ZHCSW48A July   2025  – December 2025 TPS2HC08-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SNS 时序特性
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  精确的电流检测
        1. 8.3.1.1 SNS 响应时间
        2. 8.3.1.2 SNS 输出滤波器
        3. 8.3.1.3 跨通道电流检测的多路复用
        4. 8.3.1.4 跨器件电流检测的多路复用
      2. 8.3.2  过流保护
        1. 8.3.2.1 可调节限流
          1. 8.3.2.1.1 使用热调节的电流限制
          2. 8.3.2.1.2 不使用热调节的电流限制
          3. 8.3.2.1.3 电流限制折返
          4. 8.3.2.1.4 电流限制准确度
        2. 8.3.2.2 热关断
          1. 8.3.2.2.1 相对热关断
          2. 8.3.2.2.2 绝对热关断
      3. 8.3.3  热关断的重试保护机制
        1. 8.3.3.1 可靠的导通行为
      4. 8.3.4  电感负载关断钳位
      5. 8.3.5  较慢压摆率选项
      6. 8.3.6  电容性负载充电
        1. 8.3.6.1 用于浪涌控制的可调节电流限制
        2. 8.3.6.2 具有容性负载热调节功能的电流限制
        3. 8.3.6.3 容性负载的重试热关断行为
        4. 8.3.6.4 直流负载对电容充电能力的影响
        5. 8.3.6.5 器件功能
      7. 8.3.7  灯泡充电
        1. 8.3.7.1 灯泡负载的非热调节模式
        2. 8.3.7.2 灯泡浪涌期间的热管理
        3. 8.3.7.3 器件功能
      8. 8.3.8  故障检测和报告
        1. 8.3.8.1 诊断使能功能
        2. 8.3.8.2 FLT 报告
        3. 8.3.8.3 FLT 时序
        4. 8.3.8.4 故障表
      9. 8.3.9  全面诊断
        1. 8.3.9.1 开路负载检测
          1. 8.3.9.1.1 通道导通
          2. 8.3.9.1.2 通道关断
        2. 8.3.9.2 电池短路检测
        3. 8.3.9.3 反极性和电池反向保护
      10. 8.3.10 全面保护
        1. 8.3.10.1 UVLO 保护
        2. 8.3.10.2 接地失效保护
        3. 8.3.10.3 电源失效保护
        4. 8.3.10.4 反向电流保护
        5. 8.3.10.5 MCU I/O 保护
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 EMC 瞬态干扰测试
      3. 9.2.3 瞬态热性能
      4. 9.2.4 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
        1. 9.4.2.1 无接地网络
        2. 9.4.2.2 有接地网络
      3. 9.4.3 可湿侧面封装
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.5 电气特性

VBB = 6V 至 18V，TJ = –40°C 至 150°C（除非另有说明）；典型应用为 VBB = 13.5V，RLIM = 开路（除非另有规定）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入电压和电流
VUVLOR VBB 欠压锁定  相对于器件 GND 引脚测得 VBB 上升阈值 3.7 3.85 4.0 V
VUVLOF VBB 下降阈值 2.8 2.9 3.0 V
