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ZHCSXG7 August 2024 DRV8434A-Q1

PRODUCTION DATA

5.5 电气特性

典型值都是在 T_A = 25°C 且 V_VM = 24V 条件下测得的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下测得的限值。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源电压（VM、DVDD）
I_VM	VM 工作电源电流	ENABLE = 1，nSLEEP = 1，无电机负载		5	6.5	mA
I_VMQ	VM 睡眠模式电源电流	nSLEEP = 0		2	4	μA
t_SLEEP	睡眠时间	nSLEEP = 0 至睡眠模式	120			μs
t_RESET	nSLEEP 复位脉冲	nSLEEP 低电平至清除故障	20		40	μs
t_WAKE	唤醒时间	nSLEEP = 1 至输出转换		0.7	1.2	ms
t_ON	导通时间	VM > UVLO 至输出转换		0.7	1.2	ms
t_EN	启用时间	ENABLE = 0/1 至输出转换			1	ms
V_DVDD	内部稳压器电压	无外部负载，6V < V_VM < 48V	4.75	5	5.25	V
V_DVDD	内部稳压器电压	无外部负载，V_VM = 4.5V	4.2	4.4		V
电荷泵（VCP、CPH、CPL）
V_VCP	VCP 工作电压	6 V < V_VM < 48 V		V_VM + 5		V
f_(VCP)	电荷泵开关频率	V_VM > UVLO；nSLEEP = 1		390		kHz
逻辑电平输入（STEP、DIR、nSLEEP）
V_IL	输入逻辑低电平电压		0		0.6	V
V_IH	输入逻辑高电平电压		1.5		5.5	V
V_HYS	输入逻辑迟滞			150		mV
I_IL	输入逻辑低电平电流	V_IN = 0V	-1		1	μA
I_IH	输入逻辑高电平电流	V_IN = 5V			100	μA
三电平输入（M0、ENABLE）
V_I1	输入逻辑低电平电压	连接至 GND	0		0.6	V
V_I2	输入高阻抗电压	高阻态	1.8	2	2.2	V
V_I3	输入逻辑高电平电压	连接至 DVDD	2.7		5.5	V
I_O	输出上拉电流			10.5		μA
四电平输入（M1、STL_MODE）
V_I1	输入逻辑低电平电压	连接至 GND	0		0.6	V
V_I2		330kΩ ± 5% 至 GND	1	1.25	1.4	V
V_I3	输入高阻抗电压	高阻态	1.8	2	2.2	V
V_I4	输入逻辑高电平电压	连接至 DVDD	2.7		5.5	V
I_IL	输出上拉电流			10.5		μA
扭矩计数输入/失速阈值输出 (TRQ_CNT/STL_TH)
V_O1	输出低电压	STL_MODE = 0V	0.2			V
V_O2	输出高电压	STL_MODE = 0V			2.3	V
V_I1	输入低电压	STL_MODE = DVDD	0.2			V
V_I2	输入高电压	STL_MODE = DVDD			2.3	V
N_BIT	扭矩计数 DAC 分辨率			12		位
C_LOAD	TRQ_CNT/STL_TH 引脚容性负载	R_LOAD = 无限，相位裕度 = 45°			1	nF
I_SHORT	TRQ_CNT/STL_TH 引脚短路电流	满量程输出短接至地		3		mA
控制输出（nFAULT、STL_REP）
V_OL	输出逻辑低电平电压	I_O = 5mA			0.5	V
I_OH	输出逻辑高电平漏电流		-1		1	μA
V_IL	输入逻辑低电平电压	STL_REP，下拉到低电平，以禁用失速报告	0		0.6	V
V_IH	输入逻辑高电平电压	STL_REP，下拉到高电平，以启用失速报告	1.5		5.5	V
电机驱动器输出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
R_DS(ON)	高侧 FET 导通电阻	T_J = 25°C、I_O = -1 A		165	200	mΩ
		T_J = 125°C、I_O = -1A		240	300	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = -1A		260	350	mΩ
R_DS(ON)	低侧 FET 导通电阻	T_J = 25°C、I_O = 1 A		165	210	mΩ
		T_J = 125°C、I_O = 1 A		240	300	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = 1 A		260	350	mΩ
t_SR	输出压摆率	V_VM = 24V、I_O = 1A，在 10% 至 90% 之间		240		V/µs
PWM 电流控制 (VREF)
K_V	跨阻增益	VREF = 3.3V	1.254	1.32	1.386	V/A
I_VREF	VREF 漏电流	VREF = 3.3V			8.25	μA
ΔI_TRIP	电流跳变精度	0.25A < I_O < 0.5A	-12		12	%
		0.5A < I_O < 1A	-6		6
		1A < I_O < 2.5A	-4		4
I_O,CH	AOUT 和 BOUT 电流匹配	I_O = 2.5A	-2.5		2.5	%
保护电路
V_UVLO	VM UVLO 锁定	VM 下降，UVLO 下降	4.1	4.2	4.35	V
V_UVLO	VM UVLO 锁定	VM 上升，UVLO 上升	4.2	4.3	4.45	V
V_UVLO,HYS	欠压迟滞	上升至下降阈值		120		mV
V_CPUV	电荷泵欠压	VCP 下降；CPUV 报告		V_VM + 2		V
I_OCP	过流保护	流经任何 FET 的电流	4			A
t_OCP	过流抗尖峰时间			2		μs
t_RETRY	过流重试时间			4		ms
t_OL	开路负载检测时间				65	ms
I_OL	开路负载电流阈值			100		mA
T_OTSD	热关断	内核温度 T_J	150	165	180	°C
T_{HYS_OTSD}	热关断迟滞	内核温度 T_J		20		°C