ZHCSY90 May 2025 TPS7H6101-SEP
ADVANCE INFORMATION
TPS7H6101 是一款高度集成的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥，适用于同步降压转换器、双通道低侧拓扑和电机驱动器。TPS7H6101 使用 12mm x 9mm LGA 封装将半桥功率 FET 和隔离式栅极驱动器组合在一起，最大限度地减少了结至外壳热阻、寄生共模电感和欧姆损耗。
该驱动器可在高达 2MHz 的频率下运行，可用在基于 GaN 的高频、高效率电源转换器设计中。该驱动器设计有 35ns（典型值）的传播延迟和 5.5ns（典型值）的高侧至低侧延迟匹配。
栅极驱动器需要外部自举二极管，因此用户能够根据应用优化二极管。驱动器包含一个与自举二极管串联的内部开关，可用于防止自举电容器过充并降低二极管中的反向恢复损耗。
栅极驱动器有两种工作模式：PWM 模式和独立输入模式 (IIM)。双模式工作允许栅极驱动器与许多 PWM 控制器一起使用，以实现同步整流器控制和 GaN FET 兼容性。用户还可以选择在 IIM 中启用输入互锁保护，从而在同步降压和半桥拓扑中实现防击穿保护。