ZHCSW48A July   2025  – December 2025 TPS2HC08-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SNS 时序特性
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  精确的电流检测
        1. 8.3.1.1 SNS 响应时间
        2. 8.3.1.2 SNS 输出滤波器
        3. 8.3.1.3 跨通道电流检测的多路复用
        4. 8.3.1.4 跨器件电流检测的多路复用
      2. 8.3.2  过流保护
        1. 8.3.2.1 可调节限流
          1. 8.3.2.1.1 使用热调节的电流限制
          2. 8.3.2.1.2 不使用热调节的电流限制
          3. 8.3.2.1.3 电流限制折返
          4. 8.3.2.1.4 电流限制准确度
        2. 8.3.2.2 热关断
          1. 8.3.2.2.1 相对热关断
          2. 8.3.2.2.2 绝对热关断
      3. 8.3.3  热关断的重试保护机制
        1. 8.3.3.1 可靠的导通行为
      4. 8.3.4  电感负载关断钳位
      5. 8.3.5  较慢压摆率选项
      6. 8.3.6  电容性负载充电
        1. 8.3.6.1 用于浪涌控制的可调节电流限制
        2. 8.3.6.2 具有容性负载热调节功能的电流限制
        3. 8.3.6.3 容性负载的重试热关断行为
        4. 8.3.6.4 直流负载对电容充电能力的影响
        5. 8.3.6.5 器件功能
      7. 8.3.7  灯泡充电
        1. 8.3.7.1 灯泡负载的非热调节模式
        2. 8.3.7.2 灯泡浪涌期间的热管理
        3. 8.3.7.3 器件功能
      8. 8.3.8  故障检测和报告
        1. 8.3.8.1 诊断使能功能
        2. 8.3.8.2 FLT 报告
        3. 8.3.8.3 FLT 时序
        4. 8.3.8.4 故障表
      9. 8.3.9  全面诊断
        1. 8.3.9.1 开路负载检测
          1. 8.3.9.1.1 通道导通
          2. 8.3.9.1.2 通道关断
        2. 8.3.9.2 电池短路检测
        3. 8.3.9.3 反极性和电池反向保护
      10. 8.3.10 全面保护
        1. 8.3.10.1 UVLO 保护
        2. 8.3.10.2 接地失效保护
        3. 8.3.10.3 电源失效保护
        4. 8.3.10.4 反向电流保护
        5. 8.3.10.5 MCU I/O 保护
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 EMC 瞬态干扰测试
      3. 9.2.3 瞬态热性能
      4. 9.2.4 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
        1. 9.4.2.1 无接地网络
        2. 9.4.2.2 有接地网络
      3. 9.4.3 可湿侧面封装
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

9.4.1 布局指南

为了获得良好的热性能，请将 VBB 焊盘连接到大面积覆铜。在顶部 PCB 层，覆铜可能超出封装尺寸，如下面的布局示例所示。除此之外，建议在一个或多个内部 PCB 层和/或底层上布置一个 VBB 平面。过孔必须将这些平面连接到顶部 VBB 覆铜。将 VOUT1 和 VOUT2 焊盘连接到电路板上的大面积覆铜还有助于实现更好的热性能，因为热量可以通过内部铜柱传递到电路板上的大面积覆铜。

TI 建议将连接到微控制器的 IO 信号布线到过孔，然后穿过内部 PCB 层。

如果在设计中使用 CIC 电容器，则必须将其尽可能靠近器件的 VBB 和 GND 引脚。如果使用接地网络进行电池反向保护，则 C IC 电容器必须从 VBB 网络连接到 IC_GND 网络。CVBB 电容器必须靠近 VBB 引脚放置，并连接到系统接地端以获得出色的性能。

RLIM 元件必须放置在靠近器件的 ILIM 和 GND 引脚的位置。如果使用接地网络进行电池反向保护，则 RLIM 必须从 ILIM 引脚连接到 IC_GND 网络，以获得预期的电流限制性能。

FLT 和 SNS 引脚布线必须相隔很远（正交或在不同的层中），以避免两个信号之间出现任何耦合。

TPS1HC03-Q1 器件的封装与该系列中的所有其他器件兼容，可用于通用板设计。