ZHCSY62A
April 2025 – June 2025
SN55LVTA4-SEP
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
引脚配置和功能
5
规格
5.1
绝对最大额定值
5.2
ESD 等级
5.3
建议运行条件
5.4
热性能信息
5.5
电气特性
5.6
开关特性
5.7
典型特性
6
参数测量信息
7
详细说明
7.1
概述
7.2
功能方框图
7.3
特性说明
7.3.1
未使用的使能引脚
7.3.2
驱动器禁用输出
7.3.3
驱动器等效原理图
7.4
器件功能模式
8
应用和实施
8.1
应用信息
8.1.1
典型应用
8.1.1.1
详细设计过程
8.1.1.1.1
介质互连
8.1.1.2
设计要求
8.1.1.3
应用曲线
8.1.2
冷备用
8.1.3
电源相关建议
8.1.3.1
电源旁路电容
8.1.4
布局
8.1.4.1
布局指南
8.1.4.1.1
微带与带状线拓扑
8.1.4.1.2
电介质类型和电路板结构
8.1.4.1.3
建议的堆叠布局
8.1.4.1.4
引线间距
8.1.4.1.5
串扰和接地反弹最小化
8.1.4.2
布局示例
9
器件和文档支持
9.1
相关文档
10
接收文档更新通知
11
支持资源
12
商标
13
静电放电警告
14
术语表
15
修订历史记录
16
机械、封装和可订购信息
1
特性
VID V62/25605-01XE
电离辐射总剂量额定值为 30krad (Si)
每个晶圆批次的辐射批次验收测试电离辐射总剂量 (TID RLAT) 额定值高达 30krad (Si)
单粒子效应 (SEE) 特性:
单粒子锁定 (SEL) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度 = 50MeV-cm2/mg
单粒子瞬变 (SET) 额定值为 50MeV-cm
2
/mg。
符合或超出 ANSI TIA/EIA-644 标准要求
低电压差分信号,搭载 350mV 和 100Ω 负载的典型输出电压
典型输出电压上升和下降时间为 500ps (400Mbps)
传播延迟时间典型值为 1.7ns
由 3.3V 单电源供电运行
200MHz 时每个驱动器的功率耗散典型值为 25mW
当被禁用或 V
CC
= 0 时,驱动器处于高阻抗状态
总线端子静电放电 (ESD) 保护超过 8kV
低电压 TTL (LVTTL) 逻辑输入电平
用于需要冗余的空间和高可靠性应用的冷备份
增强型航天塑料 (SEP)
受控基线
金线,NiPdAu 铅涂层
一个封测厂,一个制造厂
延长了产品生命周期
军用级(-55°C 到 125°C)温度范围
产品可追溯性
符合 NASA ASTM E595 释气规格要求