ZHCSZ02 October   2025 DRV7167

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息_DRV7167A
    5. 5.5 电气特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源调节
      4. 7.3.4 电平转换
      5. 7.3.5 零电压检测 (ZVD) 报告
      6. 7.3.6 短路保护 (SCP)
      7. 7.3.7 过热检测 (OTD)
      8. 7.3.8 故障指示
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 典型应用 - PWM 模式
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息
      1. 11.1.1 机械数据

6.1 传播延迟和失配测量

图 6-1 展示了用于测量传播失配的典型测试设置。由于无法访问栅极驱动器，因此该测试电路中的上拉和下拉电阻器用于指示低侧 GaN FET 何时导通以及高侧 GaN FET 何时关闭，反之用于测量 tMON 和 tMOFF 参数。此电路中用于上拉和下拉电阻器的电阻值约为 1kΩ；使用的电流源为 2A。

图 6-2 到图 6-5 展示了传播延迟测量波形。进行导通传播延迟测量时，不使用电流源。对于关断时间测量，电流源设置为 2A，并且还会设置电压钳位限值，称为 VM(CLAMP)。测量高侧元件关断延迟时，高侧 FET 上的电流源导通，低侧 FET 上的电流源关断，HI 从高电平转换为低电平，输出电压从 VM 转换为 VM(CLAMP)。同样，测量低侧元件关断传播延迟时，高侧元件电流源关断，低侧元件电流源导通，LI 从高电平转换为低电平，输出从 GND 电位转换为 VM(CLAMP)。LI 转换和输出变化之间的时间差就是传播延迟时间。

DRV7167 传播延迟和传播失配测量图 6-1 传播延迟和传播失配测量
DRV7167 高侧栅极驱动器导通图 6-2 高侧栅极驱动器导通
DRV7167 高侧栅极驱动器关断
图 6-4 高侧栅极驱动器关断
DRV7167 低侧栅极驱动器导通图 6-3 低侧栅极驱动器导通
DRV7167 低侧栅极驱动器关断图 6-5 低侧栅极驱动器关断