ZHCSZ02 October   2025 DRV7167

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息_DRV7167A
    5. 5.5 电气特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源调节
      4. 7.3.4 电平转换
      5. 7.3.5 零电压检测 (ZVD) 报告
      6. 7.3.6 短路保护 (SCP)
      7. 7.3.7 过热检测 (OTD)
      8. 7.3.8 故障指示
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 典型应用 - PWM 模式
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息
      1. 11.1.1 机械数据

3 说明

DRV7167A 是一款 100V 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET，它们采用半桥配置并由一个高频 GaN FET 驱动器驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。DRV7167A 采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

无论 GVDD 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压调节技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全工作范围内。该器件支持两个 FET 的导通和关断压摆率控制、与 IO 数量受限的控制器配合使用的单 PWM 模式、短路保护 (SCP)、过热检测 (OTD) 以及尽可能缩短第三象限导通时间的零电压检测 (ZVD) 报告。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸（标称值）(3)
DRV7167A(2) VBN（VQFN、18） 7.00mm × 4.50mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 预告信息。产品处于样片和预量产阶段。
(3) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
DRV7167 简化版方框图简化版方框图