ZHCSZ26 October 2025 LM251772-Q1
PRODUCTION DATA
表 9-1 列出了 LM251772 寄存器的存储器映射寄存器。表 9-1 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不得修改寄存器内容。
| 偏移 | 首字母缩写词 | 寄存器名称 | 部分 |
|---|---|---|---|
| 3h | CLEAR_FAULTS | CLEAR_FAULTS | 节 9.1 |
| Ah | ILIM_THRESHOLD | ILIM_THRESHOLD | 节 9.2 |
| Ch | VOUT_TARGET1_LSB | VOUT_TARGET1_LSB | 节 9.3 |
| Dh | VOUT_TARGET1_MSB | VOUT_TARGET1_MSB | 节 9.4 |
| 21h | USB_PD_STATUS_0 | USB_PD_STATUS_0 | 节 9.5 |
| 78h | STATUS_BYTE | STATUS_BYTE | 节 9.6 |
| 81h | USB_PD_CONTROL_0 | USB_PD_CONTROL_0 | 节 9.7 |
| D0h | MFR_SPECIFIC_D0 | MFR_SPECIFIC_D0 | 节 9.8 |
| D1h | MFR_SPECIFIC_D1 | MFR_SPECIFIC_D1 | 节 9.9 |
| D2h | MFR_SPECIFIC_D2 | MFR_SPECIFIC_D2 | 节 9.10 |
| D5h | MFR_SPECIFIC_D5 | MFR_SPECIFIC_D5 | 节 9.11 |
| D6h | MFR_SPECIFIC_D6 | MFR_SPECIFIC_D6 | 节 9.12 |
| D7h | MFR_SPECIFIC_D7 | MFR_SPECIFIC_D7 | 节 9.13 |
| D8h | MFR_SPECIFIC_D8 | MFR_SPECIFIC_D8 | 节 9.14 |
| DAh | IVP_VOLTAGE | IVP_VOLTAGE | 节 9.15 |
复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 9-2 展示了适用于此部分中访问类型的代码。
| 访问类型 | 代码 | 说明 |
|---|---|---|
| 读取类型 | ||
| R | R | 读取 |
| 写入类型 | ||
| W | W | 写入 |
| 复位或默认值 | ||
| -n | 复位后的值或默认值 | |
表 9-3 展示了 CLEAR_FAULTS。
返回到汇总表。
清除所有锁存的状态标志
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-0 | CLEAR_FAULTS | R | 0h | 访问地址足以清除故障 |
表 9-4 展示了 ILIM_THRESHOLD。
返回到汇总表。
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-0 | ILIM_THRESHOLD | R/W | 12h | ISNS 电流限制阈值电压。括号中的值考虑了一个 10mΩ 的检测电阻
|
VOUT_TARGET1_LSB 如表 9-5 所示。
返回到汇总表。
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-0 | VOUT_A | R/W | FFh | 输出目标电压 逻辑寄存器 Vout 设置 下限：3.3V 或 1V，具体取决于 SEL__FB_DIV20 上限：48V 或 24V，具体取决于 SEL__FB_DIV20 步长：20mV 或 10mV，具体取决于 SEL__FB_DIV20 针对 20mV 进行值计算方程式 3 针对 10mV 进行值计算方程式 2 |
VOUT_TARGET1_MSB 如表 9-6 所示。
返回到汇总表。
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-4 | NIL | R | 0h | 此位未在硬件中实现。在写入操作期间会忽略此位的数据。在读取操作期间会返回 0。 |
| 3-0 | VOUT_A | R/W | 0h | 输出目标电压 逻辑寄存器 Vout 设置 下限：3.3V 或 1V，具体取决于 SEL__FB_DIV20 上限：48V 或 24V，具体取决于 SEL__FB_DIV20 步长：20mV 或 10mV，具体取决于 SEL__FB_DIV20 针对 20mV 进行值计算方程式 3 针对 10mV 进行值计算方程式 2 |
USB_PD_STATUS_0 如表 9-7 所示。
返回到汇总表。
USB-PD 状态寄存器
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | NIL | R | 0h | 此位未在硬件中实现。在写入操作期间会忽略此位的数据。在读取操作期间会返回 0。 |
| 6 | CC_OPERATION | R | 0h | 恒流 (CC) ILIM 运行的瞬时状态 |
| 5-0 | NIL | R | 0h | 此位未在硬件中实现。在写入操作期间会忽略此位的数据。在读取操作期间会返回 0。 |
表 9-8 展示了 STATUS_BYTE。
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故障状态低字节
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | BUSY | R | 0h | 单元处于忙状态
|
| 6 | OFF | R | 0h | 器件不提供 VOUT 和/或者单元已关闭
|
| 5 | VOUT | R | 0h | VOUT_OV 故障
|
| 4 | IOUT | R | 0h | IOUT_OC 故障
|
| 3 | 输入 | R | 0h | VIN_UV 故障
|
| 2 | 温度 | R | 0h | 温度故障或警告
|
| 1 | CML | R | 0h | 通信、逻辑、存储器事件
|
| 0 | 其他 | R | 0h | 其他故障或警告
|
USB_PD_CONTROL_0 如表 9-9 所示。
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USB-PD 控制寄存器
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-2 | NIL | R | 0h | 此位未在硬件中实现。在写入操作期间会忽略此位的数据。在读取操作期间会返回 0。 |
