ZHCSYY1B November   2010  – September 2025 LMD18200QML

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能图
  6. 5 绝对最大额定值
  7. 6 运行额定值
  8. 7 质量合格检验
  9. 8 LMD18200 电气特性直流参数
  10. 9 典型性能特性
  11. 10测试电路
    1. 10.1 开关时间定义
  12. 11引脚排列说明
    1. 11.1 应用信息
      1. 11.1.1 PWM 信号的类型
      2. 11.1.2 信号转换要求
      3. 11.1.3 使用电流检测输出
      4. 11.1.4 使用热警告标志
      5. 11.1.5 电源旁路
      6. 11.1.6 电流限制
      7. 11.1.7 内部电荷泵和自举电容器的使用
      8. 11.1.8 内部保护二极管
    2. 11.2 典型应用
      1. 11.2.1 固定关断时间控制
      2. 11.2.2 扭矩调节
      3. 11.2.3 速度调节
  13. 12修订历史记录

11.1.7 内部电荷泵和自举电容器的使用

要导通高侧（源极）DMOS 功率器件，必须将每个器件的栅极驱动至比电源电压高大约 8V 的正电压。为了实现这一点，使用了内部电荷泵提供栅极驱动电压。如 图 11-4 所示，内部电容器在切换到接地和充电至大约 14V 之间交替，然后切换到电源电压，从而提供大于电源电压的栅极驱动电压。这种开关操作由一个持续运行的内部 300kHz 振荡器控制。该驱动电压的上升时间通常为 20μs，适合高达 1kHz 的工作频率。

LMD18200QML 内部电荷泵电路图 11-4 内部电荷泵电路

对于更高的开关频率，LMD18200 可使用外部自举电容器。自举原理本质上是第二个电荷泵，即使用一个大电容值电容器，该电容器有足够的能量快速为功率器件的寄生栅极输入电容充电，从而显著缩短上升时间。开关操作由电源开关本身完成 图 11-5。从输出端连接到每个高侧开关的自举引脚的外部 10nF 电容器通常可提供小于 100ns 的上升时间，支持高达 500kHz 的开关频率。

LMD18200QML 自举电路图 11-5 自举电路