω
R_OUTL	输出下拉电阻	I_OUT = 0.1A		0.3		Ω
V_OUTH	高电平输出电压	I_OUT = –0.2A，V_DD = 18V		17.5		V
V_OUTL	低电平输出电压	I_OUT = 0.2A		60		mV
有源下拉
V_OUTPD	OUT、OUTL 上的输出有源下拉	I_OUTL 或 I_OUT = 0.1 × I_OUT(L)(tpy)，VDD=OPEN，VEE=COM	1.5	2	2.5	V
内部有源米勒钳位
V_CLMPTH	米勒钳位阈值电压	参考 VEE	1.5	2.0	2.5	V
V_CLMPI	输出低钳位电压	I_CLMPI = 1A		VEE + 0.5		V
I_CLMPI	输出低钳位电流	V_CLMPI = 0V，VEE = –2.5V		4		A
R_CLMPI	米勒钳位下拉电阻	I_CLMPI = 0.2A		0.6		Ω
t_DCLMPI	米勒钳位导通延迟时间	C_L = 1.8nF		15	50	ns
短路钳位
V_CLP-OUT(H)	V_OUT–VDD，V_OUTH–VDD	OUT = 低电平、I_OUT(H)= 500mA、t_CLP =10us		0.9		V
V_CLP-OUT(L)	V_OUT–VDD，V_OUTL–VDD	OUT = 高电平、I_OUT(L)= 500mA、t_CLP = 10us		1.8		V
V_CLP-CLMPI	V_CLMPI–VDD	OUT = 高电平、I_CLMPI = 20mA、t_CLP = 10us		1.0		V
OC 保护
I_DCHG	OC 下拉电流	V_OC = 1V		40		mA
V_OCTH	检测阈值		0.63	0.7	0.77	V
V_OCL	OUT (L) = 低电平时的电压，以 COM 为基准	I_OC = 5mA		0.13		V
t_OCFIL	OC 故障抗尖峰脉冲滤波器		95	120	180	ns
t_OCOFF	OC 至 OUT(L) 的传播延迟 90%		150	270	400	ns
t_OCFLT	OC 至 FLT 低电平延迟		300	800	1250	ns
内部软关断
I_STO	故障条件下的软关断电流	V_DD-V_EE=20V，V_OUTL-COM=8V	250	400	570	mA
隔离式温度检测和监测 (AIN–APWM)
V_AIN	模拟检测电压范围		0.6		4.5	V
I_AIN	内部电流源	V_AIN = 2.5V、-40°C < T_J< 150°C	196	200	209	µA
f_APWM	APWM 输出频率	V_AIN=2.5V	380	400	420	kHz
BW_AIN	AIN–APWM 带宽			10		kHz
D_APWM	APWM 占空比	V_AIN = 0.6V	86.5	88	89.5	%
		V_AIN = 2.5V	48.5	50	51.5
		V_AIN = 4.5V	7.5	10	11.5
FLT 和 RDY 报告
t_RDYHLD	VDD UVLO RDY 低电平最小保持时间		0.55		1	ms
t_FLTMUTE	故障时的输出静音时间	通过 RST/EN 重置故障	0.55		1	ms
R_ODON	开漏输出导通电阻	I_ODON = 5mA		30		Ω
V_ODL	开漏低输出电压	IODON = 5mA			0.31	V
共模瞬态抗扰度
CMTI	共模瞬态抗扰度		150			V/ns

(1) 电流是指定端子的正输入、负输出。

(2) 所有电压均以 COM 为基准，除非另有说明。

(3) 仅限内部 PMOS。请参阅特性描述了解有效上拉电阻。