| 1 | FORCE_DISCH | R/W | 0h | 激活 Vo 放电
|
| 0 | CONV_EN2 | R/W | 0h | 启用功率级
|
MFR_SPECIFIC_D0 如表 9-10 所示。
返回到汇总表。
CONFIG_0 器件配置寄存器 0
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | NIL | R | 0h | 此位未在硬件中实现。在写入操作期间会忽略此位的数据。在读取操作期间会返回 0。 |
| 6 | EN_NEG_CL_LIMIT | R/W | 0h | 为负电流限制启用 ILIM，如果禁用，ILIM 将钳位 I_L
|
| 5 | EN_VCC1 | R/W | 1h | 启用 VCC1 辅助 LDO
|
| 4 | IMON_LIMITER_EN | R/W | 1h | 在限制器配置中启用 Imon
|
| 3 | HICCUP_EN | R/W | 0h | 启用断续短路
|
| 2 | DRSS_EN | R/W | 0h | 启用双展频
|
| 1 | USLEEP_EN | R/W | 1h | 启用微睡眠模式
|
| 0 | CONV_EN | R/W | 0h | 启用功率级
|
MFR_SPECIFIC_D1 如表 9-11 所示。
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CONFIG_1 器件配置寄存器 1
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | EN_THER_WARN | R/W | 0h | 启用热警告
|
| 6-5 | THW_THRESHOLD | R/W | 0h | 选择热警告阈值
|
| 4 | EN_NINT | R/W | 1h | 配置 nFLT 引脚处理程序以用作中断引脚或 nFLT 引脚
|
| 3 | EN_DTRK_STARTOVER | R/W | 1h | 允许在启用 DTRK 的情况下无需等待 DTRK PWM 信号即可直接启动
|
| 2 | FORCE_BIASPIN | R/W | 0h | 允许通过降低阈值优先从 BIAS 为 VCC2 供电。
|
| 1 | EN_BB_2P_FPWM | R/W | 0h | 在 fPWM 模式下启用两相 BB 开关
|
| 0 | EN_BB_2P_PSM | R/W | 1h | 在 PSM 模式下启用两相 BB 开关
|
MFR_SPECIFIC_D2 如表 9-12 所示。
返回到汇总表。
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | NIL | R | 0h | 此位未在硬件中实现。在写入操作期间会忽略此位的数据。在读取操作期间会返回 0。 |
| 6 | EN_ACTIVE_DVS | R/W | 1h | 通过放电为 DVS 启用主动斜降
|
| 5-4 | DVS_SLEW_RAMP | R/W | 3h | 设置 DVS 的正负 Vo 压摆率
|
| 3-2 | DISCHARGE_STRENGTH | R/W | 2h | 设置 Vo 放电的放电电流
|
| 1 | DISCHARGE_CONFIG0 | R/W | 1h | 选择放电和 CONV_EN
|
| 0 | DISCHARGE_CONFIG1 | R/W | 0h | 选择放电直至 VTH DISCH
|
MFR_SPECIFIC_D5 如表 9-13 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | NIL | R | 0h | 此位未在硬件中实现。在写入操作期间会忽略此位的数据。在读取操作期间会返回 0。 |
| 5-0 | V_OVP2 | R/W | 3Fh | OVP2 阈值电压
|
MFR_SPECIFIC_D6 如表 9-14 所示。
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PS_Config0 功率级配置
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | CONFIG_SYNC_PIN | R/W | 0h | 选择 SYNC 功能维持并行运行
|
| 5 | EN_CONST_TDEAD | R/W | 0h | 强制对 SEL_MIN_DEADTIME_GDRV 的设置使用恒定死区时间。禁用最小 Tdead 的频率依赖性
|
| 4 | SEL_SCALE_DT | R/W | 1h | 调整栅极驱动器死区时间频率依赖性和 2MHz 设定值
|
| 3-2 | SEL_MIN_DEADTIME_GDRV | R/W | 1h | 定义栅极驱动器在 fsw = 2MHz 时的最短死区时间
|
| 1-0 | BB_MIN_TIME_OFFSET | R/W | 1h | 调整栅极刷新的 BB 最短 Ton 或 Toff 时间
|
MFR_SPECIFIC_D7 如表 9-15 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | NIL | R | 0h | 此位未在硬件中实现。在写入操作期间会忽略此位的数据。在读取操作期间会返回 0。 |
| 5-4 | SEL_INDUC_DERATE | R/W | 2h | 选择 PSM 模式电感降额以达到斜率
|
| 3-0 | SEL_SLOPE_COMP | R/W | 8h | 选择斜率补偿电流与 RT 电流之比
|
MFR_SPECIFIC_D8 如表 9-16 所示。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | SEL_FB_DIV20 | R/W | 1h | 选择 20 作为内部 FB 分压器分压比
|
| 6 | EN_CDC | R/W | 0h | 启用电缆压降补偿
|
| 5-4 | CDC_GAIN | R/W | 0h | 选择 CDC 电压 (1V) 相对于 Vout 的增益
|
| 3-2 | SEL_DRV1_SEQ | R/W | 1h | 选择 DRV 1 运行时序
|
| 1-0 | SEL_DRV1_SUP | R/W | 0h | 选择 DRV1 引脚的驱动器配置
|
表 9-17 展示了 IVP_VOLTAGE。
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| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-0 | V_IVP | R/W | FFh | 输入过压保护和调节阈值
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