ZHCSVC0 May   2025 TPS4816-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵和栅极驱动器输出（VS、GATE、BST、SRC）
      2. 8.3.2 容性负载驱动
        1. 8.3.2.1 使用旁路 FET（G 驱动器）为负载电容器充电
        2. 8.3.2.2 使用主 FET（GATE 驱动）栅极压摆率控制
      3. 8.3.3 过流和短路保护
        1. 8.3.3.1 I2t 过流保护
          1. 8.3.3.1.1 具有自动重试功能的 I2t 过流保护
          2. 8.3.3.1.2 采用闭锁配置的 I2t 过流保护
        2. 8.3.3.2 短路保护
      4. 8.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      5. 8.3.5 基于 NTC 的温度检测 (TMP) 和模拟监测器输出 (ITMPO)
      6. 8.3.6 故障指示和诊断 (FLT)
      7. 8.3.7 反极性保护
      8. 8.3.8 欠压 (UVLO) 和过压 (OV) 保护
      9. 8.3.9 TPS48161-Q1 用作简单的栅极驱动器
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 断电
      2. 8.4.2 关断模式
      3. 8.4.3 工作模式 (AM)
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用：驱动电容负载
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

8.3.2.1 使用旁路 FET（G 驱动器）为负载电容器充电

在有多个 FET 并联的大电流应用中，不建议对主 FET 进行栅极压摆率控制，因为 FET 之间的浪涌电流分布不均会导致 FET 尺寸必须设计得更大。

TPS4816-Q1 集成了具有专用控制输入 (INP_G) 的栅极驱动器 (G)，以及位于 DRN 和 CS2– 引脚之间的旁路比较器。此特性可用于驱动独立的低功耗旁路 FET，并对容性负载进行预充电，同时限制浪涌电流。图片显示了采用 TPS4816-Q1 的低功耗旁路 FET 实施方案，用于为容性负载充电。外部电容器 Cg 可降低栅极导通压摆率并控制浪涌电流。

TPS4816-Q1 使用低功耗旁路 FET 栅极 (G) 压摆率控制的电容器充电图 8-3 使用低功耗旁路 FET 栅极 (G) 压摆率控制的电容器充电

在上电过程中，当 EN/UVLO 拉至高电平且 INP_G 拉至高电平时，器件会使用 100µA 拉电流将 G 拉至高电平以导通旁路 FET (G)，而将 INP 拉至低电平来保持主 FET (GATE) 的关断状态。当输出电容器充电完成时，可以通过将 INP 拉至高电平来关断主 FET (GATE)，通过将 INP_G 拉至低电平来关断旁路 FET (G)。当 INP_G =高电平时，TPS4816-Q1 检测 DRN 和 CS2 两端的电压，该电压与 V(BYPASS_SCP) 阈值（典型值为 2V）进行比较，以检测旁路路径中的输出接地短路故障。