ZHCSZC5 December 2025 TPS544B27W
PRODUCTION DATA
TPS544B27W 通过 PMB_ADDR 引脚和 AGND 之间的电阻器提供可选的 PMBus 地址,或者通过将地址值写入 PMBus (D2h) PMB_ADDR 命令中的 PMB_ADDR 字段提供可编程地址。在 VCC 上电时检测电阻值。要使用编程到 PMBus (D2h) PMB_ADDR 命令中的地址,必须设置也位于 PMBus (D2h) PMB_ADDR 命令中的 OVRD_PMB_ADDR 位并且必须在器件响应编程的地址之前复位 VCC。
通过连接至 AGND 的电阻器选择的 PMB_ADDR 预配置 PMBus 地址如表 6-6 所示。需要一个容差为 ±1% 且温度系数为 ±100ppm/°C 或更高的电阻器。最多可选择 8 个不同的地址。表 6-6 中标记有 X 的位由 PMBus (D2h) PMB_ADDR 命令中的 SEL_PSTR_ADDR_BASE 进行编程。
除了设置 PMBus 地址外,还可在 SVID 寄存器 VBOOT、偏移和 DC_LL 的两个源之间选择 PMB_ADDR 引脚电阻器值。从中选择的两个源称为选项 0 和 1。表 6-7 总结了选项 0 和选项 1 的源。由于在 VCC 上电时,在 PMB_ADDR 处检测到电阻器值,因此必须将 VCC 复位以便在选项 0 和 1 之间切换。
| RADDR (kΩ) | PMBUS® 地址(二进制) | PMBUS® 地址,且 SEL_PSTR_ADDR_BASE = 1110b | VBOOT、OFFSET、DCLL | |
|---|---|---|---|---|
| 二进制 | 十六进制 | |||
| ≤1.78(短路) | XXXX001 | 1110001 | 71 | 1 |
| 2.21 | XXXX000 | 1110000 | 70 | |
| 2.74 | XXXX010 | 1110010 | 72 | |
| 3.32 | XXXX011 | 1110011 | 73 | |
| 4.02 | XXXX001 | 1110001 | 71 | 0 |
| 4.87 | XXXX000 | 1110000 | 70 | |
| 5.9 | XXXX010 | 1110010 | 72 | |
| 7.32 | XXXX011 | 1110011 | 73 | |
| 9.09 | XXXX111 | 1110111 | 77 | 1 |
| 11.3 | XXXX110 | 1110110 | 76 | |
| 14.3 | XXXX101 | 1110101 | 75 | |
| 18.2 | XXXX100 | 1110100 | 74 | |
| 22.1 | XXXX011 | 1110011 | 73 | |
| 26.7 | XXXX010 | 1110010 | 72 | |
| 33.2 | XXXX001 | 1110001 | 71 | |
| 40.2 | XXXX000 | 1110000 | 70 | |
| 49.9 | XXXX111 | 1110111 | 77 | 0 |
| 60.4 | XXXX110 | 1110110 | 76 | |
| 76.8 | XXXX101 | 1110101 | 75 | |
| 102 | XXXX100 | 1110100 | 74 | |
| 137 | XXXX011 | 1110011 | 73 | |
| 174 | XXXX010 | 1110010 | 72 | |
| 243 | XXXX001 | 1110001 | 71 | |
| ≥412 (FLOAT) | XXXX000 | 1110000 | 70 | |
| 选项 | SVID 寄存器的 PMBUS® 源 | ||
|---|---|---|---|
| SVID (23h) DC_LL | SVID (26h) VBOOT | SVID (33h) OFFSET | |
| 0 | PMBus (D6h) VBOOT_DCLL 中的 DCLL_0 字段 | PMBus (D6h) VBOOT_DCLL 中的 VBOOT_0 字段 | PMBus (22h) VOUT_TRIM |
| 1 | PMBus (D6h) VBOOT_DCLL 中的 DCLL_1 字段 | PMBus (D7h) VBOOT_OFFSET_1 中的 VBOOT_1 字段 | PMBus (D7h) VBOOT_OFFSET_1 中的 OFFSET_1 字段 |