VDET1 VBB 检测 1 阈值 运行、诊断或待机状态 VBB 上升阈值 19 20.5 22.5 V
VBB 下降阈值 18.4 19.5 20.7 V
VDET2 VBB 检测 2 阈值 运行状态 VBB 上升阈值 24.5 26 28 V
VBB 下降阈值 22.5 24 26 V
VHV_R VBB 高电压唤醒阈值 从睡眠状态切换至待机状态所需的 VBB 电压 VBB 上升阈值 20.9 25 28.1 V
VHV_F VBB 高电压唤醒阈值 从待机状态切换至睡眠状态所需的 VBB 电压 VBB 下降阈值 18 V
VClamp VDS 钳位电压 VBB ≥ VDET1 TJ = 25°C 35 37 V
TJ = -40°C 至 150°C 31 42 V
VBB < VDET1 TJ = -40°C 至 150°C 24 35 V
ISLEEP 待机电流（包括两个 MOSFET 通道在内的器件总漏电流） VENx = VDIAG_EN = 0V，VOUT = 0V TJ = 25°C 1.2 µA
TJ = 85°C 1.4 µA
TJ = 150°C 12 µA
IOUT(SLEEP) 每个通道的输出漏电流 VEN = VDIAG_EN = 0V，VOUT = 0V TJ = 25°C 0.01 0.5 µA
TJ = 85°C 0.7 µA
TJ = 150°C 6 µA
IDIAG 诊断状态电流消耗 VENx = 5V，VDIAG_EN = 0V，VOUT = 0V，ISNS = 0mA 1.9 2.4 mA
VENx = 0V，VDIAG_EN = 5V，VOUT = 0V，ISNS = 0mA 1.9 2.4 mA
IQ_1CH 启用单通道时的静态电流 VEN = VDIA_EN = 5V，IOUT = 0A 3 mA
IQ 启用双通道时的静态电流 VEN = VDIA_EN = 5V，IOUT = 0A 3.2 mA
tSTBY 待机模式延迟时间 VENx = VDIAG_EN = 0V，VBB < VHV_F 至待机 13 16 19 ms
RON 特性
RON 导通电阻 3V ≤ VBB ≤ 28V，IOUT= 1A TJ = 25°C 9.5 11 mΩ
TJ = 150°C 16.5 mΩ
ΔRON 通道之间的导通电阻差 6V ≤ VBB ≤ 28V，IOUT= 1A TJ = –40°C 至 150°C 0.5 5 %
RON(REV) 反极性期间的导通电阻 –18V ≤ VBB ≤ –6V TJ = 25°C 9.5 11 mΩ
TJ = 150°C 16.8 mΩ
ILNOM 每个通道的持续负载电流 启用双通道时，TA = 85°C 7.5 A
启用一个通道时，TA = 85°C 10 A
VF 源漏结体二极管电压 VEN = 0V，IOUT = –1A 0.15 0.6 0.8 V
电流检测特性
VBB_ISNS 完整的电流检测和故障功能所需的 VBB 余量(2) VDIAG_EN = 3.3V 5.3 V
VDIAG_EN = 5V 6.5 V
KSNS 电流检测比 IOUT / ISNS IOUT = 1A 3008
KSNS IOUT 全量程范围内的电流检测比 IOUT / ISNS VBB > VBB_ISNS，VEN = VDIAG_EN = 5V IOUT = 5A   3020
-3.5 4 %
IOUT = 2A   3016
-3.5 4 %
IOUT = 1A   3008
-4.5 4.5 %
IOUT = 500mA 2990
-9.5 8.5 %
IOUT = 200mA 2931
-24 19 %
ISNSFH ISNS 故障高电平 VDIAG_EN > VIH,DIAG_EN 5.5 7.4 9.5 mA
ISNSleak_disabled ISNS 漏电流（禁用诊断） VDIA_EN = 0V 在 SNS 引脚上强制 0V -100 1 100 nA
电流限制特性
RLIM RLIM 短路检测范围 20 kΩ
RLIM 开路检测范围 66.66 kΩ
ICL_FLT_Trip 故障置为有效时的电流与实际电流限制之比(2) TJ = -40°C 至 150°C RLIM = 20kΩ 至 66.5kΩ 74 80 %
KCL 电流限制比(1)  TJ = -40°C 至 150°C  RLIM = 20kΩ 405 500 635 A × kΩ
RLIM = 33.2kΩ 405 500 635 A × kΩ
