ZHCSUG9C January   2024  – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源电压钳位
      4. 7.3.4 电平转换
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VCC 旁路电容器
        2. 8.2.2.2 自举电容器
        3. 8.2.2.3 压摆率控制
        4. 8.2.2.4 与模拟控制器配合使用
        5. 8.2.2.5 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

8.2.2.3 压摆率控制

图 8-2 展示了一个开关应用，其中开关节点上的压摆率可通过电阻 RVCCL 和 RVCCH 进行控制。RVCCL 可用于减慢低侧 GaN FET 的导通速度，而 RVCCH 可用于减慢高侧 GaN FET 的导通速度。使用这些电阻器，系统工程师可以在更高的效率（更快的压摆率）和更低的振铃（更慢的压摆率）之间进行更好地权衡。

LMG3100R017 LMG3100R044 使用 RVCCL 和 RVCCH 电阻器进行压摆率控制图 8-2 使用 RVCCL 和 RVCCH 电阻器进行压摆率控制