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ZHCSY90 May 2025 TPS7H6101-SEP

ADVANCE INFORMATION

驱动器所需的外部自举电容器连接在 BOOT 和 SW_LS 之间。自举电容器电压用作高侧线性稳压器 BP5H 的输入，为高侧 GaN FET 提供栅极驱动电压。选择自举电容器的一般原则是，指定的电容至少比所驱动的高侧 GaN FET 栅极电容大 10 倍：

选择 1μF 的 C_BOOT 电容器值可满足方程式 1。

方程式 1.

{C_{B O O T} \geq 10 \times C}_{I S S}

其中：

下面显示了使用方程式 3 更具体地计算出所需的最小自举电容：

方程式 2.

C_{B O O T} \geq \frac{Q_{t o t a l}}{{∆ V}_{B O O T}}

方程式 3.

Q_{t o t a l} = Q_{G} + I_{Q B G} \times \frac{D_{M A X}}{f_{S W}} + \frac{I_{Q H S}}{f_{S W}}

其中：

∆V_BOOT 是为了正常运行 BOOT 上允许的最大压降：

方程式 4.

{∆ V}_{B O O T} = V I N - (n \times V_{F}) - (I_{B O O T} \times (R_{B O O T} + R_{S W})) - V_{B O O T_U V L O}

其中：

对于不使用内部自举开关的应用，在计算中可省略 R_SW 项。建议选择具有低 ESR 和 ESL 的自举电容器。包括自举电容器的额定电压，在最大预期自举电压之上有足够的裕量。