ZHCSUG9C January   2024  – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源电压钳位
      4. 7.3.4 电平转换
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VCC 旁路电容器
        2. 8.2.2.2 自举电容器
        3. 8.2.2.3 压摆率控制
        4. 8.2.2.4 与模拟控制器配合使用
        5. 8.2.2.5 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

4 引脚配置和功能

LMG3100R017 LMG3100R044 VBE 封装，15 引脚 VQFN（顶视图）图 4-1 VBE 封装，15 引脚 VQFN（顶视图）
表 4-1 引脚功能
引脚I/O(1)说明
名称编号
NC1、5、11–13、15—内部未连接。保持悬空。
LI2I低侧栅极驱动器控制输入。
VCC3P5V 器件电源。
AGND4G模拟地。
SRC6PGaN FET 源极。在内部连接到 AGND。
DRN7PGaN FET 漏极。
HS8P自举电压接地基准。
HB9P以 HS 为接地基准的高侧栅极驱动器自举电源轨。
HO10O电平转换高侧栅极驱动器控制输出。
HI14I高侧栅极驱动器控制输入。
(1) I = 输入，O = 输出，G = 地，P = 电源