ZHCSVC0 May   2025 TPS4816-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵和栅极驱动器输出（VS、GATE、BST、SRC）
      2. 8.3.2 容性负载驱动
        1. 8.3.2.1 使用旁路 FET（G 驱动器）为负载电容器充电
        2. 8.3.2.2 使用主 FET（GATE 驱动）栅极压摆率控制
      3. 8.3.3 过流和短路保护
        1. 8.3.3.1 I2t 过流保护
          1. 8.3.3.1.1 具有自动重试功能的 I2t 过流保护
          2. 8.3.3.1.2 采用闭锁配置的 I2t 过流保护
        2. 8.3.3.2 短路保护
      4. 8.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      5. 8.3.5 基于 NTC 的温度检测 (TMP) 和模拟监测器输出 (ITMPO)
      6. 8.3.6 故障指示和诊断 (FLT)
      7. 8.3.7 反极性保护
      8. 8.3.8 欠压 (UVLO) 和过压 (OV) 保护
      9. 8.3.9 TPS48161-Q1 用作简单的栅极驱动器
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 断电
      2. 8.4.2 关断模式
      3. 8.4.3 工作模式 (AM)
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用：驱动电容负载
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

9.4.1 布局指南

  • 检测电阻 (RSNS) 必须靠近 TPS4816-Q1 放置，然后使用开尔文方法连接 RSNS。更多有关开尔文技术的信息，请参阅选择合适的检测电阻布局。

  • 在所有应用下，TI 建议在 VS 端子和 GND 之间使用 0.1µF 或更高值的陶瓷去耦电容器。为改善去耦以应对电源线路干扰，可考虑在控制器的电源引脚 (VS) 处添加 RC 网络。

  • 为最大限度减小环路电感，从板输入到负载的大电流路径以及返回路径必须相互平行且彼此靠近。

  • 外部 MOSFET 必须靠近控制器放置，以便 MOSFET 的 GATE 靠近 GATE 引脚，从而形成较短的 GATE 环路。考虑添加一个占位电阻与每个外部 MOSFET 的栅极串联，以便在需要时抑制高频振荡。

  • 在输入端放置一个 TVS 二极管以用于在热插拔和快速关断事件期间钳制电压瞬态。

  • 外部自举电容器必须靠近 BST 和 SRC 引脚放置，以形成极短的环路。

  • TPS4816-Q1 周围各种元件的接地连接必须直接相互连接，并连接至 TPS4816-Q1 的 GND，然后在某处连接至系统接地。请勿通过大电流接地线将各种元件接地相互连接。