ZHCSZG0 December   2025 UCC21711-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟
      1. 6.1.1 定期关断
    2. 6.2 输入抗尖峰脉冲滤波器
    3. 6.3 有源米勒钳位
      1. 6.3.1 内部片上有源米勒钳位
    4. 6.4 欠压锁定 (UVLO)
      1. 6.4.1 VCC UVLO
      2. 6.4.2 VDD UVLO
    5. 6.5 OC（过流）保护
      1. 6.5.1 具有软关断功能的 OC 保护
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电源
      2. 7.3.2  驱动器级
      3. 7.3.3  VCC 和 VDD 欠压锁定 (UVLO)
      4. 7.3.4  有源下拉
      5. 7.3.5  短路钳位
      6. 7.3.6  内部有源米勒钳位
      7. 7.3.7  过流和短路保护
      8. 7.3.8  软关断
      9. 7.3.9  故障（FLT、复位和启用 (RST/EN）
      10. 7.3.10 隔离式模拟至 PWM 信号功能
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 IN+、IN– 和 RST/EN 的输入滤波器
        2. 8.2.2.2 IN+ 和 IN– 的 PWM 互锁
        3. 8.2.2.3 FLT、RDY 和 RST/EN 引脚电路
        4. 8.2.2.4 RST/EN 引脚控制
        5. 8.2.2.5 导通和关断栅极电阻器
        6. 8.2.2.6 过流和短路保护
          1. 8.2.2.6.1 基于具有集成 SenseFET 的电源模块的保护
          2. 8.2.2.6.2 基于去饱和电路的保护
          3. 8.2.2.6.3 基于电源环路中分流电阻器的保护
        7. 8.2.2.7 隔离式模拟信号感测
          1. 8.2.2.7.1 隔离式温度感测
          2. 8.2.2.7.2 隔离式直流母线电压感测
        8. 8.2.2.8 使用外部电流缓冲器实现更高的输出电流
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.3 VCC 和 VDD 欠压锁定 (UVLO)

UCC21711-Q1 为输入和输出电源 VCC 和 VDD 实现内部 UVLO 保护功能。当电源电压低于阈值电压时，驱动器输出保持低电平。仅当 VCC 和 VDD 都脱离 UVLO 状态时，输出才会变为高电平。UVLO 保护功能不但能在低电源电压条件下降低驱动器本身的功耗，还可以提高功率级的效率。对于 SiC MOSFET 和 IGBT，导通电阻会随着栅源极电压或栅射极电压的升高而降低。如果功率半导体导通时 VDD 值很低，则导通损耗会显著增加，并可能导致热问题和功率级效率降低。UCC21711-Q1 可实现 12V 的 VDD UVLO 阈值电压，迟滞电压为 800mV。该阈值电压适用于 SiC MOSFET 和 IGBT。

UVLO 保护块具有迟滞功能和去扰滤波器，有助于提高电源的抗噪性。在导通和关断开关瞬态期间，驱动器会从电源拉取和灌入峰值瞬态电流，从而使电源突然产生压降。借助迟滞功能和 UVLO 抗尖峰脉冲滤波器，内部 UVLO 保护块将忽略正常开关瞬态期间的小噪声。

VCC 和 VDD 的 UVLO 功能的时序图如 图 7-8 和图 7-9 所示。输入侧的 RDY 引脚用于指示电源是否处于正常状态。RDY 引脚为开漏。在 UVLO 条件下，RDY 引脚保持在低电平状态并与 GND 相连。通常，该引脚电压通过外部上拉至 VCC，以指示电源处于正常状态。AIN-APWM 功能在 UVLO 状态期间停止工作。输入侧的 APWM 引脚将保持低电平。