数据表
SN55LVTA4-SEP
- VID V62/25605-01XE
- 电离辐射总剂量额定值为 30krad (Si)
- 每个晶圆批次的辐射批次验收测试电离辐射总剂量 (TID RLAT) 额定值高达 30krad (Si)
- 单粒子效应 (SEE) 特性：
- 单粒子锁定 (SEL) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度 = 50MeV-cm2/mg
- 单粒子瞬变 (SET) 额定值为 50MeV-cm2/mg。
- 符合或超出 ANSI TIA/EIA-644 标准要求
- 低电压差分信号，搭载 350mV 和 100Ω 负载的典型输出电压
- 典型输出电压上升和下降时间为 500ps (400Mbps)
- 传播延迟时间典型值为 1.7ns
- 由 3.3V 单电源供电运行
- 200MHz 时每个驱动器的功率耗散典型值为 25mW
- 当被禁用或 VCC = 0 时，驱动器处于高阻抗状态
- 总线端子静电放电 (ESD) 保护超过 8kV
- 低电压 TTL (LVTTL) 逻辑输入电平
- 用于需要冗余的空间和高可靠性应用的冷备份
- 增强型航天塑料 (SEP)
- 受控基线
- 金线，NiPdAu 铅涂层
- 一个封测厂，一个制造厂
- 延长了产品生命周期
- 军用级（-55°C 到 125°C）温度范围
- 产品可追溯性
- 符合 NASA ASTM E595 释气规格要求
SN55LVTA4-SEP 是一款差分线路驱动器，可实现 3.3V 低压差分信号传输 (LVDS) 的电气特性。该驱动器在使能时向 100Ω 负载提供最小 247mV 的差分输出电压幅值。
此器件和信号传输技术的预期应用是通过约 100Ω 的受控阻抗介质进行点对点和多点（一个驱动器和多个接收器）数据传输。此传输介质可以是印刷电路板走线、底板、或者电缆。最终数据传输速率和距离取决于介质衰减特性和环境噪声耦合。
SN55LVTA4-SEP 的工作温度范围是 -55°C 至 125°C。
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技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | SN55LVTA4-SEP 辐射容忍四通道高速差动线路驱动器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2025-9-8 |
| * | 辐射与可靠性报告 | SN55LVTA4-SEP Single-Event Effects (SEE) Radiation Report | PDF | HTML | 2025-6-23 | ||
| * | 辐射与可靠性报告 | SN55LVTA4-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report | PDF | HTML | 2025-6-23 | ||
| * | 辐射与可靠性报告 | SN55LVTA4-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2025-6-3 | ||
| * | VID | SN55LVTA4-SEP VID SN55LVTA4-SEP VID V62/25605 | 2026-5-5 | |||
| 选择指南 | TI Space Products (Rev. L) | 2026-3-27 |
设计与开发
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评估板
SN65LVDS31-33EVM — 用于 SN65LVDS31 和 SN65LVDS33 的评估模块
TI offers a series of low-voltage differential signaling (LVDS) evaluation modules (EVMs) designed for analysis of the electrical characteristics of LVDS drivers and receivers. Four unique EVMs are available to evaluate the different classes of LVDS devices offered by TI.
As seen in the Combination (...)
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 16 | Ultra Librarian |
订购和质量
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