在运行过程中，为了防止器件因过热而损坏，会监控裸片结温。

在适配器模式下，当 T_J 达到 T_{SHUT_RISING}、T_{J_BUCK} 达到 T_{SHUT_RISING_BUCK}（如果启用了降压）、T_{J_BB} 达到 T_{SHUT_RISING_BB}（如果启用了降压/升压）、T_{J_LDO1} 达到 T_{SHUT_RISING_LDO1}（如果启用了 LDO1）或 T_{J_LDO2} 达到 T_{SHUT_RISING_LDO2}（如果启用了 LDO2）时，会触发 TSHUT 故障。在这种情况下，器件会停止充电，禁用所有正在运行的电源轨，然后关断输入 FET 和 BATFET。在 t_{TSHUT_DGLZ} 之后，如果 T_J 低于 T_{SHUT_FALLING}，则输入 FET 和 BATFET 将导通以为 SYS 供电，并且可以重新开始充电。当 TSHUT 故障恢复时，集成电源轨会重新启用。如果在 V_SYS > V _{SEQ_UVLOZ} 时使用电源序列，则会实现上电序列。

在禁用 ADC (ADC_EN = 0) 的电池模式下，当 T_{J_BUCK} 达到 T_{SHUT_RISING_BUCK}（如果启用了降压）、T_{J_BB} 达到 T_{SHUT_RISING_BB}（如果启用了降压/升压）、T_{J_LDO1} 达到 T_{SHUT_RISING_LDO1}（如果启用了 LDO1）或 T_{J_LDO2} 达到 T_{SHUT_RISING_LDO2}（如果启用了 LDO2）时，会触发 TSHUT 故障。在这种情况下，器件会禁用所有正在运行的电源轨。在 t_{TSHUT_DGLZ} 之后，BATFET 会导通以为 SYS 供电。当 TSHUT 故障恢复时，集成电源轨会重新启用。如果在 V_SYS > V _{SEQ_UVLOZ} 时使用电源序列，则会实现上电序列。

在禁用 ADC (ADC_EN = 1) 的仅电池模式下，当 T_J 达到 T_{SHUT_RISING}、T_{J_BUCK} 达到 T_{SHUT_RISING_BUCK}（如果启用了降压）、T_{J_BB} 达到 T_{SHUT_RISING_BB}（如果启用了降压/升压）、T_{J_LDO1} 达到 T_{SHUT_RISING_LDO1}（如果启用了 LDO1）或 T_{J_LDO2} 达到 T_{SHUT_RISING_LDO2}（如果启用了 LDO2）时，会触发 TSHUT 故障。在这种情况下，器件会禁用所有正在运行的电源轨，然后关断 BATFET。在 t_{TSHUT_DGLZ} 之后，如果 T_J 低于 T_{SHUT_FALLING}，则输入 BATFET 将导通以为 SYS 供电。当 TSHUT 故障恢复时，集成电源轨会重新启用。如果在 V_SYS > V _{SEQ_UVLOZ} 时使用电源序列，则会实现上电序列。

在 PFM 模式下降压热关断保护无效，在负载小于 1mA 时 LDO1/LDO2 热关断无效。

当 TSHUT 故障被触发时，如果 TSHUT_MASK 未被设置为 1，则 TSHUT_STAT/TSHUT_FLAG 会被设置为 1，并且会从 INT 引脚发送中断信号。

如果 TSHUT_LOCK_EN 被设置为 1，并且在 2s 窗口中触发 TSHUT 故障 7 至 13 次，则器件被锁定在 TSHUT 保护状态（输入 FET 关断，BATFET 关断，电源轨被禁用）。一旦器件被锁定在 TSHUT 保护状态，就需要切换 VIN 以使器件在 t_{TSHUT_DGLZ} 之后退出锁定状态。在 t_{TSHUT_DGLZ} 之后，如果 T_J 低于 T_{SHUT_FALLING}，则输入 FET 或 BATFET 将能够导通以为 SYS 供电，并且可以重新开始充电。当 TSHUT 故障恢复时，集成电源轨会重新启用。如果在 V_SYS > V _{SEQ_UVLOZ} 时使用电源序列，则会实现上电序列。

当 LDO1 处于常开模式 (LDO1_EN_SET = b111) 且 LDO1_SHIP_AO 被设置为 1 时，仅当 T_JT_J达到 T_{SHUT_RISING_LOD1} 时 LDO1 才会被禁用，当 T_J 降至低于 T_{SHUT_FALLING_LOD1} 时 LDO1 恢复运行。在 LDO1 开启运输模式下，如果触发了故障，则不会更新 TSHUT_STAT/TSHUT_FLAG。

在充电过程中，为了防止器件过热，器件会监控裸片的结温，并在 T_J 达到热调节阈值 (T_REG) 时根据 THERM_REG 设置所设置的位减小充电电流。如果充电电流降至 0，则电池会提供为 SYS 输出供电所需的电流。可通过 I²C 禁用热调节。

在 I²C 中可以选择四种温度设置，如节 7.6 所示。

可使用以下公式，根据预期的电路板性能估算裸片结温 T_J：

T_J = T_A + θ_JA * P_DISS

θ_JA 在很大程度上取决于电路板布局布线。更多有关新旧热指标的信息，请参阅 IC 封装热指标应用报告。

为了实现可靠运行，请将结温限制在建议运行条件 表中列出的最大值。在超过这个最高温度的情况下运行会导致器件超出运行规格。尽管器件的热保护旨在针对过热情况提供保护，但热保护并不用于替代适当的散热。使器件持续进入热关断状态或在超过建议的最高结温下运行会降低长期可靠性。