ZHCSY92 May   2025 TPS60800-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电荷泵输出电阻
      2. 7.3.2 效率注意事项
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 有源肖特基二极管
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 电容器选型
        2. 8.2.2.2 输入电容器 (CI)
        3. 8.2.2.3 飞跨电容器 (C(fly))
        4. 8.2.2.4 输出电容器 (CO)
        5. 8.2.2.5 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
      1. 8.3.1 RC 后置滤波器
      2. 8.3.2 电源轨分离器
      3. 8.3.3 组合倍压器，逆变器
      4. 8.3.4 级联器件
      5. 8.3.5 并联器件
      6. 8.3.6 降压电荷泵
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.2.2.5 功率耗散

如热性能信息 中所述，TPS60800-Q1 的热阻 RΘJB 为 109.1°C/W。RΘJB 是指器件结温与周围电路板温度之间的热阻。以下公式计算全功率条件下允许的最高电路板温度，前提是器件结温不超过 125°C。

可以使用方程式 7 计算热阻 RΘJB。

方程式 7. R θ J B = T J   -   T B P D

其中：

TJ 是结温，TB 是电路板温度，而 PD 是器件的功率耗散。

可以使用下面的方程式 8 计算最大功率耗散。

方程式 8. P D =   V I × I I - V O × I O   =   V I ( m a x ) × I O + I ( S u p p l y ) -   V O × I O  

最大功率耗散在最大输入电压和最大输出电流下发生。

在最大负载时，最大电源电流为 1mA（请参阅方程式 9）。

方程式 9. P D =   5 V × ( 200 m A   + 1 m A ) - 4.15 V × 200 m A   =   175 m W

在此最大额定功率和热阻 RΘJB 下，可以使用方程式 10 计算高于电路板温度的最高结温上升。

方程式 10. ∆ T J = R θ J B × P D   =   109.1 ℃ / W × 175 m W   =   19.09 ℃

此公式表示，相对于电路板温度，功率耗散引起的结温 TJ 上升 < 20°C。

器件的结温不得超过 125°C。

此限制意味着 IC 可在方程式 11 给出的电路板温度下轻松使用。

方程式 11. T B = T J ( m a x ) - ∆ T J   =   125 ℃   -   20 ℃   =   105 ℃