RLIM = 66.5kΩ 405 500 635 A × kΩ
ICL ICL 电流限制阈值  TJ = -40°C 至 150°C RLIM = GND 25 A
RLIM = 开路 7.5 A
ICB 启用开关后施加短路时的峰值电流阈值(2) RLIM = 16.9kΩ 至 66.5kΩ TJ = -40°C 23 A
TJ = 25°C  25 A
TJ = 150°C 22 A
ICL_HV 高电压下的 ICL 电流限制降额(2)  TJ = -40°C 至 150°C VBB < VDET1 ICL A
VDET1 ≤ VBB  < VDET2 (ICL)/2 20
VBB ≥ VDET2 (ICL)/3 10
ICL_LNPK 线性模式峰值(2) TJ = -40°C 至 150°C RLIM ≥ 24.9kΩ 1.45 × ICL A
RLIM < 24.9kΩ 1.45 × ICL ICB A
故障特性
VOL 开路负载检测电压（VBB - VOUTx 电压） VEN = 0V，VDIAG_EN = 5V，诊断状态 1.5 2.2 2.9 V
RPU 每个通道的开路负载 (OL) 检测内部上拉电阻器 VEN = 0V，VDIAG_EN = 5V，诊断状态，(VBB - VOUTx = 2.7V) 90 kΩ
tOL 开路负载 (OL) 检测抗尖峰脉冲时间 VEN = 0V，VDIAG_EN = 5V，当 VBB – VOUT < VOL 时，持续时间长于 tOL 200 550 µs
tOL1 从 EN 下降沿开始的 OL 和 STB 指示时间 VEN = 5V 至 0V，VDIAG_EN = 5V，IOUT = 0mA，VOUT = VBB - VOL 200 550 µs
tOL2 从 DIAG_EN 上升沿开始的 OL 和 STB 指示时间 VEN = 0V，VDIAG_EN = 0V 至 5V，IOUT = 0mA，VOUT = VBB - VOL 200 4050 µs
TABS 热关断(2) 150 165 180 °C
TREL 相对热关断 85 °C
THYS 热关断迟滞 28 °C
VFLT FLT 低输出电压  IFLT = 2.5mA 0.2 V
tFAULT_FLT 故障指示时间(2) VDIAG_EN = 5V，出现故障和 FLT 置为有效之间的时间 20 µs
tFAULT_SNS 故障指示时间(2) VDIAG_EN = 5V，出现故障和 ISNS 稳定在 ISNSFH 之间的时间 30 µs
tRETRY_WINDOW 初始重试时间窗口 40 ms
tRETRY, INT 初始重试窗口中的重试时间 从热关断到开关重新启用的时间 100 160 300 µs
tRETRY,EXTD 扩展过流窗口中的重试时间 50 80 150 ms
EN 引脚特性
VIL, ENx 输入电压低电平 无接地网络 0.8 V
VIH, ENx 输入电压高电平 1.5 V
VIHYS, ENx 输入电压迟滞 320 mV
RENx 内部下拉电阻器 150 200 500 kΩ
IIL,_ENx 输入电流低电平(2) VENx = 0.8V 1.6 4 5.5 µA
IIH, ENx 输入电流高电平(2) VENx = 5V 19 25 35 µA
DIAG_EN 引脚特性
VIL, DIAG_EN 输入电压低电平 无接地网络 0.8 V
VIH, DIAG_EN 输入电压高电平 1.5 V
VIHYS, DIAG_EN 输入电压迟滞 320 mV
RDIAG_EN 内部下拉电阻器 100 200 500 kΩ
IIL, DIAG_EN 输入电流低电平(2) VDIAG_EN = 0.8V 1.6 4 5.5 µA
IIH, DIAG_EN 输入电流高电平(2) VDIAG_EN = 5V 19 25 35 µA
SEL 引脚特性
VIL, SEL 输入电压低电平 无接地网络 0.8 V
VIH, SEL 输入电压高电平 1.5 V
VIHYS, SEL 输入电压迟滞 320 mV
RSEL 内部下拉电阻器 100 350 500 kΩ
IIL, SEL 输入电流低电平(2) VSEL = 0.8V 1.7 2.3 3.3 µA
IIH, SEL 输入电流高电平(2) VSEL = 5V 11 14 20 µA
(1) 要从 KCL 计算 ICL，请使用公式 ICL = KCL / RLIM
(2) 参数由设计指定，无需进行生产测试。