ZHCSUG9C January   2024  – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源电压钳位
      4. 7.3.4 电平转换
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VCC 旁路电容器
        2. 8.2.2.2 自举电容器
        3. 8.2.2.3 压摆率控制
        4. 8.2.2.4 与模拟控制器配合使用
        5. 8.2.2.5 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

5.6 电气特性

电压以 AGND 为基准；-40℃ ≤ TJ ≤ 125℃（除非另有说明）(1)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
功率级 R017
RDS(ON) GaN FET 导通电阻 LI = VCC = 5V，HI = 0V，I(DRN-SRC) = 45A，TJ = 25℃ 1.7 2.2 mΩ
VSD GaN 第三象限导通压降 ISD = 500mA，VVCC = 5V，HI = LI = 0V 1.5 V
IL-DRN-SRC GaN FET 关断时从 DRN 到 SRC 的漏电流 DRN = 80V，HI = LI = 0V，VVCC = 5V，TJ = 25℃ 12 200 µA
COSS GaN FET 的输出电容 VDS = 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) 1035 1423 pF
COSS(ER) GaN FET 的输出电容 - 与能量相关 VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) 1223 pF
COSS(TR) GaN FET 的输出电容 - 与时间相关 VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) 1547 pF
QG GaN FET 的总栅极电荷 VDS = 50V，ID = 45A，VGS = 5V 20 29 nC
QGD GaN FET 的栅漏电荷 VDS = 50V，ID = 45A 2 nC
QGS GaN FET 的栅源电荷 VDS = 50V，ID = 45A 6.7 nC
QOSS 输出电荷  VDS = 50V，VGS = 0V 77 104 nC
QRR 源极至漏极反向恢复电荷 不包括内部驱动器自举二极管 0 nC
tHIPLH 传播延迟：HI 上升(2) LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 38 70 120 ns
tHIPHL 传播延迟：HI 下降(2) LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 38 70 120 ns
tLIPLH 传播延迟：LI 上升(2) HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 19 40 65 ns
tLIPHL 传播延迟：LI 下降(2) HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 19 40 65 ns
tMON 延迟匹配：LI 高和 HI 低(2) 4 30 55 ns
tMOFF 延迟匹配：LI 低和 HI 高(2) 4 30 55 ns
tPW 可改变输出的最小输入脉冲宽度 10 ns
功率级 R044
RDS(ON) GaN FET 导通电阻 LI = VCC = 5V，HI = 0V，I(DRN-SRC) = 16A，TJ = 25℃ 4.4 5.7 mΩ
VSD GaN 第三象限导通压降 ISD = 500mA，VVCC = 5V，HI = LI = 0V 1.5 V
IL-DRN-SRC GaN FET 关断时从 DRN 到 SRC 的漏电流 DRN = 80V，HI = LI = 0V，VVCC = 5V，TJ = 25℃ 4 80 µA
COSS GaN FET 的输出电容 VDS = 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) 364 478 pF
COSS(ER) GaN FET 的输出电容 - 与能量相关 VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) 441 pF
COSS(TR) GaN FET 的输出电容 - 与时间相关 VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) 548 pF
QG GaN FET 的总栅极电荷 VDS = 50V，ID = 16A，VGS = 5V 7.3 9.3 nC
QGD GaN FET 的栅漏电荷 VDS = 50V，ID = 16A 0.7 nC
QGS GaN FET 的栅源电荷 VDS = 50V，ID = 16A 2.8 nC
QOSS 输出电荷  VDS = 50V，ID = 16A 27 35 nC
QRR 源极至漏极反向恢复电荷 不包括内部驱动器自举二极管 0 nC
tHIPLH 传播延迟：HI 上升(2) LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 40 66 100 ns
tHIPHL 传播延迟：HI 下降(2) LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 40 66 100 ns
tLPLH 传播延迟：LI 上升(2) HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 20 36 55 ns
tLPHL 传播延迟：LI 下降(2) HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 20 36 55 ns
tMON 延迟匹配：LI 高和 HI 低(2) 10 30 50 ns
tMOFF 延迟匹配：LI 低和 HI 高(2) 10 30 50 ns
tPW 可改变输出的最小输入脉冲宽度 10 ns
输入引脚 HI、LI
VIH 高电平输入电压阈值 上升沿 1.87 2.06 2.22 V
VIL 低电平输入电压阈值 下降沿 1.48 1.66 1.76 V
VHYS 上升和下降阈值之间的迟滞 350 mV
RI 输入下拉电阻 100 200 300 kΩ
输出引脚 HO
VOL 低电平输出电压 IOL = 10mA 0.03 V
VOH 高电平输出电压 IOL = -10mA VHB-0.06 V
欠压保护
VCCR VCC 上升沿阈值 上升 3.2 3.8 4.5 V
VCCF VCC 下降沿阈值 3.0 3.6 4.3 V
VCC(hyst) VCC UVLO 阈值迟滞 210 mV
VHBR HB 上升沿阈值 上升 2.5 3.2 3.9 V
VHBF HB 下降沿阈值 2.3 3.0 3.7 V
VHB(hyst) HB UVLO 阈值迟滞 220 mV
自举二极管
VDL 低电流正向电压 IVDD-HB = 100µA 0.45 0.65 V
VDH 高电流正向电压 IVDD-HB = 100mA 0.9 1.2 V
RD 动态电阻 IVDD-HB = 100mA 1.85 Ω
HB-HS 钳位 稳压电压 4.65 5 5.2 V
tBS 自举二极管反向恢复时间 IF = 100mA，IR = 100mA 40 ns
QRR 自举二极管反向恢复电荷 VVIN = 50V 2 nC
电源电流
ICC VCC 静态电流 LI = HI = 0V，VCC = 5V 0.08 0.125 mA
ICC VCC 静态电流 LI = VCC = 5V，HI = 0V，LMG3100R017 0.17 5 mA
ICC VCC 静态电流 LI = VCC = 5V，HI = 0V，LMG3100R044 0.17 5 mA
ICCO 总 VCC 工作电流 f = 500kHz，50% 占空比，VIN = 48V，LMG3100R017 10 20 mA
ICCO 总 VCC 工作电流 f = 500kHz，50% 占空比，VIN = 48V，LMG3100R044 5 10 mA
IHB HB 静态电流 LI = HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 4.6V 0.1 0.150 mA
IHB HB 静态电流 LI = 0V，HI = VCC = 5V，HB-HS = 4.6V，VIN = 48V，LMG3100R017 0.16 0.25 mA
IHB HB 静态电流 LI = 0V，HI = VCC = 5V，HB-HS = 4.6V，VIN = 48V，LMG3100R044 0.16 0.25 mA
IHBO HB 工作电流 f = 500kHz，50% 占空比，VDD = 5V，VIN = 48V，对于采用半桥配置的低侧器件，LMG3100R017，HB-HS = 4.6V（由外部提供） 1.5 2.5 mA
IHBO HB 工作电流 f = 500kHz，50% 占空比，VDD = 5V，VIN = 48V，对于采用半桥配置的低侧器件，HB-HS = 4.6V（由外部提供），LMG3100R044 1.5 2.5 mA
(1) 仅显示典型值的参数通过设计确定，可能未在生产中进行测试
(2) 请参阅传播延迟和失配测量 部分